【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法
本专利技术涉及硅片清洗
，具体为一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法。
技术介绍
多晶硅片是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅片分为电子级和太阳能级。先说太阳能级的，是作为太阳能产业链的原料，用于铸锭或拉单晶硅棒，在切成硅片，生产成太阳能电池板，就是卫星、空间站上的太阳能帆板，大部分还是用在建太阳能电站了，国内的太阳能电站很少，很为他虽然环保绿色，但成本很高，电费贵，往往需要政府补贴。电子级多晶硅用于生产半导体材料，主要用于电子设备，芯片上用的比较多。普通的多晶硅片在生产操作时往往需要对其进行清洗，普通的多晶硅片清洗系统往往只能对多晶硅片清洗一次，清洗效率较低，不能使得多晶硅片达到无尘效果，并且传统的清洗对水资源依靠程度较高，这种方法清洗方法不利于节约水资源。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提...
【技术保护点】
1.一种多晶硅片清洗系统，包括多晶硅片清洗调控系统(1)，其特征在于：所述多晶硅片清洗调控系统(1)的输出端与指示灯(2)、报警器(3)、中央显示单元(4)和报告打印模块(5)的输入端电性连接，所述多晶硅片清洗调控系统(1)的输入端与电源模块(6)的输出端电性连接，所述多晶硅片清洗调控系统(1)与初步超声清洗系统(7)、清洗快速烘干系统(8)、二次复洗清洗系统(9)和净水过滤系统(10)实现双向连接，所述多晶硅片清洗调控系统(1)与网络数据库(11)实现双向连接，所述初步超声清洗系统(7)包括多晶硅片自动上料设备(71)、物料全面扫描检验设备(72)、去离子水加载设备(73...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片清洗系统，包括多晶硅片清洗调控系统(1)，其特征在于：所述多晶硅片清洗调控系统(1)的输出端与指示灯(2)、报警器(3)、中央显示单元(4)和报告打印模块(5)的输入端电性连接，所述多晶硅片清洗调控系统(1)的输入端与电源模块(6)的输出端电性连接，所述多晶硅片清洗调控系统(1)与初步超声清洗系统(7)、清洗快速烘干系统(8)、二次复洗清洗系统(9)和净水过滤系统(10)实现双向连接，所述多晶硅片清洗调控系统(1)与网络数据库(11)实现双向连接，所述初步超声清洗系统(7)包括多晶硅片自动上料设备(71)、物料全面扫描检验设备(72)、去离子水加载设备(73)、超声波清洗设备(74)和抛动清洗报警设备(75)，所述多晶硅片自动上料设备(71)的输出端与物料全面扫描检验设备(72)的输入端电性连接，所述物料全面扫描检验设备(72)的输出端与去离子水加载设备(73)的输入端电性连接，所述去离子水加载设备(73)的输出端与超声波清洗设备(74)的输入端电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述超声波清洗设备(74)的输出端与抛动清洗报警设备(75)的输入端电性连接，所述抛动清洗报警设备(75)的输出端与报警器(3)的输入端电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述清洗快速烘干系统(8)包括废液排放设备(81)、净化烘干设备(82)、整体冷却维护设备(83)和清洁抽风维护设备(84)。
4.根据权利要求3所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述废液排放设备(81)的输出端与净化烘干设备(82)的输入端电性连接，所述净化烘干设备(82)的输出端与整体冷却维护设备(83)的输入端电性连接，所述整体冷却维护设备(83)的输出端与清洁抽风维护设备(84)的输入端电性连接，所述废液排放设备(81)的输出端与指示灯(2)的输入端电性连接。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述二次复洗清洗系统(9)包括加热自来水喷洗设备(91)、脱盐水预清洗设备(92)、热碱液全面清洗设备(93)、无尘热空气烘干设备(94)和常温干燥烘干设备(95)，所述加热自来水喷洗设备(91)的输出端与脱盐水预清洗设备(92)的输入端电性连接，所述脱盐水预清洗设备(92)的输出端与热碱液全面清洗设备(93)的输入端电性连接，所述热碱液全面清洗设备(93)的输出端与无尘热空气烘干设备(94)的输入端电性连...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖真方，
申请(专利权)人：武汉百臻半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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