【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置
本专利技术涉及等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置。
技术介绍
在半导体器件制造工序之一中，有时进行以下的基板处理，即，将基板搬入基板处理装置的处理室内，使用等离子体使供给到处理室内的原料气体和反应气体等活化，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或除去各种膜。为了促进堆积的薄膜的反应，或从薄膜除去杂质，或者辅助成膜原料的化学反应等，而使用等离子体(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-92637号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，如果产生因常年变化、未预期的原因造成的等离子体电极的劣化，则从等离子体生成部或激励种供给口等等离子体生成部周边产生电弧放电等异常放电，或产生等离子体的闪烁，但对这些异常状态的应对方法各自不同，因此有时需要严格地判定所产生的异常。本专利技术的目的在于：提供能够判定等离子体的异常的技术。<...
【技术保护点】
1.一种等离子体异常判定方法，其中，/n使用配置在处理室内的拍摄装置，拍摄向上述处理室内供给等离子体化了的气体的气体供给口，/n根据所拍摄的上述气体供给口的图像，检测等离子体的发光强度，/n根据检测出的发光强度，判定有无发生等离子体的异常放电和有无发生闪烁中的至少一方。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170814 JP 2017-1564711.一种等离子体异常判定方法，其中，
使用配置在处理室内的拍摄装置，拍摄向上述处理室内供给等离子体化了的气体的气体供给口，
根据所拍摄的上述气体供给口的图像，检测等离子体的发光强度，
根据检测出的发光强度，判定有无发生等离子体的异常放电和有无发生闪烁中的至少一方。
2.根据权利要求1所述的等离子体异常判定方法，其中，
在上述检测出的发光强度是阈值以上的情况下，判定为发生了上述等离子体的异常放电。
3.根据权利要求1所述的等离子体异常判定方法，其中，
在上述检测出的发光强度小于阈值，且上述检测出的发光强度的最大值与最小值之间存在预先设定的范围以上的差的情况下，判定为发生了上述等离子体的闪烁。
4.一种半导体器件的制造方法，其中，该制造方法包括：
经由形成在缓冲构造的壁面上的气体供给口，向处理基板的处理室内供给等离子体化了的气体的工序，上述缓冲构造形成生成等离子体的缓冲室；
向上述基板供给上述等离子体化了的气体，处理上述基板的工序；
使用配置在上述处理室内的拍摄装置，拍摄上述气体供给口的工序；
根据所拍摄的上述气体供给口的图像，检测等离子体的发光强度的工序；
根据检测出的发光强度，判定有无发生等离子体的异常放电和有无发生闪烁中的至少一方的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
在对上述供给等离子体化了的气体的工序和上述处理基板的工序实施了规定次数后，进行拍摄上述气体供给口的工序。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
在上述判定的工序中判定为没有发生上述等离子体的异常放电和上述闪烁的情况下，将上述基板搬入上述处理室内，进行上述处理基板的工...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹田刚，西野达弥，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。