倒装芯片型发光二极管芯片制造技术

本发明专利技术揭示一种倒装芯片型发光二极管芯片，包括：基板；第一导电型半导体层；台面，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到第二导电型半导体层上；接触电极，沿横向远离台面而配置到第一导电型半导体层上；电流扩散器，电连接到透明电极；第一绝缘反射层，具有使接触电极及电流扩散器的一部分露出的开口部，包括分布布勒格反射器；第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于第一绝缘反射层上，通过开口部分别连接到所述接触电极及电流扩散器；以及第二绝缘反射层，配置到基板的下部，包括分布布勒格反射器；第二绝缘反射层远离第一绝缘反射层。本发明专利技术可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光，从而可减少因金属层产生的光损耗。

Flip chip LED chip

【技术实现步骤摘要】
倒装芯片型发光二极管芯片
本专利技术涉及一种倒装芯片型发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管利用在背光单元(BackLightUnit，BLU)、普通照明及电子设备等各种产品，也利用在各种小型家电产品及室内装饰产品。进而，发光二极管不仅简单地用作光源，而且还可用作传达信息、唤起美感的用途等各种用途。另一方面，为了提供高效率的发光二极管，通常制作倒装芯片型发光二极管。倒装芯片型发光二极管的散热性能优异，可利用反射层提高光提取效率。另外，由于利用倒装芯片接合技术，因此可省略接线，从而提高发光装置的稳定性。在将倒装芯片型发光二极管使用在背光单元时，产生光直线性地朝向上方射出的问题。因此，会在显示面产生斑点现象。为了防止这种情况，使用在发光二极管的上部配置扩散板或滤波器等而使光分散的技术，但无法避免光损耗。另一方面，倒装芯片型发光二极管为了反射光而通常利用金属反射层。金属反射层一并具有欧姆特性及反射特性，因此可同时达成电连接与光反射。然而，金属反射层的反射率相对较低，因此产生非常大的光损耗。进而，会产生因长时间使用发光二极管而金属反射层的反射率减小的问题。因此，要求一种可减少因使用金属反射层引起的光损耗的倒装芯片型发光二极管。
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]本专利技术要解决的问题在于提供一种即便不使用扩散板或滤波器也可使光分散到较广的区域的倒装芯片型发光二极管芯片。本专利技术要解决的另一问题在于提供一种可减少因金属反射层引起的光损耗而提高光效率的倒装芯片型发光二极管芯片。本专利技术要解决的又一问题在于提供一种指向角因方向而异的倒装芯片型发光二极管芯片。本专利技术要解决的又一问题在于提供一种构造简单的小型化发光二极管芯片。[解决问题的手段]本专利技术的一实施例的倒装芯片型发光二极管芯片包括：基板；第一导电型半导体层，位于所述基板上；台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；接触电极，沿横向远离所述台面而配置到所述第一导电型半导体层上，欧姆接触到所述第一导电型半导体层；电流扩散器，配置到所述透明电极的一部分区域上而电连接到所述透明电极；第一绝缘反射层，覆盖所述基板、所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述接触电极及所述电流扩散器，具有使所述接触电极及电流扩散器的一部分露出的开口部，包括分布布勒格反射器；第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述第一绝缘反射层上，通过所述开口部分别连接到所述接触电极及电流扩散器；以及第二绝缘反射层，配置到所述基板的下部，包括分布布勒格反射器；所述第二绝缘反射层远离所述第一绝缘反射层。[专利技术效果]根据本专利技术的实施例，可提供一种通过采用第一绝缘反射层及第二绝缘反射层而以侧面射出光的发光二极管芯片。进而，可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光，从而可减少因金属层产生的光损耗。另外，将接触电极及电流扩散器与焊垫电极分离形成，由此可提供一种构造简单且可提高可靠性的倒装芯片型发光二极管芯片。可通过以下说明的详细说明而明确地理解本专利技术的其他特征及优点。附图说明图1是用以说明本专利技术的一实施例的发光二极管芯片的概略性俯视图。图2是沿图1的切线A-A获得的剖面图。图3是用以说明图1中所露出的基板上表面的概略性俯视图。图4a及图4b是用以说明本专利技术的实施例的第一绝缘反射层与第二绝缘反射层的相对位置关系的概略性剖面图。图5a及图5b是用以说明基板侧面的倾斜度的概略性侧视图。图6a及图6b是表示与是否使用第二绝缘反射层对应的长轴方向(X轴)及短轴方向(Y轴)的指向角的曲线图。附图标号说明21：基板；21R：粗糙表面；23：第一导电型半导体层；25：活性层；27：第二导电型半导体层；30：发光构造体；31：透明电极；33：接触电极；35：电流扩散器；35a：连接垫；35b：延伸部；37：第一绝缘反射层；37a、37b：开口部；37c、41c：短波长DBR；37d、41d：保护层；39a：第一焊垫电极；39b：第二焊垫电极；41：第二绝缘反射层；37A、41a：界面层；37B、41b：长波长DBR；A-A：切线；L1：纵向长度；L2：横向长度；M：台面；W1、W2：宽度。具体实施方式以下，参照附图，详细地对本专利技术的实施例进行说明。以下介绍的实施例是为了可向本专利技术所属的
内的普通技术人员充分地传达本专利技术的思想而作为示例提供。因此，本专利技术并不限定于以下说明的实施例，也可具体化成其他方式。并且，在附图中，方便起见，也可夸张地表示构成要素的宽度、长度、厚度等。另外，在记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或“上方”的情况下，不仅包括各部分位于另一部分的“正上部”或“正上方”的情况，而且包括在各构成要素与另一构成要素之间介置有其他构成要素的情况。在整篇说明书中，相同的参照符号表示相同的构成要素。根据本专利技术的一实施例，提供一种倒装芯片型发光二极管芯片，其包括：基板；第一导电型半导体层，位于所述基板上；台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；接触电极，沿横向远离所述台面而配置到所述第一导电型半导体层上，欧姆接触到所述第一导电型半导体层；电流扩散器，配置到所述透明电极的一部分区域上而电连接到所述透明电极；第一绝缘反射层，覆盖所述基板、所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述接触电极及所述电流扩散器，具有使所述接触电极及电流扩散器的一部分露出的开口部，包括分布布勒格反射器；第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述第一绝缘反射层上，通过所述开口部分别连接到所述接触电极及电流扩散器；以及第二绝缘反射层，配置到所述基板的下部，包括分布布勒格反射器；所述第二绝缘反射层远离所述第一绝缘反射层。所述接触电极与所述电流扩散器可具有相同的层构造。例如，所述接触电极及电流扩散器可包括欧姆接触到第一导电型半导体层的欧姆金属层及反射光的金属反射层。另外，所述接触电极与所述电流扩散器可包括防扩散层，由此可防止金属原子从焊垫电极扩散。另一方面，所述电流扩散器可包括连接垫及从所述连接垫延伸的延伸部，所述第一绝缘反射层的开口部可位于所述连接垫上，所述第二焊垫电极通过所述开口部连接到所述连接垫。进而，所述电流扩散器具有所述透明电极的面积的1/10以下的面积。未由所述电流扩散器覆盖的透明电极的区域由第一绝缘反射层覆盖，由此可减少由电流扩散器引起的光损耗。所述接触电极及电流扩散器的厚度可大于所述台面的厚度。另外，所述接触电极与所述台面之间的横向相隔距离可大于所述第一绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n基板；/n第一导电型半导体层，位于所述基板上；/n台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；/n透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；/n接触电极，沿横向远离所述台面而配置到所述第一导电型半导体层上，欧姆接触到所述第一导电型半导体层；/n电流扩散器，配置到所述透明电极的一部分区域上而电连接到所述透明电极；/n第一绝缘反射层，覆盖所述基板、所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述接触电极及所述电流扩散器，具有使所述接触电极及所述电流扩散器的一部分露出的开口部，包括分布布勒格反射器；/n第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述第一绝缘反射层上，通过所述开口部分别连接到所述接触电极及所述电流扩散器；以及/n第二绝缘反射层，配置到所述基板的下部，包括分布布勒格反射器；/n所述第二绝缘反射层远离所述第一绝缘反射层。/n

【技术特征摘要】
20181023 KR 10-2018-01269121.一种倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，包括：
基板；
第一导电型半导体层，位于所述基板上；
台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；
透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；
接触电极，沿横向远离所述台面而配置到所述第一导电型半导体层上，欧姆接触到所述第一导电型半导体层；
电流扩散器，配置到所述透明电极的一部分区域上而电连接到所述透明电极；
第一绝缘反射层，覆盖所述基板、所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述接触电极及所述电流扩散器，具有使所述接触电极及所述电流扩散器的一部分露出的开口部，包括分布布勒格反射器；
第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述第一绝缘反射层上，通过所述开口部分别连接到所述接触电极及所述电流扩散器；以及
第二绝缘反射层，配置到所述基板的下部，包括分布布勒格反射器；
所述第二绝缘反射层远离所述第一绝缘反射层。


2.根据权利要求1所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，
所述接触电极与所述电流扩散器具有相同的层构造。


3.根据权利要求2所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，
所述电流扩散器包括连接垫及从所述连接垫延伸的延伸部，
所述第一绝缘反射层的所述开口部位于所述连接垫上，
所述第二焊垫电极通过所述开口部连接到所述连接垫。


4.根据权利要求3所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，
所述电流扩散器具有所述透明电极的面积的1/10以下的面积。


5.根据权利要求2所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，
所述接触电极及所述电流扩散器的厚度大于所述台面的厚度。


6.根据权利要求2所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，
所述接触电极及所述电流扩散器包括用以欧姆接触到所述第一导电型半导体层的欧姆金属层、及用以反射在所述活性层产生的光的金属反射层。


7.根据权利要求1所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，
所述接触电极与所述台面之间的横向相隔距离大于所述第一绝缘反射层及所述第二绝缘反射层的厚度。


8.根据权利要求1所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其特征在于，
所述第一绝缘反射层及所述第二绝缘反射层各别包括短波长分布布勒格反射器及长波长分布布勒格反射器，所述第一绝缘反射层的所述长波长分布布勒格反射器与所述第二绝缘反射层的所述长波长分布布勒格反射器分别较所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珍雄，金京完，朴泰俊，禹尙沅，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR