硅芯片压力感应装置及设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于压力感应技术领域，涉及硅芯片压力感应装置及设备。在硅芯片压力感应装置中，刚性结构包括间隔设置的刚性块，相邻两个刚性块之间形成应变放大区，在应变放大区的两个安装面分别设置两个第一硅压力感应芯片，四个第一硅压力感应芯片连接形成第一全桥电路。在使用时将刚性结构贴合在被测物体上，被测物体受力变形，刚性结构的应变集中在应变放大区，第一硅压力感应芯片产生形变并由第一全桥电路输出信号，第一全桥电路电连接于信号处理电路，进而检测刚性结构的形变并得出被测物体的作用力。该硅芯片压力感应装置及具有该硅芯片压力感应装置的设备，容易制作与安装，可以灵敏地检测被测物体的微小形变，精准识别压力。

Silicon chip pressure sensing device and equipment

【技术实现步骤摘要】
硅芯片压力感应装置及设备
本技术属于压力感应
，涉及硅芯片压力感应装置及具有该硅芯片压力感应装置的设备。
技术介绍
硅芯片压力传感器在压力感应领域有着广泛的应用，可以检测被测物体在一定程度的形变。硅有着极高的应变系数，但是如何充分利用这个高应变系数一直是一个难题，目前多在芯片内部做结构来对压力感应进行放大，然而，现有的硅芯片压力传感器的灵敏度不够高，制作与安装麻烦。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种硅芯片压力感应装置，以解决现有的硅芯片压力传感器的灵敏度不够高，制作与安装麻烦的技术问题。本技术实施例提供一种硅芯片压力感应装置，包括：刚性结构，用于与被测物体贴合且跟随被测物体变形，所述刚性结构包括沿X轴间隔设置的刚性块，相邻两个所述刚性块之间形成应变放大区，所述刚性结构具有两个在Z轴上相对设置的安装面，其中一个所述安装面作为与被测物体的贴合面；以及第一硅压力感应芯片，至少一个所述应变放大区的两个所述安装面分别设置有两个所述第一硅压力感应芯片，对应于同一个所述应变放大区的四个所述第一硅压力感应芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.硅芯片压力感应装置，其特征在于，包括：/n刚性结构，用于与被测物体贴合且跟随被测物体变形，所述刚性结构包括沿X轴间隔设置的刚性块，相邻两个所述刚性块之间形成应变放大区，所述刚性结构具有两个在Z轴上相对设置的安装面，其中一个所述安装面作为与被测物体的贴合面；以及/n第一硅压力感应芯片，至少一个所述应变放大区的两个所述安装面分别设置有两个所述第一硅压力感应芯片，对应于同一个所述应变放大区的四个所述第一硅压力感应芯片连接形成第一全桥电路，位于同一所述安装面上的两个所述第一硅压力感应芯片作为一组相对桥臂；所述第一全桥电路电连接于信号处理电路以检测所述刚性结构的形变并得出被测物体的作用力。/n

【技术特征摘要】
1.硅芯片压力感应装置，其特征在于，包括：
刚性结构，用于与被测物体贴合且跟随被测物体变形，所述刚性结构包括沿X轴间隔设置的刚性块，相邻两个所述刚性块之间形成应变放大区，所述刚性结构具有两个在Z轴上相对设置的安装面，其中一个所述安装面作为与被测物体的贴合面；以及
第一硅压力感应芯片，至少一个所述应变放大区的两个所述安装面分别设置有两个所述第一硅压力感应芯片，对应于同一个所述应变放大区的四个所述第一硅压力感应芯片连接形成第一全桥电路，位于同一所述安装面上的两个所述第一硅压力感应芯片作为一组相对桥臂；所述第一全桥电路电连接于信号处理电路以检测所述刚性结构的形变并得出被测物体的作用力。


2.如权利要求1所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，所述硅芯片压力感应装置还包括设置于所述刚性块上且与所述第一硅压力感应芯片对应靠近设置的第二硅压力感应芯片；至少两个相邻设置的所述应变放大区的两个所述安装面分别设置有两个所述第一硅压力感应芯片；
相邻于所述应变放大区的每一个所述刚性块的两个所述安装面分别设置有一个所述第二硅压力感应芯片，相邻于同一个所述应变放大区的两个所述刚性块上的四个所述第二硅压力感应芯片连接的第二全桥电路，位于同一所述安装面上的两个所述第二硅压力感应芯片作为一组相对桥臂；所述第二全桥电路与所述第一全桥电路对应以使该第二全桥电路的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李灏，
申请(专利权)人：深圳纽迪瑞科技开发有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44