一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，其厚度范围不高于0.8mm，超薄绝缘复合导热结构通过加热压延工艺复合成型，包括作为中间层的聚酰亚胺薄膜、位于上层的石墨片复合体以及位于下层的相变导热层；本实用新型专利技术在实现厚度小于0.8mm的前提下，具有更高的导热系数，同时拥有良好的绝缘性能和表面贴合润湿效果，可以有效满足各行业对于电子元器件的集成轻量化的应用发展需求。

An ultra thin insulation composite heat conduction structure for electronic components

【技术实现步骤摘要】
一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构
本技术属于一种电子元器件的导热结构，具体涉及一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构。
技术介绍
随着当代电子技术迅速的发展，电子元器件的集成程度和组装密度不断提高，在提供了强大使用功能的同时，也导致了其工作功耗和发热量的急剧增大。高温会对电子元器件的稳定性、可靠性和使用寿命产生不利的影响。为了解决电子元件的散热问题，行业通常采用热界面管理材料，通过有效填充电子元器件与散热片之间气隙和细微的不规则间隙，从而实现大幅降低界面热阻达到有效散热的目的。目前市场上应用于低装配厚度安装需求(厚度通常小于0.8mm)的导热材料主要包括超薄导热垫片、导热矽胶布、导热脂以及导热相变材料，但这几种材料在应用上均存在不足之处，主要为以下几点：第一、超薄导热垫片导热系数较低(小于6W/m.K)，材料机械强度及韧性差，同时绝缘强度较低。第二、导热矽胶布硬度较大，与电子元器件的发热元件表面贴合性和润湿能力若，因此热阻较大，且导热率较低(<6W/m.K)。第三、导热脂的可靠性较差，在使用过程中容易发生挤出现象，同时具有相对高导热率(>4W/m.K)的导热脂通常含有金属或其他导电材料，因此绝缘性较差。第四、具有较高导热系数的相变材料包括相变片和相变膏，亦通常含有金属或其他导电填料，因此绝缘性较差。因此，申请人寻求新的技术方案来解决以上技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，在实现厚度小于0.8mm的前提下，具有更高的导热系数，同时拥有良好的绝缘性能和表面贴合润湿效果，可以有效满足各行业对于电子元器件的集成轻量化的应用发展需求。本技术采用的技术方案如下：一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，其厚度范围不高于0.8mm，所述超薄绝缘复合导热结构通过加热压延工艺复合成型，包括作为中间层的聚酰亚胺薄膜、位于上层的石墨片复合体以及位于下层的相变导热层。优选地，所述聚酰亚胺薄膜的厚度范围为0.05-0.3mm，所述石墨片复合体的厚度范围为15-250μm，所述相变导热层的厚度范围为0.02-0.2mm。优选地，所述石墨片复合体包括复合为一体的第一胶层和石墨片层，所述石墨片复层通过第二胶层粘合在所述聚酰亚胺薄膜的一外表面。优选地，所述第一胶层和/或第二胶层的厚度范围为1-10μm，所述石墨片层的厚度范围为15-200μm。优选地，所述第一胶层和第二胶层的材料采用丙烯酸导热胶或有机硅导热胶。需要说明的是，本申请涉及的相变导热层采用现有技术的导热相变材料制成，可直接从市场中采购得到。本技术提出了采用通过石墨片复合体、聚酰亚胺薄膜以及相变导热层且经加热压延工艺复合形成用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，不仅工艺简便易于实施，而且在确保安装厚度不超过0.8mm的前提下，位于上层的石墨片复合体具有非常优异的平面散热作用，中间的聚酰亚胺薄膜具有柔软、高强度以及高绝缘性的特点，而底部的相变导热层具有导热、储能的特点，同时与电子元器件的发热元件具有非常良好的表面贴合润湿效果，确保本技术可以有效满足各行业对于电子元器件的集成轻量化的应用发展需求。附图说明附图1是本技术具体实施方式下超薄绝缘复合导热结构示意图。具体实施方式本技术实施例公开了一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，其厚度范围不高于0.8mm，超薄绝缘复合导热结构通过加热压延工艺复合成型，包括作为中间层的聚酰亚胺薄膜、位于上层的石墨片复合体以及位于下层的相变导热层。为了使本
的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。请参见图1所示，一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，通过公知的加热压延工艺复合成型，包括作为中间层的聚酰亚胺薄膜10、位于上层的石墨片复合体20以及位于下层的相变导热层30；本实施例涉及的聚酰亚胺薄膜10、石墨片复合体20以及相变导热层30均可以从市场中直接采购得到；优选地，在本实施方式中，石墨片复合体20包括复合为一体的第一丙烯酸导热胶层21和石墨片层22，石墨片复层22通过第二丙烯酸导热胶层23粘合在聚酰亚胺薄膜10的一外表面；当然地，在本申请其他实施方式中，也可以采用有机硅导热胶来替换丙烯酸导热胶；相变导热层30由现有技术中的常规相变导热材料制成，通常为热量增强聚合物；优选地，在本实施方式中，聚酰亚胺薄膜10的厚度范围为0.05-0.3mm，石墨片复合体20的厚度范围为15-250μm，相变导热层30的厚度范围为0.02-0.2mm；第一丙烯酸导热胶层21和第二丙烯酸导热胶层23的厚度范围为1-10μm，石墨片层22的厚度范围为15-200μm；具体优选地，在本实施方式中，聚酰亚胺薄膜10的厚度约为0.1mm，相变导热层30的厚度约为0.1mm；第一丙烯酸导热胶层21和第二丙烯酸导热胶层23的厚度相等，约为6μm，石墨片层22的厚度约为130μm；在其他实施方式中，可以根据实际应用需要来具体选择其厚度，这些不作为对于本实施例的主要限定条件。本实施例采用通过石墨片复合体20、聚酰亚胺薄膜10以及相变导热层30且经加热压延工艺复合形成用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，不仅工艺简便易于实施，而且在确保安装厚度不超过0.8mm的前提下，位于上层的石墨片复合体20具有非常优异的平面散热作用，中间的聚酰亚胺薄膜10具有柔软、高强度以及高绝缘性的特点，而底部的相变导热层30具有导热、储能的特点，同时与电子元器件的发热元件具有非常良好的表面贴合润湿效果，确保本实施例可以有效满足各行业对于电子元器件的集成轻量化的应用发展需求。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，其厚度范围不高于0.8mm，其特征在于，所述超薄绝缘复合导热结构通过加热压延工艺复合成型，包括作为中间层的聚酰亚胺薄膜、位于上层的石墨片复合体以及位于下层的相变导热层。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，其厚度范围不高于0.8mm，其特征在于，所述超薄绝缘复合导热结构通过加热压延工艺复合成型，包括作为中间层的聚酰亚胺薄膜、位于上层的石墨片复合体以及位于下层的相变导热层。


2.如权利要求1所述的用于电子元器件的超薄绝缘复合导热结构，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的厚度范围为0.05-0.3mm，所述石墨片复合体的厚度范围为15-250μm，所述相变导热层的厚度范围为0.02-0.2mm。


3.如权利要求1所述的用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩冰，
申请(专利权)人：苏州泰吉诺新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32