平板探测器制造技术

本实用新型专利技术公开一种平板探测器，包括：基底，基底的一侧形成有栅线和读取信号线，栅线和读取信号线相互绝缘并交叉限定了多个检测单元，检测单元包括第一光电转换器、薄膜晶体管和第二光电转换器，第一光电转换器位于薄膜晶体管靠近基底的一侧，第二光电转换器位于薄膜晶体管背离基底的一侧，第一光电转换器和第二光电转换器均与薄膜晶体管的源极或漏极相连接；每个检测单元内的栅线、读取信号线、薄膜晶体管在基底上的正投影与第二光电转换器在基底上的正投影之间有间隙，第一光电转换器在基底上的正投影至少覆盖间隙。本实用新型专利技术利用第一光电转换器，吸收从上述间隙处透过的光，提高可见光的利用率，从而提高平板探测器的灵敏度。

Flat panel detector

【技术实现步骤摘要】
平板探测器
本技术一般涉及光电
，具体涉及一种平板探测器。
技术介绍
FPXD(FlatPanelX-rayDetector，X射线平板探测器)读取数据的准确性非常重要。为提高FPXD读取数据的准确性，需要保证产品具有较高的信噪比，即产品的噪声越小越好，由此在产品设计时，需要尽可能规避交叠电容、寄生电容。现有的FPXD包括基底，基底上具有多个检测单元，每个检测单元包括一个薄膜晶体管和一个光电二极管，光电二极管位于薄膜晶体管远离基底的一侧，光电二极管具有与偏置电极相连接的第一极、与薄膜晶体管的源极或漏极相连的第二极，为保证产品的信噪比，规避交叠电容和寄生电容，设计产品时，薄膜晶体管的栅极层、源漏极与光电二极管的第二极之间预留有较大的间隙，由于光线会从间隙处漏掉，使得相当可观的可见光无法被光电二极管感测，造成产品的灵敏度降低。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种平板探测器。本技术提供一种平板探测器，包括：基底，所述基底的一侧形成有多条平行的栅线和多条平行的读取信号线，所述栅线和所述读取信号线相互绝缘并交叉限定了多个检测单元；所述检测单元包括第一光电转换器、薄膜晶体管和第二光电转换器，所述第一光电转换器位于所述薄膜晶体管靠近所述基底的一侧，所述第二光电转换器位于所述薄膜晶体管背离所述基底的一侧，所述第一光电转换器和所述第二光电转换器均与所述薄膜晶体管的源极或漏极相连接；每个所述检测单元内的所述栅线、所述读取信号线以及所述薄膜晶体管在所述基底上的正投影与所述第二光电转换器在所述基底上的正投影之间存在间隙区域，所述第一光电转换器在所述基底上的正投影至少覆盖所述间隙区域。优选的，所述平板探测器还包括：位于所述第一光电转换器靠近所述基底一侧的第一偏置电极以及位于所述第一偏置电极和所述第一光电转换器之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有露出所述第一偏置电极的第一过孔；所述第一光电转换器包括第一光电转换层、位于所述第一光电转换层靠近所述基底一侧的第一下电极、位于所述第一光电转换层远离所述基底一侧的第一上电极，所述第一下电极经所述第一过孔与所述第一偏置电极相连接；所述第一上电极远离所述基底的一侧设有第二绝缘层。优选的，所述第一上电极的材质透明。优选的，所述薄膜晶体管包括：形成于所述第二绝缘层远离所述基底一侧的栅极层；形成于所述栅极层远离所述基底一侧的栅绝缘层；形成于所述栅绝缘层远离所述基底一侧的有源层；与所述有源层分别连接的源极和漏极。优选的，所述平板探测器还包括：位于所述有源层远离所述基底一侧的钝化层，所述钝化层覆盖所述有源层、所述源极和所述漏极；以及，位于所述钝化层和所述第二光电转换器之间的第三绝缘层。优选的，所述平板探测器还包括：覆盖所述第二光电转换器的第四绝缘层以及位于所述第二光电转换器远离所述基底一侧的第二偏置电极；所述第二光电转换器包括第二光电转换层、位于所述第二光电转换层靠近所述基底一侧的第二下电极、位于所述第二光电转换层远离所述基底一侧的第二上电极，所述第四绝缘层上设有露出所述第二上电极的第二过孔，所述第二偏置电极经所述第二过孔与所述第二上电极相连接。优选的，所述栅极层、所述有源层、所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影和所述第一光电转换器在所述基底上的正投影不重合。优选的，所述第二下电极的材质透明。优选的，所述第一光电转换器和所述第二光电转换器为PIN二极管。根据本技术实施例提供的技术方案，利用位于基底与薄膜晶体管之间的第一光电转换器，吸收从薄膜晶体管的栅极层、源漏极与第二光电转换器的之间的间隙处透过的光，提高可见光的利用率，从而提高平板探测器的灵敏度。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本技术实施例提供的平板探测器的俯视图；图2为本技术实施例提供的形成第一偏置电极的示意图；图3为本技术实施例提供的平板探测器中的单个检测单元对应的平板探测器的截面图；图4为本技术实施例提供的平板探测器中单个检测单元的俯视示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关技术，而非对该技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。如图1至图3所示，本技术提供一种平板探测器，包括：基底10，基底10的一侧形成有多条平行的栅线1和多条平行的读取信号线2，栅线1和读取信号线2相互绝缘并交叉限定了多个检测单元3；每个检测单元3包括第一光电转换器20、薄膜晶体管30和第二光电转换器40，第一光电转换器20位于薄膜晶体管30靠近基底10的一侧，第二光电转换器40位于薄膜晶体管30背离基底10的一侧，第一光电转换器20和第二光电转换器40均与薄膜晶体管30的源极304或漏极305相连接；每个检测单元3内的栅线1、读取信号线2以及薄膜晶体管30在基底10上的正投影与第二光电转换器40在基底10上的正投影之间存在间隙区域，第一光电转换器20在基底10上的正投影至少覆盖上述间隙区域。其中，第一光电转换器20、第二光电转换器40用于将可见光转换为电信号，作为检测信号输出；栅线1用于向对应的薄膜晶体管30提供扫描信号，响应于栅线扫描信号，薄膜晶体管30导通，从而将第一光电转换器、第二光电转换器的检测信号发送到读取信号线2，读取信号线2将检测信号输出到外部数据处理电路。每个检测单元的薄膜晶体管的栅极层301与其所在检测单元行的栅线相连接，薄膜晶体管的源极304(或漏极305)与其所在检测单元列的读取信号线相连接。其中，本技术中所使用的薄膜晶体管的源极304、漏极305是对称的，所以其源极304、漏极305可以互换。当薄膜晶体管30的源极304与第一光电转换器20、第二光电转换器40相连时，薄膜晶体管30的漏极305与读取信号线相连；或者薄膜晶体管30的漏极305与第一光电转换器20、第二光电转换器40相连时，薄膜晶体管30的源极304与读取信号线相连。该实施例通过第一光电转换器20感测从间隙区域透过的可见光，使得可见光被充分利用，提高可见光的利用率，相应地提高平板探测器读取数据的准确性，即提高平板探测器的灵敏度；且第一光电转换器和第二光电转换器连接同一个薄膜晶体管的源极304(或漏极305)，有效避免读取信号线与源漏极之间出现信号串扰问题。进一步地，平板探测器还包括：位于第一光电转换器20靠近基底10一侧的第一偏置电极21以及位于第一偏置电极21和第一光电转换器20之间的第一绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平板探测器，包括：基底，所述基底的一侧形成有多条平行的栅线和多条平行的读取信号线，所述栅线和所述读取信号线相互绝缘并交叉限定了多个检测单元，其特征在于，/n所述检测单元包括第一光电转换器、薄膜晶体管和第二光电转换器，所述第一光电转换器位于所述薄膜晶体管靠近所述基底的一侧，所述第二光电转换器位于所述薄膜晶体管背离所述基底的一侧，所述第一光电转换器和所述第二光电转换器均与所述薄膜晶体管的源极或漏极相连接；/n每个所述检测单元内的所述栅线、所述读取信号线以及所述薄膜晶体管在所述基底上的正投影与所述第二光电转换器在所述基底上的正投影之间存在间隙区域，所述第一光电转换器在所述基底上的正投影至少覆盖所述间隙区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种平板探测器，包括：基底，所述基底的一侧形成有多条平行的栅线和多条平行的读取信号线，所述栅线和所述读取信号线相互绝缘并交叉限定了多个检测单元，其特征在于，
所述检测单元包括第一光电转换器、薄膜晶体管和第二光电转换器，所述第一光电转换器位于所述薄膜晶体管靠近所述基底的一侧，所述第二光电转换器位于所述薄膜晶体管背离所述基底的一侧，所述第一光电转换器和所述第二光电转换器均与所述薄膜晶体管的源极或漏极相连接；
每个所述检测单元内的所述栅线、所述读取信号线以及所述薄膜晶体管在所述基底上的正投影与所述第二光电转换器在所述基底上的正投影之间存在间隙区域，所述第一光电转换器在所述基底上的正投影至少覆盖所述间隙区域。


2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括：位于所述第一光电转换器靠近所述基底一侧的第一偏置电极以及位于所述第一偏置电极和所述第一光电转换器之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有露出所述第一偏置电极的第一过孔；
所述第一光电转换器包括第一光电转换层、位于所述第一光电转换层靠近所述基底一侧的第一下电极、位于所述第一光电转换层远离所述基底一侧的第一上电极，所述第一下电极经所述第一过孔与所述第一偏置电极相连接；
所述第一上电极远离所述基底的一侧设有第二绝缘层。


3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述第一上电极的材质透明。


4.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯学成，尚建兴，商晓彬，李晓东，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11