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一种基于物理气相沉积的P型与N型有机半导体共晶材料及制备方法技术
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文档序号:24003937
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本发明公开了一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法,获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料,发明还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。本发明还公开一种F...
该专利属于昆明学院所有,仅供学习研究参考,未经过昆明学院授权不得商用。
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