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一种高耐磨MC尼龙/MXene纳米复合材料及其原位聚合制备方法技术

技术编号:23973180 阅读:41 留言:0更新日期:2020-04-29 08:18
本发明专利技术公开了一种高耐磨MC尼龙/MXene纳米复合材料及其原位聚合制备方法方法。包括以下步骤:(1)采用氟化锂与稀盐酸原位生成氢氟酸,刻蚀MAX相中的中间层,制备二维材料MXene;(2)将MXene超声分散到熔融己内酰胺中,加入催化剂及活化剂,倒入模具中固化成型,制备具备高耐磨性能MXene/MC尼龙复合材料。本发明专利技术制备的二维填料具有类石墨烯形态、低层间剪切强度和优异力学性能,表面具有大量含氧基团,与MC尼龙有良好的相互作用,能够均匀分散在基体中,显著提高MC尼龙复合材料的摩擦磨损性能,延长MC尼龙制品的使用寿命。

A high wear-resistant MC nylon / mxene nanocomposite and its in-situ polymerization

【技术实现步骤摘要】
一种高耐磨MC尼龙/MXene纳米复合材料及其原位聚合制备方法
本专利技术涉及一种高耐磨MC尼龙/MXene纳米复合材料及其原位聚合制备方法,属于高分子合成和加工

技术介绍
单体浇铸尼龙6(MC尼龙)是由己内酰胺阴离子开环聚合反应得到的一种新型工程塑料,其特点是分子量高,结晶度高,工艺简单,成型周期短,因此其机械性能、耐磨性能、尺寸稳定性以及吸水性都优于一般尼龙,(TribologyLetters,2014,54(2):161-170.)因此MC尼龙广泛应用于石油化工、机械、交通、建筑等行业。但纯MC尼龙在高负荷下使用时耐磨损性、尺寸稳定性不佳,体积磨损率较大,容易造成机械偏差,难以满足在高负荷条件下工作的要求,这些不足在一定程度上限制了它在更广泛领域的应用。为了提高MC尼龙抗磨损性能,通常都是在MC尼龙基体中通过添加石墨、炭黑、二硫化钼、纤维、润滑油等不同的填料,可以改善MC尼龙的摩擦学性能。然而,由于固体填料填充量高,界面相互作用差,导致润滑填料在基体中分散不均匀,复合材料的力学性能可能会恶化(AcsApplied本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高耐磨MC尼龙/MXene纳米复合材料及其原位聚合制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤(1):二维填料MXene的制备/n步骤(1.1):将氟化锂与一定摩尔浓度的盐酸溶液在聚四氟烧杯中搅拌30min制备刻蚀液,转速为400rpm;/n步骤(1.2):将一定量的前驱体MAX相缓慢加入步骤(1.1)刻蚀液中刻蚀,在一定反应温度下持续搅拌刻蚀;/n步骤(1.3):将步骤(1.2)中获得的反应液体进行离心,离心后将上清液倒掉,向离心管的沉淀中分别加入去离子水,沉淀与去离子水混合均匀,将离心管放入大功率超声机中超声一定时间,取出继续离心,重复洗涤直到离心后倒出的液体为中性;/n步骤(1....

【技术特征摘要】
1.一种高耐磨MC尼龙/MXene纳米复合材料及其原位聚合制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤(1):二维填料MXene的制备
步骤(1.1):将氟化锂与一定摩尔浓度的盐酸溶液在聚四氟烧杯中搅拌30min制备刻蚀液,转速为400rpm;
步骤(1.2):将一定量的前驱体MAX相缓慢加入步骤(1.1)刻蚀液中刻蚀,在一定反应温度下持续搅拌刻蚀;
步骤(1.3):将步骤(1.2)中获得的反应液体进行离心,离心后将上清液倒掉,向离心管的沉淀中分别加入去离子水,沉淀与去离子水混合均匀,将离心管放入大功率超声机中超声一定时间,取出继续离心,重复洗涤直到离心后倒出的液体为中性;
步骤(1.4):将步骤(1.3)中获得的MXene用去离子水分散,形成稳定的MXene分散溶液,将分散溶液在-60℃下冷冻干燥48h,得到MXene;
步骤(2):MXene/MC尼龙复合材料的制备
步骤(2.1):将重量份数100份的己内酰胺(CL)加热至90℃熔化,等待完全熔融之后加入MXene填料,超声波分散20~30min;将混合体系升温至125~135℃,抽真空脱水30min;
步骤(2.2):向步骤(2.1)熔体中加入催化剂,搅拌溶解,维持体系温度到125~135℃,再次真空脱水30min;卸除真空,迅速加入活化剂,搅拌均匀得到含MXene的MC尼龙预聚物;
步骤(2.3):将预聚物迅速浇入预热至160-180℃的模具中,聚合反应0.5-1h,待反应固化完全之后冷却脱模,得到高耐磨MXene/MC尼龙复合材料;优选地,步骤(1.1)中,盐酸的摩尔浓度为6~12mol/L,氟化锂与盐酸溶液的质量比为1:(10~30),更优选地,盐酸浓为9mol/L,氟化锂与盐酸溶液质量比为1:15。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷军李忠明
申请(专利权)人:四川大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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