【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放射治疗系统和方法
本申请一般涉及放射治疗系统，更具体地说，涉及结合放射治疗和磁共振成像技术的图像引导放射治疗系统。
技术介绍
目前，肿瘤的放射治疗受到跟踪不同治疗期间肿瘤的变化(例如运动)的困难的影响。如今，各种成像技术可用于在每个治疗期之前或之内提供肿瘤的实时图像。例如，磁共振成像(MRI)装置可以与放射治疗装置结合使用以提供肿瘤的MRI图像。MRI装置和放射治疗装置的组合形成治疗装置，在布置MRI装置的组件时可能遇到困难(例如，至少两个主磁线圈，至少两个磁屏蔽线圈)并且在相对紧凑的空间中放射治疗装置(例如，直线加速器)不会引起干扰。因此，可能希望提供一种治疗装置，其提供高治疗质量并且还具有紧凑的结构。
技术实现思路
在本申请的第一方面，提供了一种放射治疗系统。该系统可包括磁共振成像(MRI)装置和放射治疗装置。MRI装置可以被配置用于获取关于感兴趣的区域(ROI)的MRI数据。磁共振成像装置可包括至少两个主磁线圈、至少两个磁屏蔽线圈，以及环形低温恒温器，其中至少两个主磁线圈和至少两个磁屏蔽线圈沿环形...
【技术保护点】
1.一个放射治疗系统，包括：/n磁共振成像装置，被配置用于获取感兴趣区域的磁共振成像数据，所述磁共振成像装置包括：/n至少两个主磁线圈；/n至少两个磁屏蔽线圈；以及/n环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴排列，所述至少两个磁屏蔽线圈被安排在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，所述环形低温恒温器还包括介于所述至少一个外壁和所述至少一个内壁之间的环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的开口；以及/n放射治疗装置，被配置用于放射治疗所述感兴趣...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一个放射治疗系统，包括：
磁共振成像装置，被配置用于获取感兴趣区域的磁共振成像数据，所述磁共振成像装置包括：
至少两个主磁线圈；
至少两个磁屏蔽线圈；以及
环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴排列，所述至少两个磁屏蔽线圈被安排在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，所述环形低温恒温器还包括介于所述至少一个外壁和所述至少一个内壁之间的环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的开口；以及
放射治疗装置，被配置用于放射治疗所述感兴趣区域的至少一部分，所述放射治疗装置包括：
直线加速器，被配置用于加速电子光束中的电子以产生放射治疗的光子束，所述直线加速器至少部分位于所述环形低温恒温器的所述环形凹槽内；
一个或以上个准直组件，被配置用于对放射治疗的所述光子束进行适形；
第一屏蔽结构，被配置用于为所述直线加速器和所述一个或以上准直组件中的至少一个提供磁屏蔽；以及
与所述第一屏蔽结构基本相同的至少一个第二屏蔽结构，所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的选定圆周位置。
2.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构位于所述第一磁屏蔽结构相对于所述轴的相对圆周位置处。
3.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器至少部分地被所述第一屏蔽结构包围，所述第一磁屏蔽结构为所述直线加速器提供无源磁屏蔽。
4.根据权利要求3所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽结构围绕所述直线加速器的轴形成半闭环。
5.根据权利要求4所述的放射治疗系统，其特征在于，所述半闭环包括沿着所述直线加速器的圆周方向布置的至少两个板。
6.根据权利要求3所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括两个环形磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构至少由两个第一磁屏蔽隔板连接所述两个环形磁屏蔽层形成。
7.根据权利要求6所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层围绕所述轴同轴。
8.根据权利要求7所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层沿着所述环形低温恒温器的所述轴排列并且彼此平行。
9.根据权利要求8所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括与所述两个环形磁屏蔽层连接的内磁屏蔽层和外磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构由所述两个环形磁屏蔽层、所述内磁屏蔽层、所述外磁屏蔽层、连接所述两个环形磁屏蔽层的所述两个第一磁屏蔽隔板组成。
10.根据权利要求9所述的放射治疗系统，其特征在于，所述外磁屏蔽层包括至少两个槽，并且所述至少两个槽中的至少一个槽位于与所述两个第一磁屏蔽隔板之一对应的位置。
11.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构包括多于两个第二屏蔽结构，并且所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构均匀分布在所述环形凹槽内。
12.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形低温恒温器包括至少两个腔室和颈部，所述至少两个腔室通过所述颈部连接并且彼此流体连通，所述环形凹槽至少由所述至少两个腔室和所述颈部所限定。
13.根据权利要求12所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形凹槽位于所述至少两个腔室之间，并且所述颈部的最外表面形成所述环形凹槽的最内层边界。
14.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，电子光束沿着与所述环形低温恒温器的所述轴平行的电子光束路径移动，并且所述放射治疗装置还包括：
靶；以及
光束偏转单元，被配置用于将所述电子从所述电子光束偏转到所述靶上，以产生所述放射治疗的光子束。
15.根据权利要求1的放射治疗系统，其特征在于，
所述环形低温恒温器包括：
环形凹面结构，具有在所述至少一个内壁处形成的开口；以及
所述放射治疗装置还包括：
多叶准直器，所述多叶准直器容纳在所述环形低温恒温器的所述环形凹面结构，并且被配置用于控制通过它的所述放射治疗的光子束的形状。
16.根据权利要求15所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少两个主磁线圈的一个或以上被布置为包围所述环形凹面结构，并且所述一个或以上的所述主磁线圈距所述轴的半径大于其余的所述主磁线圈距所述轴的半径。
17.根据权利要求15所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器通过两个或以上杆连接到所述直线加速器。
18.根据权利要求15所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器被配置用于沿着滑动结构在所述环形凹面结构内移动。
19.一个放射治疗系统，包括：
磁共振成像装置，被配置用于获取关于感兴趣区域的磁共振成像数据，所述磁共振成像装置包括：
至少两个主磁线圈；
至少两个磁屏蔽线圈；以及
环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴排列，所述至少两个磁屏蔽线圈被安排在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，所述环形低温恒温器还包括介于所述至少一个外壁和所述至少一个内壁之间的环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的开口；以及
放射治疗装置，被配置用于放射治疗所述感兴趣区域的至少一部分，所述放射治疗装置包括：
直线加速器，被配置用于加速沿着与所述轴平行的电子光束路径的电子光束中的电子，所述直线加速器至少部分位于所述低温恒温器的所述环形凹槽内；
靶；以及
光束偏转单元，被配置用于将所述电子从所述电子光束偏转到所述靶上，以产生放射治疗的光子束。
20.根据权利要求19所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形低温恒温器包括沿所述环形低温恒温器的所述轴布置的至少两个腔室，所述至少两个腔室通过颈部连接并且彼此保持流体连通，所述环形凹槽至少由所述至少两个腔室和所述颈部限定。
21.根据权利要求20所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形凹槽位于所述至少两个腔室之间，并且所述颈部的最外表面形成所述环形凹槽的最内层边界。
22.根据权利要求19所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置包括：
第一屏蔽结构，被配置用于为所述直线加速器提供磁屏蔽，其中所述第一屏蔽结构沿所述轴的方向连续分布，并沿所述轴的所述方向延伸以覆盖所述直线加速器的两端。
23.根据权利要求22所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括与所述第一屏蔽结构基本相同的至少一个第二屏蔽结构，其中所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的选定圆周位置。
24.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：倪成，余兴恩，刘艳芳，周婧劼，刘建锋，王理，汪鹏，张洋洋，
申请(专利权)人：上海联影医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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