【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用蚀刻剂和中和气体制备光纤预制件的方法和炉本申请要求于2017年10月26日提交的荷兰专利申请第2019811号的优先权，后者要求于2017年8月29日提交的美国临时申请序列第62/551,372号的优先权，其内容是本申请的基础，并通过引用完整地纳入本文。专利
本公开涉及光学预制件炉，更具体地涉及装有中和气体系统的光学预制件炉。背景在形成多模光学预制件时，可以使用蚀刻剂执行中心线蚀刻步骤，以去除预制件的中心线含氧化硅层。在其他实施方式中，纤芯预制件可能在随后的处理中形成中心线种子，这可能不利地影响从这些预制件拉制的光纤的性能和成品率。为了解决这些预制件中的种子问题，可以在预制件固结之后，使用穿过中心线的蚀刻剂蚀刻中心线。中心线中使用的蚀刻剂被输送到炉中，预制件就定位在该炉内。除了蚀刻预制件，蚀刻剂还会蚀刻掉炉内的马弗(muffle)，从而导致马弗寿命显著降低。专利技术概述根据本公开的一个方面，一种制备光学预制件的方法包括以下步骤：将包含氧化硅的光学预制件放置在炉腔内；将蚀刻剂气体通入炉中...
【技术保护点】
1.一种制备光学预制件的方法，包括以下步骤：/n将包含氧化硅的光学预制件放置在炉腔内；/n将蚀刻剂气体通入炉中，并使蚀刻剂气体从光学预制件内限定的开放通道中通过和/或从光学预制件周围通过；以及/n将中和气体通入炉腔，所述中和气体被配置成中和蚀刻剂气体。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171026 NL 2019811;20170829 US 62/551,3721.一种制备光学预制件的方法，包括以下步骤：
将包含氧化硅的光学预制件放置在炉腔内；
将蚀刻剂气体通入炉中，并使蚀刻剂气体从光学预制件内限定的开放通道中通过和/或从光学预制件周围通过；以及
将中和气体通入炉腔，所述中和气体被配置成中和蚀刻剂气体。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
用所述蚀刻剂气体蚀刻所述光学预制件的开放通道。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，通入蚀刻剂气体的步骤进一步包括：
使所述蚀刻剂气体通过所述光学预制件的中心线。
4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：
靠近所述光学预制件的所述开放通道的出口将所述中和气体通入所述炉腔。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，通入中和气体的步骤进一步包括以下步骤：
通入中和气体，其流速使得进入炉的蚀刻剂气体与进入炉的中和气体的摩尔比为＞0且≤2。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，通入中和气体的步骤进一步包括以下步骤：
通入中和气体，其流速使得进入炉的蚀刻剂气体与进入炉的中和气体的摩尔比＞0且≤1，其中中和气体包含SiCl4，蚀刻剂气体包含SF6。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
将炉加热到约1000℃或更高。
8.一种操作炉的方法，包括以下步骤：
将光学预制件放置在炉的马弗内；
将含氟蚀刻剂气体以第一摩尔流速通入炉中并穿过光学预制件的中心线通道；以及
将含硅中和气体以第二摩尔流速通入炉腔，所述含硅中和气体被配置成中和蚀刻剂气体，其中进入炉中的第一摩尔流速与进入炉中的第二摩尔流速之比为约0至约2。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：
将所述炉加热到约1000℃至约1600℃的温度。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·C·布克宾德，R·M·菲亚克，P·坦登，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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