用于印刷电路板的半加成方法技术

一种电路板具有电介质芯、箔顶表面和薄箔底表面，其中，箔背衬的厚度足以吸收来自激光钻孔操作的热量，以防止在激光钻孔期间贯穿薄箔底表面。执行一系列步骤，所述一系列步骤包括激光钻孔步骤、去除箔背衬步骤、化学镀步骤、图案化抗蚀剂步骤、电镀步骤、抗蚀剂剥离步骤、镀锡步骤、和铜蚀刻步骤，这些步骤提供了细线宽和分辨率的点通孔。

Semi addition method for PCB

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于印刷电路板的半加成方法专利
本专利技术涉及电路板和相关的制造方法。具体而言，本专利技术涉及用于形成细间距通孔(vias)和相关细间距迹线的电路板和方法。专利技术背景现有技术的印刷电路板(PCB)是使用在介电衬底上形成的导电金属互连(被称为“迹线”)来形成的。在电路板上形成导电洞，以桥接介电衬底相对侧面上的迹线，其中，具有较大直径并可用于安装元件的导电洞被称为“穿孔(throughholes)”，并且用于互连在相对侧面上的迹线的最小直径导电洞被称为“点通孔”(在迹线形成之前)或简称为“通孔”(在迹线形成之后)。每个承载迹线导体的表面被称为“层”，并且在一个表面上或两个表面上形成有迹线的每个介电衬底形成“基板(sub)”，基板是多层板的基本子组件。通过堆叠若干这样的基板(每个基板包括电介质芯，该电介质芯具有迹线和散布有裸介电层的互连通孔)并且在温度和压力下将基板层压在一起，可以形成多层印刷电路。介电衬底可以包括嵌在纤维基体(诸如被编织到布内的玻璃纤维)中的环氧树脂。现有技术电路板制造的一个困难是形成深(高纵横比)通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在层压板上形成细间距点通孔的方法，所述层压板具有结合到所述层压板的底部薄箔、与所述底部薄箔相邻的相对较厚的背衬箔、以及任选的薄顶部箔，所述方法包括：/n激光钻出穿过所述层压板的顶表面到所述底部薄箔的盲通孔，任选地，还钻出贯穿所述层压板、所述底部薄箔和所述背衬箔的穿孔；/n去除所述背衬箔；/n用催化剂处理激光钻出的通孔和钻出的孔的表面；/n对任选的顶箔表面和底箔表面、所述通孔的内表面、以及任选地钻出的穿孔的内表面进行化学镀；/n在所述顶表面和底表面上施加图案化的抗蚀剂；/n电镀所述电路板，直到铜沉积到低于所述图案化的抗蚀剂的水平为止；/n对所述电路板的暴露的铜区域进行镀锡；/n剥离所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170710 US 15/645,9211.一种用于在层压板上形成细间距点通孔的方法，所述层压板具有结合到所述层压板的底部薄箔、与所述底部薄箔相邻的相对较厚的背衬箔、以及任选的薄顶部箔，所述方法包括：
激光钻出穿过所述层压板的顶表面到所述底部薄箔的盲通孔，任选地，还钻出贯穿所述层压板、所述底部薄箔和所述背衬箔的穿孔；
去除所述背衬箔；
用催化剂处理激光钻出的通孔和钻出的孔的表面；
对任选的顶箔表面和底箔表面、所述通孔的内表面、以及任选地钻出的穿孔的内表面进行化学镀；
在所述顶表面和底表面上施加图案化的抗蚀剂；
电镀所述电路板，直到铜沉积到低于所述图案化的抗蚀剂的水平为止；
对所述电路板的暴露的铜区域进行镀锡；
剥离所述图案化的抗蚀剂；
将所述暴露的铜区域快速蚀刻到下层层压板；
任选地蚀刻所述镀锡。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底部薄箔或所述任选的顶部薄箔是厚度约为0.12密耳至0.15密耳的铜箔。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述激光钻出的通孔的直径小于5密耳。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学镀和所述电镀沉积铜。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述催化剂是下列项中的至少一项：钯(Pd)、铂(Pt)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、钴(Co)、铜(Cu)、铁(Fe)、锰(Mn)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或锡(Sn)。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述用催化剂处理所述激光钻出的通孔和钻出的孔的表面包括所述电介质具有在所述激光钻孔步骤期间暴露的催化微粒。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学镀步骤在所述底部薄箔或所述任选的顶部薄箔上沉积约0.06密耳至0.12密耳厚度的铜。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化的抗蚀剂是光学曝光的干膜。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述快速蚀刻步骤使用铵基蚀刻剂，所述铵基蚀刻剂包括氯化铵或硫酸铵中的至少一。


10.一种用于在电路板上形成通孔和迹线的方法，所述电路板包括催化层压板，所述催化层压板具有结合到所述催化层压板的底部薄箔、施加到所述底部薄箔的相对较厚的能够去除的背衬箔、和任选的顶部箔，所述催化层压板具有催化剂的微粒，使得能够在已经被钻孔的表面上进行化学镀，所述方法包括：
激光钻出穿过所述催化层压板的顶表面到所述底部薄箔而不贯穿所述底部薄箔的盲通孔，任选地，还钻出贯穿所述层压板、底部薄箔和底部背衬箔的穿孔；
去除所述底部背衬箔；
对所述底部薄箔、任选的顶部箔、通孔表面和穿孔表面进行化学镀，以形成电连续的导电层；
向所述顶表面和底表面施加图案化的抗蚀剂；
电镀所述电路板，直到铜在暴露的铜区域上沉积到低于所述图案化的抗蚀剂的水平为止；
对所述电路板的暴露的铜区域进行镀锡；
剥离所述图案化的抗蚀剂；
蚀刻所述暴露的铜区域，直到电镀的铜和下层薄箔被去除为止；
任选地蚀刻所述镀锡；
任选地将附加的电介质层和箔层层压到所述电路板的所述顶表面或底表面。


11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述底部薄箔或所述任选的顶部薄箔的厚度约为0.12至0.15密耳。


12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述用催化剂处理所述激光钻出的通孔和钻出的孔的表面包括所述电介质具有在所述激光钻孔步骤期间暴露的催化微粒。

【专利技术属性】
技术研发人员：肯尼斯·S·巴尔，康斯坦丁·卡拉瓦克斯，
申请(专利权)人：卡特拉姆有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US