用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻制造技术

本发明专利技术题为“用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻”。本发明专利技术提供了一种半导体晶体管器件，该半导体晶体管器件包括GaN晶体管，该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，GaN晶体管具有驱动电压，该驱动电压施加在栅极和源极两端，并且被配置为在与GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。半导体晶体管器件还包括可变栅极‑源极电阻器，该可变栅极‑源极电阻器连接在栅极和源极之间并具有可变电阻，该可变电阻响应于驱动电压当在GaN晶体管的导通状态和关断状态之间切换时的变化而改变。

Variable resistance for reducing gate voltage oscillation in Gan transistors

【技术实现步骤摘要】
用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻
本说明书涉及氮化镓晶体管器件中栅极电压振荡的降低。
技术介绍
氮化镓(GaN)晶体管在构建集成电路方面提供了许多优势。例如，与传统的硅基晶体管相比，GaN晶体管对于特定的导通电阻和击穿电压通常具有较小的尺寸。此外，与用于构建晶体管的其他选项相比，GaN晶体管通常在实现高功率、高频、高电压和/或高温应用方面提供优势。
技术实现思路
根据一个总体方面，一种半导体晶体管器件包括GaN晶体管，该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，该GaN晶体管具有驱动电压，该驱动电压施加在栅极和源极两端，并且被配置为在与GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。半导体晶体管器件还包括可变栅极-源极电阻器，该可变栅极-源极电阻器连接在栅极和源极之间并具有可变电阻，该可变电阻响应于驱动电压当在GaN晶体管的导通状态和关断状态之间切换时的变化而改变。一个或多个实施方式的细节在随附附图和以下描述中阐明。其他特征将从说明书和附图中以及从权利要求书中显而易见。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶体管器件，包括：/nGaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，所述GaN晶体管具有驱动电压，所述驱动电压施加在所述栅极和所述源极两端，并且被配置为在与所述GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与所述GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换；和/n可变栅极-源极电阻器，所述可变栅极-源极电阻器连接在所述栅极和所述源极之间并具有可变电阻，所述可变电阻响应于所述驱动电压当在所述GaN晶体管的所述导通状态和所述关断状态之间切换时的变化而改变。/n

【技术特征摘要】
20181024 US 16/169,5501.一种半导体晶体管器件，包括：
GaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，所述GaN晶体管具有驱动电压，所述驱动电压施加在所述栅极和所述源极两端，并且被配置为在与所述GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与所述GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换；和
可变栅极-源极电阻器，所述可变栅极-源极电阻器连接在所述栅极和所述源极之间并具有可变电阻，所述可变电阻响应于所述驱动电压当在所述GaN晶体管的所述导通状态和所述关断状态之间切换时的变化而改变。


2.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述可变电阻在所述切换的切换频率范围内随所述驱动电压的幅度直接改变。


3.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述可变电阻响应于所述驱动电压的频率的增加而降低。


4.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述可变栅极-源极电阻器包括电阻介电区，所述电阻介电区的长度短于阈值长度，以使得所述可变栅极-源极电阻器的所述可变电阻随所述GaN晶体管的所述驱动电压而直接改变，并且随所述驱动电压的驱动频率而间接改变。


5.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，还包括连接在所述GaN晶体管的所述栅极处的栅极电阻器，其中，所述栅极电阻器的电阻值随所述驱动电压的驱动频率而直接改变。


6.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述驱动电压响应于在所述导通状态和所述关断状态之间的转换而振荡，电压振荡具有高于所述驱动电压的切换频率的谐振频率，并且所述可变栅极-源极电阻器被配置为相...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·罗伊格吉塔特，A·康斯坦特，F·J·G·德克勒克，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US