一种基于物理气相沉积的P型与N型有机半导体共晶材料及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料，发明专利技术还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。本发明专利技术还公开一种F

A p-type and n-type organic semiconductor eutectic material based on physical vapor deposition and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种基于物理气相沉积的P型与N型有机半导体共晶材料及制备方法
本专利技术涉及有机光电子材料领域，具体涉及一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法，特别是采用二种或二种以上有机分子以特定的成分比例形成共晶，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料，发专利技术还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。
技术介绍
在热处理工业，冶金工业中，一定成分的合金液体在共晶反应温度下,冷却、凝固、结晶为两种或更多致密晶体混合物称为共晶，共晶合金具有特定的凝固点。与无机材料相比，有机半导体材料具有许多显著的优势，如成本低、重量轻、易于自组装、机械柔韧性。在有机材料，特别是药物共晶制备
，由两种或多种分子以一定化学计量比通过非共价键结合而成共晶，可获得在溶解度、溶出速率、生物利用度以及稳定性等方面优于原料药的共晶药物。共晶体系中，分子间通过氢键、范德华键、卤键等非共价键相互结合，是热力学、动力学、分子间相互作用的结果。共晶制备方法直接影响成品含量、晶型、粒度分布与晶体形貌等理化性质。在药物共晶制备
，按照方法中是否有溶剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料，其特征在于，采用二种或二种以上有机小分子以特定的成分比例形成共晶，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料，其特征在于，采用二种或二种以上有机小分子以特定的成分比例形成共晶，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料。


2.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料，其特征在于，所述P型与N型有机小分子半导体材料包括：酞菁铜、酞菁镍、酞菁锌、酞菁钴、酞菁铂、自由酞菁、酞菁氧钛、酞菁氧钒、噻吩齐聚物、聚噻吩、并四苯、并五苯、酚箐类化合物、苝、红荧烯、苝酐、富勒烯、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、Almqs、Zn(5Fa)2、BeBq2、氟代酞菁铜、氟代酞菁锌、氟代酞菁铁和氟代酞菁钴。


3.权利要求1或2所述的物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料的制备方法，其特征在于，二种或二种以上有机小分子采用物理气相沉积升华，其升华过程中采用独立升温和控温，独立调控二种或二种以上有机小分子材料的温度场、温度梯度、气氛压强、气体流量、气体温度，以及通过调控有机小分子材料在气相状态下电场强度、磁场强度和电磁波频率等较好地控制有机半导体共晶材料的结构、形貌、尺寸和生长方向。


4.一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其特征在于，F16CuPc与CuPc共晶纳米线的X-射线衍射谱在衍射角度2θ为6.5±0.1º、8.6±0.1º、14.1±0.1º、24.5±0.1º、26.5±0.1º、27.6±0.1º处具有特征峰。


5.根据权利要求4所述的一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其特征在于，F16CuPc与CuPc共晶纳米线在拉曼光谱的173.05cm-1、233.48cm-1、255.74cm-1、594.48cm-1、678.76cm-1、831.43cm-1、1036.8cm-1、1141.55cm-1、1337.15cm-1、1448.48cm-1、1523.22cm-1、1586.83cm-1处具有特征峰。


6.根据权利要求4所述的一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其特征在于，F...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海，邹涛隅，聂陟枫，段良飞，何云飞，宋玉敏，郭婷婷，常佳伟，陈秋园，
申请(专利权)人：昆明学院，
类型：发明
国别省市：云南;53