【技术实现步骤摘要】
存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年10月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0127261的优先权，通过引用将该申请的全部内容并入本文。
本专利技术构思的实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储模块、操作存储模块的方法以及操作控制存储模块的主机的方法。
技术介绍
半导体存储器可以被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置，易失性存储器装置例如，静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM))中存储的数据在电源切断时消失，非易失性存储器装置(例如，闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM))中存储的数据即使在电源切断时也会保留。正在开发诸如使用非易失性存储器(例如，闪存)的非易失性双列直插式内存模块(NVDIMM)的装置。由于NVDIMM可以连接到与系统的处理器直接相连的DIMM插槽，因此NVDIMM可以提供快速的运行速度。然而，由于与处理器和内...
【技术保护点】
1.一种操作存储模块的方法，所述存储模块包括动态随机存取存储器装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器，所述方法包括：/n响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；/n从所述外部设备接收第一刷新命令；以及/n响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述动态随机存取存储器装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述动态随机存取存储器装置。/n
【技术特征摘要】
20181024 KR 10-2018-01272611.一种操作存储模块的方法，所述存储模块包括动态随机存取存储器装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器，所述方法包括：
响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；
从所述外部设备接收第一刷新命令；以及
响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述动态随机存取存储器装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述动态随机存取存储器装置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，从接收到所述第一刷新命令的时间点开始直到经过了所述第一刷新参考时间为止，才从所述外部设备提供信号。
3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在从接收到所述第一刷新命令的时间点开始经过了所述第一刷新参考时间之后，从所述外部设备接收有效命令。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述目标数据复制到所述高速缓冲存储器是基于所述非易失性存储器装置的输入/输出数据单元进行的。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
当所述外部设备不处于所述页面故障模式时，响应于接收到第二刷新命令，对所述动态随机存取存储器装置执行第二刷新操作；以及
在从接收到所述第二刷新命令的时间点开始经过了第二刷新参考时间之后，从所述外部设备接收有效命令，所述第二刷新参考时间比所述第一刷新参考时间短。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部设备是否进入所述页面故障模式是基于页表确定的，所述页表包括关于先前存储在所述动态随机存取存储器装置中的数据的信息。
7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：
基于表示所述目标数据被移动到所述动态随机存取存储器装置的信息来更新所述页表。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，将存储在所述非易失性存储器装置中的所述目标数据复制到所述高速缓冲存储器是独立于所述外部设备与所述动态随机存取存储器装置之间的操作而执行的。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高速缓冲存储器的第一运行速度比所述非易失性存储器装置的第二运行速度快。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器装置的第一存储容量大于所述高速缓冲存储器的第二存储容量，并且大于所述动态随机存取存储器装置的第三存储容量。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述动态随机存取存储器装置和所述外部设备基于双倍数据速率接口彼此通信。
12.一种存储模块，所述存储模块包括：
动态随机存取存储器装置，所述动态随机存取存储器装置被配置为通过第一接口与外部设备通信；
非易失性存储器装置；
高速缓冲存储器；以及
控制器，所述控制器耦接到所述第一接口，其中，所述控制器被配置为：
响应于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金旼秀，高兑京，金大正，金度翰，金成峻，申院济，李光熙，李昌珉，崔仁寿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。