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等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置制造方法及图纸
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下载等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置的技术资料
文档序号:24021484
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本发明提供一种能够判定等离子体的异常的技术。提供以下的技术,即,使用配置在处理室内的拍摄装置,拍摄向上述处理室内供给等离子体化了的气体的气体供给口,根据所拍摄的上述气体供给口的图像,检测等离子体的发光强度,根据检测出的发光强度,判定有无发生...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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