深最高占用分子轨道（HOMO）发射体装置结构制造方法及图纸

所公开主题涉及深最高占用分子轨道homo发射体装置结构。所公开主题的实施例提供一种有机发光二极管OLED，其具有阳极、阴极、安置于所述阳极与所述阴极之间的发射层以及安置于所述发射层与所述阴极之间的空穴阻挡层。所述发射层可以包括磷光掺杂剂，其中所述磷光掺杂剂在室温下在0.5％掺杂聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA薄膜中具有伴随大于或等于600nm的峰值最大波长的发射。所述磷光掺杂剂的最高占用分子轨道HOMO能量可以小于或等于‑5.1eV，并且所述空穴阻挡层的HOMO能量比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.1eV。

Structure of Homo emitter

【技术实现步骤摘要】
深最高占用分子轨道(HOMO)发射体装置结构相关申请的交叉参考本申请要求2018年10月23日提交的美国专利申请第62/749,290号的优先权，其全部内容以引入的方式并入本文中。
本专利技术涉及供用作发射体的化合物；和包括其的装置，如有机发光二极管。
技术介绍
出于多种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说，有机发射层发射光的波长通常可以容易地用适当的掺杂剂来调节。OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中描述若干OL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管OLED，其包含：/n阳极；/n阴极；/n安置于所述阳极与所述阴极之间的发射层；和/n安置于所述发射层与所述阴极之间的空穴阻挡层，/n其中所述发射层包含磷光掺杂剂，/n其中所述磷光掺杂剂在室温下在0.5％掺杂聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA薄膜中具有伴随大于或等于600nm的峰值最大波长的发射，/n其中所述磷光掺杂剂的最高占用分子轨道HOMO能量小于或等于-5.1eV，并且/n其中所述空穴阻挡层的HOMO能量比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.1eV。/n

【技术特征摘要】
20181023 US 62/749,290;20191009 US 16/596,9481.一种有机发光二极管OLED，其包含：
阳极；
阴极；
安置于所述阳极与所述阴极之间的发射层；和
安置于所述发射层与所述阴极之间的空穴阻挡层，
其中所述发射层包含磷光掺杂剂，
其中所述磷光掺杂剂在室温下在0.5％掺杂聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA薄膜中具有伴随大于或等于600nm的峰值最大波长的发射，
其中所述磷光掺杂剂的最高占用分子轨道HOMO能量小于或等于-5.1eV，并且
其中所述空穴阻挡层的HOMO能量比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.1eV。


2.根据权利要求1所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂的所述峰值最大波长选自由以下组成的群组：大于或等于610nm、大于或等于620nm、大于或等于630nm、大于或等于650nm、大于或等于700nm、大于或等于750nm和大于或等于800nm。


3.根据权利要求1所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂的HOMO能量选自由以下组成的群组：小于或等于-5.2eV、小于或等于-5.3eV和小于或等于-5.4eV。


4.根据权利要求1所述的OLED，其中所述空穴阻挡层的HOMO能量选自由以下组成的群组：比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.2eV、比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.3eV和比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.4eV。


5.根据权利要求1所述的OLED，其中所述空穴阻挡层包含式I化合物，其为选自由以下组成的群组的至少一种：



其中R1和R2各自独立地表示单取代到最大可允许的取代或无取代，
其中每个R1和R2独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸基、醚基、酯基、腈基、异腈基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，
其中Y选自由以下组成的群组：O、S、Se、NAr4、CAr4Ar5、SiAr4Ar5、芴(C-Ar1Ar2)和硅(Si-Ar1Ar2)，并且其中Ar1和Ar2是相同或不同芳基，
其中每个Ar1-Ar5独立地选自由以下组成的群组：芳基、杂芳基和其组合，并且其中L为直接键或包含至少一个芳环的连接基团。


6.根据权利要求5所述的OLED，其中Y选自由以下组成的群组：O、S和NAr4。


7.根据权利要求1所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂是具有金属-碳键的金属配位络合物。


8.根据权利要求7所述的OLED，其中所述金属选自由以下组成的群组：Ir、Os、Pt、Pd、Ag、Au和Cu。


9.根据权利要求7所述的OLED，其中所述金属配位络合物包含包括选自由以下组成的群组的化学部分的配体：哒嗪、嘧啶、吡嗪和三嗪。


10.根据权利要求7所述的OLED，其中所述金属配位络合物具有式M(L1)x(L2)y(L3)z，
其中L1、L2和L3能够相同或不同，
其中x是1、2或3，
其中y是0、1或2，
其中z是0、1或2，
其中x+y+z是所述金属M的氧化态，
其中L1、L2和L3各自独立地...

【专利技术属性】
技术研发人员：瓦季姆·阿达莫维奇，埃里克·A·玛格里斯，皮埃尔吕克·T·布德罗，
申请(专利权)人：环球展览公司，
类型：发明
国别省市：美国;US