一种陶瓷复合中框及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷复合中框及其制备方法，包括支撑构件、天线层和陶瓷边框，其中所述天线层通过第一塑料构件与所述支撑构件连接；所述陶瓷边框通过第二塑料构件与所述天线层连接。本发明专利技术陶瓷复合中框在第一塑料构件和第二塑料构件之间预留容纳天线的夹层，为天线和天线触点提供排布空间，实现了在陶瓷中框内添加天线触点，合理排布天线的目的，相比现有的针对陶瓷中框的天线布局方式更合理简单及节省内部空间，不会影响屏幕尺寸的设计，且由于第一塑料构件和第二塑料构件之间形成的牢靠结合面使得天线层不容易脱落，与现有技术相比取得了显著的进步。

A ceramic composite middle frame and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷复合中框及其制备方法
本专利技术属于电子产品零配件加工
，具体涉及一种陶瓷复合中框及其制备方法。
技术介绍
目前市场上的电子设备中框主要是金属中框和陶瓷中框。金属中框表面能实现的颜色效果很局限，可靠性不佳，同时为天线传输信号，需在金属中框上成型天线触点，需要通过纳米注塑、CNC精加工和阳极处理等流程，整体工艺流程复杂，耐用性差。而且，其金属中框的天线布局均采用以塑胶条隔断边框的方式进行排布，在外观上可以进行分辨，对外观效果影响较大。而采用陶瓷作为中框的外观面具有陶瓷温润如玉，坚硬耐磨的质感；同时通过陶瓷粉体可以实现彩色、哑光、釉瓷、炫彩等CMF外观效果，且耐用性佳。但是对于陶瓷中框，由于陶瓷本身材料属性，其强度高，加工难度大，难以直接在陶瓷中框上进行多种金属化设计方案，导致现有带陶瓷中框的电子产品，天线布局方式均为在屏幕下方留出天线的净空区，影响屏幕尺寸设计，其天线触点均安装在电子产品背板或屏幕下方。目前出现了采用直接在陶瓷边框内部做LDS天线的设计，但是存在结合力较差，天线边界线容易不清晰，且无法满足陶瓷边框后续加工性能需求的缺陷。因此，针对上述问题，目前迫切需求一种新的针对陶瓷中框的天线布局的解决方案。
技术实现思路
基于此，针对上述技术问题，本专利技术旨在提供一种陶瓷复合中框及其制备方法。为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用以下解决技术方案：一种陶瓷复合中框，包括:支撑构件，所述支撑构件为金属板；天线层，通过第一塑料构件与所述支撑构件连接；其中，所述第一塑料构件呈非闭合的环状，环绕所述支撑构件设置；陶瓷边框，通过第二塑料构件与所述天线层连接；其中，所述第二塑料构件呈环状，环绕所述陶瓷边框设置；更优选地，所述支撑构件设置有至少一个第一连接部，所述第一塑料构件设有与之匹配的第二连接部。所述第一连接部和第二连接部可以是相互配合的咬合结构或搭接结构。具体是，当所述第一连接部为台阶/凹槽时，所述第二连接部为与之匹配的凹槽/台阶，台阶和凹槽的数量可以是多个。所述第一塑料构件与支撑构件的连接面尺寸为35～200mm2，所述第一塑料构件底面积为100-800mm2。所述第一塑料构件的台阶深度为0.2-3.0mm，凹槽深度为不小于0.2mm，其质量控制为0.5-3.5g。更优选地，所述支撑构件为金属中板，主要起支撑电子产品内部电子器件的作用，也可以作为天线设计的一部分，比如作为天线接地点。其中，所述第一塑料构件与第二塑料构件之间具有夹层，所述夹层为所述天线提供容纳空间，与天线层匹配设计。更优选地，所述第一塑料构件和第二塑料构件之间的夹层空间为2.4mm3-32mm3，所述的夹层长为40-100mm，宽为0.3-0.8mm，深为0.2-0.4mm。优选地，所述天线层为金属层，厚度为0.05-0.3mm，若天线层厚度高于0.3mm，占有过多空间，提高电子产品设计难度，且增加陶瓷中框的重量，不利于移动终端的轻薄化的要求；若天线层厚度低于0.05mm，加工性能差，且容易造成天线层强度较弱，甚至导致天线层脱落。更优选地，所述天线层主体材料为铝金属。更优选地，所述天线层厚度为0.05mm时，其所设计的天线层体积为8-25mm3，其天线层重量为0.02～0.07g。更优选地，所述天线层厚度为0.1mm时，其所设计的天线层体积为16-50mm3，其天线层重量为0.04～0.14g。更优选地，所述天线层厚度为0.15mm时，其所设计的天线层体积为25-75mm3，其天线层重量为0.07～0.21g。更优选地，所述天线层厚度为0.2mm时，其所设计的天线层体积为30-100mm3，其天线层重量为0.08～0.28g。更优选地，所述天线层厚度为0.3mm时，其所设计的天线层体积为50～150mm3，其天线层重量为0.14～0.42g。优选地，所述天线层其具有凸台，所述凸台作为天线层与天线电路设计中的连接点(天线触点)，其高度为0.2-0.4mm。若凸台高度高于0.4mm，占据过多空间，提高电子产品设计难度；若低于0.2mm，其凸出高度不明显，容易造成天线连接线路接触不良。优选地，所述天线层侧面面积为50-300mm2，所述天线层长为45-50mm，宽为1-6mm，天线触点(凸台)数量为5-30个。所述天线层侧面可以理解为与手机背板底面垂直的天线层侧面。优选地，所述第一塑料构件构成材料和所述第二塑料构件的构成材料具有相同的主体，使得所述第一塑料构件与第二塑料构件之间能够形成牢靠的结合面。优选地，所述第二塑料构件构成材料的熔点温度高于或等于第一塑料构件构成材料的熔点温度。更优选地，所述第二塑料构件构成材料的熔点温度和第一塑料构件构成材料的的熔点温度差值≤30℃；更优选地，所述第二塑料构件构成材料的的熔点温度和第一塑料构件构成材料的的熔点温度差值为10℃-30℃。优选地，所述第一塑料构件与第二塑料构件的构成材料为PA、PARA、PBT、PC中的至少一种。更优选地，所述第一塑料构件的构成材料为PBT，所述第二塑料构件的构成材料为PA，熔点差值为15-25℃。更优选地，所述第一塑料构件的构成材料为PARA1#，所述第二塑料构件的构成材料为PC，熔点差值为0-20℃。更优选地，第一塑料构件构成材料为PBT，第二塑料构件构成材料为PARA1#，熔点差值为15-25℃；更优选地，第一塑料构件构成材料为PARA1#，第二塑料构件构成材料为PARA2#,熔点差值为10-30℃。所述的PARA1#和PARA2#为主体材料均为PARR，区别在于玻璃纤维含量不同，分别为30％和50％。本文中，本专利技术通过设置第一塑料构件的构成材料和第二塑料构件的构成材料之间具有一定的熔点差，能够强化连接面的粘合度。因为当第二塑料构件的构成材料熔点温度过低，就无法熔化第一塑料构件表面，达不到化学结合的效果，二者之间粘合不牢固；若第二塑料构件的构成材料熔点温度过高，则第一塑料构件会软化变形，严重时第二塑料构件会穿透第一塑料构件，导致加工失败。而专利技术人经过大量实验探索发现，当第一塑料构件的构成材料与第二塑料构件的构成材料之间熔点差值≤30℃时，塑料构件之间可形成牢靠的结合面，且外观较好，这种效果在第一塑料构件的构成材料与第二塑料构件的构成材料之间熔点差值为10℃-30℃时达到最优，这时，两者之间的结合力＞25Mpa，且加工后熔接线平滑，第一塑料构件结构无变化。本专利技术另一目的在于提供一种制备上述的陶瓷复合中框的方法，包括以下步骤：A)加工陶瓷中框，得到陶瓷中框的二次注塑结合面结构；所述陶瓷中框的加工，包括对陶瓷中框结合面处进行表面处理，以便陶瓷中框与注塑形成的第二塑料构件连接牢固，稳定可靠。B)加工支撑构件，包括对所述支撑构件进行一次注塑前结合结构加工形成第一连接部；对所述支撑构件作局部挖空处理预留天线层结构空间；所述支撑构件通过加工形成第一连接部，即本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷复合中框，其特征在于，包括:/n支撑构件，所述支撑构件为金属板；/n天线层，通过第一塑料构件与所述支撑构件连接；其中，所述第一塑料构件呈非闭合的环状，环绕所述支撑构件设置；/n陶瓷边框，通过第二塑料构件与所述天线层连接；其中，所述第二塑料构件呈环状，环绕所述陶瓷边框设置；/n其中，所述第一塑料构件与第二塑料构件之间具有夹层，所述夹层为所述天线提供容纳空间，与天线层匹配设计。/n

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷复合中框，其特征在于，包括:
支撑构件，所述支撑构件为金属板；
天线层，通过第一塑料构件与所述支撑构件连接；其中，所述第一塑料构件呈非闭合的环状，环绕所述支撑构件设置；
陶瓷边框，通过第二塑料构件与所述天线层连接；其中，所述第二塑料构件呈环状，环绕所述陶瓷边框设置；
其中，所述第一塑料构件与第二塑料构件之间具有夹层，所述夹层为所述天线提供容纳空间，与天线层匹配设计。


2.如权利要求1所述的陶瓷复合中框，其特征在于，所述天线层为金属层，其厚度为0.05-0.3mm。


3.如权利要求1所述的陶瓷复合中框，其特征在于，所述天线层具有凸台，其高度为0.2-0.4mm。


4.如权利要求1所述的陶瓷复合中框，其特征在于，所述第一塑料构件和第二塑料构件之间的夹层空间为2.4mm3-32mm3。


5.如权利要求1所述的陶瓷复合中框，其特征在于，所述支撑构件设置有至少一个第一连接部，所述第一塑料构件设有与之匹配的第二连接部。


6.如权利要求1所述的陶瓷复合中框，其特征在于，所述第一塑料构件和所述第二塑料构件的构成材料具有相同的主体。


7.如权利要求1所述的陶瓷复合中框，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈丽红，
申请(专利权)人：陈丽红，
类型：发明
国别省市：广东;44