【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低电压调节器专利
以下描述涉及集成电路设备(ICs)。更具体地,以下描述涉及一种用于IC的低电压调节器。
技术介绍
随着时代的发展,集成电路变得越来越“密集”,即,通过具有越来越小的工艺的节点,(例如等于或小于10纳米的特征尺寸)已经在给定尺寸的IC中实现了更多的逻辑特征。多栅极晶体管(例如其中的MuGFET)在低电压下工作时具有足够的电流密度,可以降低功耗。但是,这意味着必须将电源电压调节至多栅极晶体管的水平。相对于提供“干净的”、足够的电压以使这样的小晶体管可靠地运行而言,调节低电压是有问题的,这些小晶体管对即使很小的电压变化也很敏感。因此,希望提供一种具有增强的低电压调节的IC。
技术实现思路
一种通常涉及电压调节的集成电路。在这种集成电路中有第一差分运放,其具有被配置为接收参考电压和反馈电压的第一增益。第二差分运放,其具有小于被配置为接收参考电压和反馈电压的第一增益的第二增益。驱动器晶体管,其被配置为在输出电压节点处提供输出电压并接收从第二差分运放输出的选通电压。第一差分运放的差分输出被配置为用于 ...
【技术保护点】
1.一种用于电压调节的集成电路,其特征在于,包括:/n第一差分运放,其具有被配置为接收参考电压和反馈电压的第一增益;/n第二差分运放,其具有小于所述被配置为接收所述参考电压和所述反馈电压的第一增益的第二增益;/n驱动器晶体管,其被配置为在输出电压节点处提供输出电压并接收从所述第二差分运放输出的选通电压;/n所述第一差分运放的差分输出被配置为用于选通所述第二差分运放的电流源晶体管;以及/n电容器,其连接到所述驱动器晶体管和所述电流源晶体管。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170831 US 15/693,0281.一种用于电压调节的集成电路,其特征在于,包括:
第一差分运放,其具有被配置为接收参考电压和反馈电压的第一增益;
第二差分运放,其具有小于所述被配置为接收所述参考电压和所述反馈电压的第一增益的第二增益;
驱动器晶体管,其被配置为在输出电压节点处提供输出电压并接收从所述第二差分运放输出的选通电压;
所述第一差分运放的差分输出被配置为用于选通所述第二差分运放的电流源晶体管;以及
电容器,其连接到所述驱动器晶体管和所述电流源晶体管。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,还包括电阻器,其耦接在所述第一差分运放的输出节点与所述电流源晶体管的栅极节点之间。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述电容器连接到所述驱动器晶体管的栅极节点和所述电流源晶体管的漏极节点。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其特征在于,还包括电阻器,其耦接在所述第一差分运放的输出节点与所述电流源晶体管的栅极节点之间。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其特征在于,还包括高通滤波器,其耦接在所述第一差分运放的所述输出节点与接地总线之间。
6.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,所述第一差分运放是差分折叠共源共栅运放。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其特征在于,所述第二差分运放是单级差分运放。
8.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,还包括阶梯电阻器,其连接在所述输出电压节点和所述接地总线之间,并且...
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