一种制备可见光响应的2D二硫化铼的方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种制备可见光响应的2D二硫化铼(ReS

A method of preparing 2D rhenium disulfide with visible light response and its application

【技术实现步骤摘要】
一种制备可见光响应的2D二硫化铼的方法及应用
本专利技术属于新型纳米材料
，具体涉及一种制备可见光响应的二硫化铼半导体材料的方法。
技术介绍
二维层状晶体材料，比如石墨烯，过渡金属硫族化合物等，由于具有优良的光电化学性能，因此在材料科学，电子学，光电子学领域迅速发展。2D过渡金属硫族化合物的特性与块状材料不同，其2D材料为直接带隙半导体，由于其独特的性质和在纳米器件的应用价值激发了研究人员的兴趣。近年来，被广泛研究的过渡金属硫族化合物，特别是半导体过渡金属硫族化合物，比如二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钼(MoSe2)等，都是2H晶格结构。二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钼(MoSe2)等是典型的TMD材料，对于绝大多数TMD材料来说，当其厚度由多层逐渐减薄到单层时，间接带隙到直接带隙的转变是很明显的，因此薄层TMDA材料的光催化效率低是急需解决的技术问题。
技术实现思路
本部分的目的在于概述本专利技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备可见光响应的2D二硫化铼的方法，其特征在于：包括，/n将铵源和硫源溶解，搅拌均匀后加热反应；/n冷却后清洗、干燥，即得二硫化铼纳米材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备可见光响应的2D二硫化铼的方法，其特征在于：包括，
将铵源和硫源溶解，搅拌均匀后加热反应；
冷却后清洗、干燥，即得二硫化铼纳米材料。


2.如权利要求1所述的制备可见光响应的2D二硫化铼的方法，其特征在于：所述铼源为高铼酸铵，所述硫源为硫化钠，所述清洗后干燥，其清洗剂为水和乙醇，所述溶解其溶剂为水。


3.如权利要求1或2所述的制备可见光响应的2D二硫化铼的方法，其特征在于：所述铼源和所述硫源的质量比为1：(20～50)。


4.如权利要求3所述的制备可见光响应的2D二硫化铼的方法，其特征在于：所述搅拌均匀后加热反应，其加热温度为160～200℃，反应时间为12～30h，升温速率为1.5℃～10℃/min。


5.如权利要求3所述的制备可见光响应的2D二硫化铼的方法，其特征在于：所述搅拌均匀后加热反应，其加热温度为160～180℃，反应时间为18～30h，升温速率为1.5～4℃/...

【专利技术属性】
技术研发人员：申申，傅佳佳，王鸿博，高卫东，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32