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本发明题为“用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻”。本发明提供了一种半导体晶体管器件，该半导体晶体管器件包括GaN晶体管，该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，GaN晶体管具有驱动电压，该驱动电压施加在栅极和源极两端，并且被配置为在与...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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