存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法技术

提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。

Enclosures, how to operate them, and how to operate the hosts that control them

【技术实现步骤摘要】
存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年10月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0127261的优先权，通过引用将该申请的全部内容并入本文。
本专利技术构思的实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储模块、操作存储模块的方法以及操作控制存储模块的主机的方法。
技术介绍
半导体存储器可以被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置，易失性存储器装置例如，静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM))中存储的数据在电源切断时消失，非易失性存储器装置(例如，闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM))中存储的数据即使在电源切断时也会保留。正在开发诸如使用非易失性存储器(例如，闪存)的非易失性双列直插式内存模块(NVDIMM)的装置。由于NVDIMM可以连接到与系统的处理器直接相连的DIMM插槽，因此NVDIMM可以提供快速的运行速度。然而，由于与处理器和内存模块之间的接口速度相比，NVDIMM中使用的非易失性存储器提供相对慢的运行速度，因此在访问存储在非易失性存储器中的数据时延迟时间增加。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供具有改善的性能的存储模块、操作存储模块的方法以及操作控制存储模块的主机的方法。根据一个示例实施例，存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。根据一个示例实施例，存储模块包括：动态随机存取存储器(DRAM)装置，所述DRAM装置通过第一接口与外部设备通信；非易失性存储器装置；高速缓冲存储器；以及控制器，所述控制器耦接到所述第一接口，并且被配置为响应于所述外部设备进入页面故障模式，将目标数据从所述非易失性存储器装置复制到所述高速缓冲存储器。所述DRAM装置被配置为：在第一刷新参考时间内，响应于来自进入所述页面故障模式的所述外部设备的第一刷新命令执行刷新操作，并且所述控制器被配置为将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。所述第一刷新参考时间比所述DRAM装置执行所述刷新操作所需的最短时间长。根据一个示例实施例，主机被配置为对包括动态随机存取存储器(DRAM)装置和非易失性存储器装置的存储模块进行控制，并且操作主机的方法包括：当所述DRAM装置中不存在目标数据时进入页面故障模式；响应于进入所述页面故障模式，将刷新参考时间从第一参考时间改变为第二参考时间，所述第二参考时间长于所述第一参考时间；向所述存储模块发送刷新命令；以及在从发送所述刷新命令的时间点开始经过了所述第二参考时间之后，向所述存储模块提供有效命令。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术构思的示例实施例，本专利技术构思的上述以及其他目的和特征将变得显而易见。图1是例示了根据本专利技术构思的一个实施例的计算系统的框图。图2是例示了图1的存储模块的操作的流程图。图3A和图3B是描绘了根据图2的流程图的操作的示图。图4是例示了图1的主机的操作的流程图。图5是描绘了根据图4的流程图的操作的示图。图6A和图6B是描绘了根据图4的流程图的刷新参考时间的时序图。图7是例示了图1的主机的操作的流程图。图8是例示了图1的存储模块的操作的流程图。图9是例示了图1的存储模块的操作的流程图。图10是描绘了根据图9的流程图的操作的示图。图11是例示了根据本专利技术构思的一个实施例的计算系统的框图。图12是例示了根据本专利技术构思的一个实施例的存储模块的示图。图13是例示了可以应用根据本专利技术构思的一个实施例的存储模块的用户系统的框图。图14是例示了可以应用根据本专利技术构思的一个实施例的存储模块的用户系统的框图。具体实施方式现在将参照示出了示例实施例的附图更全面地描述本专利技术构思的示例实施例。图1是例示了根据本专利技术构思的一个实施例的计算系统的框图。参照图1，计算系统100可以包括主机101和存储模块110。在一个示例实施例中，计算系统100可以以如下形式实现：例如，便携式通信终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、智能手机、可穿戴设备、和/或诸如个人电脑、服务器、工作站或笔记本电脑的计算系统。主机101可以将数据存储到存储模块110或者可以读取存储在存储模块110中的数据。在一个示例实施例中，主机101可以是包括在计算系统100中的中央处理单元(CPU)或应用处理器(AP)。存储模块110可以包括存储器装置111、控制器112、非易失性存储器装置113和高速缓冲存储器114。在主机101的控制下，存储器装置111可以存储数据和/或可以输出所存储的数据。控制器112可以控制包括在存储模块110中的存储器装置111、非易失性存储器装置113和/或高速缓冲存储器114。例如，控制器112可以将存储在非易失性存储器装置113中的数据移动/复制到高速缓冲存储器114，和/或可以将存储在高速缓冲存储器114中的数据移动/复制到非易失性存储器装置113。在一些实施例中，控制器112可以将存储在高速缓冲存储器114中的数据移动/复制到存储器装置111，和/或可以将存储在存储器装置111中的数据移动/复制到高速缓冲存储器114。非易失性存储器装置113可以在控制器112的控制下运行。例如，非易失性存储器装置113可以被配置为在控制器112的控制下将存储在其中的数据提供给高速缓冲存储器114和/或存储来自高速缓冲存储器114的数据。在一个示例实施例中，非易失性存储器装置113可以是NAND闪存。然而，本专利技术构思不限于此。例如，非易失性存储器装置113可以用诸如电阻RAM(ReRAM)、相变RAM(PRAM)和磁RAM(MRAM)的各种非易失性存储器装置实现。高速缓冲存储器114可以在控制器112的控制下运行。例如，高速缓冲存储器114可以被配置为在控制器112的控制下将存储在其中的数据提供给存储器装置111和/或非易失性存储器装置113，和/或存储来自存储器装置111和/或非易失性存储器装置113的数据。下面，为了便于描述，假设存储器装置111是动态随机存取存储器(DRAM)装置(并且可以被称为DRAM装置111)，高速缓冲存储器114是静态RAM(SRAM)装置(并且可以被称为SRAM装置114)。然而，本专利技术构思不限于此。例如，存储器装置111和高速缓冲存储器114可以用具有比非易失性存储器装置113更快的运行速度的任本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作存储模块的方法，所述存储模块包括动态随机存取存储器装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器，所述方法包括：/n响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；/n从所述外部设备接收第一刷新命令；以及/n响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述动态随机存取存储器装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述动态随机存取存储器装置。/n

【技术特征摘要】
20181024 KR 10-2018-01272611.一种操作存储模块的方法，所述存储模块包括动态随机存取存储器装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器，所述方法包括：
响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；
从所述外部设备接收第一刷新命令；以及
响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述动态随机存取存储器装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述动态随机存取存储器装置。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，从接收到所述第一刷新命令的时间点开始直到经过了所述第一刷新参考时间为止，才从所述外部设备提供信号。


3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在从接收到所述第一刷新命令的时间点开始经过了所述第一刷新参考时间之后，从所述外部设备接收有效命令。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述目标数据复制到所述高速缓冲存储器是基于所述非易失性存储器装置的输入/输出数据单元进行的。


5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
当所述外部设备不处于所述页面故障模式时，响应于接收到第二刷新命令，对所述动态随机存取存储器装置执行第二刷新操作；以及
在从接收到所述第二刷新命令的时间点开始经过了第二刷新参考时间之后，从所述外部设备接收有效命令，所述第二刷新参考时间比所述第一刷新参考时间短。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部设备是否进入所述页面故障模式是基于页表确定的，所述页表包括关于先前存储在所述动态随机存取存储器装置中的数据的信息。


7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：
基于表示所述目标数据被移动到所述动态随机存取存储器装置的信息来更新所述页表。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，将存储在所述非易失性存储器装置中的所述目标数据复制到所述高速缓冲存储器是独立于所述外部设备与所述动态随机存取存储器装置之间的操作而执行的。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高速缓冲存储器的第一运行速度比所述非易失性存储器装置的第二运行速度快。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器装置的第一存储容量大于所述高速缓冲存储器的第二存储容量，并且大于所述动态随机存取存储器装置的第三存储容量。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述动态随机存取存储器装置和所述外部设备基于双倍数据速率接口彼此通信。


12.一种存储模块，所述存储模块包括：
动态随机存取存储器装置，所述动态随机存取存储器装置被配置为通过第一接口与外部设备通信；
非易失性存储器装置；
高速缓冲存储器；以及
控制器，所述控制器耦接到所述第一接口，其中，所述控制器被配置为：
响应于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金旼秀，高兑京，金大正，金度翰，金成峻，申院济，李光熙，李昌珉，崔仁寿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR