一种降低休眠功耗并保护电芯的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电芯技术领域，具体地说是一种降低休眠功耗并保护电芯的电路，包括电阻、场效应晶体管、二极管、电容、可控精密稳压源、稳压二极管，本实用新型专利技术同现有技术相比，设计了降低休眠功耗并保护电芯的电路，在保护板处于休眠状态时，保护板相关模块功耗降至最低。在外部干扰或者内部器件发生问题等异常情况发生时，微控制单元MCU的供电回路断开。保护板停止工作，以达到保护电芯的目的。

A circuit to reduce sleep power consumption and protect the core

【技术实现步骤摘要】
一种降低休眠功耗并保护电芯的电路
本技术涉及电芯
，具体地说是一种降低休眠功耗并保护电芯的电路。
技术介绍
在电芯使用过程中，当外部干扰或者内部器件发生问题等异常情况发生时，微控制单元MCU会发生死机，对电芯会造成一定损坏。为了解决这一问题，需要设计一个保护电芯的电路。但是，传统的保护电路，在休眠状态下的功耗较高。因此，需要设计一种降低休眠功耗并保护电芯的电路。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的不足，提供了一种降低休眠功耗并保护电芯的电路。为了达到上述目的，本技术是一种降低休眠功耗并保护电芯的电路，包括电阻、场效应晶体管、二极管、电容、可控精密稳压源、稳压二极管，其特征在于：电池组供电端口串联电阻二十六后，分两路分别与电阻二十七的一端以及场效应晶体管四的源极连接，场效应晶体管四的漏极与二极管二的阳极连接，二极管二的阴极分两路分别与电阻二十八的一端以及场效应晶体管十二的漏极连接，电阻二十八的另一端分三路分别与场效应晶体管十二的栅极、可控精密稳压源的阴极以及电容十一的一端连接，电容十一的另一端分三路分别与可控精密稳压源的参考极、电阻四十九的一端以及电阻五十一的一端连接，电阻五十一的另一端分四路分别与场效应晶体管十二的源极、电容三的一端、电容十八的一端以及电容十九的一端连接，可控精密稳压源的阳极、电阻四十九的另一端、电容三的另一端、电容十八的另一端以及电容十九的另一端接地；电阻二十七的另一端分两路分别与电阻四十八的一端以及场效应晶体管四的栅极连接，电阻四十八的另一端分三路分别与电阻十三的一端、电阻十四的一端以及电容十的一端连接，电阻十四的另一端与场效应晶体管二的漏极连接，场效应晶体管二的栅极串联电阻二后，分两路分别与电阻八十五的一端以及电容二的一端连接，电阻十三的另一端与场效应晶体管一的漏极连接，场效应晶体管一的栅极分三路分别与电阻八十三的一端、电阻一的一端以及稳压二极管的阴极连接，电阻一的另一端分两路分别与电容一的一端以及二极管一的阴极连接，稳压二极管的阳极、电阻八十三的另一端、场效应晶体管一的源极、电容十的另一端、场效应晶体管二的源极、电阻八十五的另一端连接后接地。所述的可控精密稳压源的型号为TL431。所述的电容二的另一端与微控制单元供电控制端口连接。所述的电容一的另一端与充电器正极连接。所述的二极管一的阳极与外部触发信号端口连接。本技术同现有技术相比，设计了降低休眠功耗并保护电芯的电路，在保护板处于休眠状态时，保护板相关模块功耗降至最低。在外部干扰或者内部器件发生问题等异常情况发生时，微控制单元MCU的供电回路断开。保护板停止工作，以达到保护电芯的目的。附图说明图1为本技术的电路图。具体实施方式现结合附图对本技术做进一步描述。参见图1，本技术是一种降低休眠功耗并保护电芯的电路，包括电阻、场效应晶体管、二极管、电容、可控精密稳压源、稳压二极管，电池组供电端口B+串联电阻二十六R26后，分两路分别与电阻二十七R27的一端以及场效应晶体管四Q4的源极连接，场效应晶体管四Q4的漏极与二极管二D2的阳极连接，二极管二D2的阴极分两路分别与电阻二十八R28的一端以及场效应晶体管十二Q12的漏极连接，电阻二十八R28的另一端分三路分别与场效应晶体管十二Q12的栅极、可控精密稳压源IC的阴极以及电容十一C11的一端连接，电容十一C11的另一端分三路分别与可控精密稳压源IC的参考极、电阻四十九R49的一端以及电阻五十一R51的一端连接，电阻五十一R51的另一端分四路分别与场效应晶体管十二Q12的源极、电容三C3的一端、电容十八C18的一端以及电容十九C19的一端连接，可控精密稳压源IC的阳极、电阻四十九R49的另一端、电容三C3的另一端、电容十八C18的另一端以及电容十九C19的另一端接地；电阻二十七R27的另一端分两路分别与电阻四十八R48的一端以及场效应晶体管四Q4的栅极连接，电阻四十八R48的另一端分三路分别与电阻十三R13的一端、电阻十四R14的一端以及电容十C10的一端连接，电阻十四R14的另一端与场效应晶体管二Q2的漏极连接，场效应晶体管二Q2的栅极串联电阻二R2后，分两路分别与电阻八十五R85的一端以及电容二C2的一端连接，电阻十三R13的另一端与场效应晶体管一Q1的漏极连接，场效应晶体管一Q1的栅极分三路分别与电阻八十三R83的一端、电阻一R1的一端以及稳压二极管ZD6的阴极连接，电阻一R1的另一端分两路分别与电容一C1的一端以及二极管一D1的阴极连接，稳压二极管ZD6的阳极、电阻八十三R83的另一端、场效应晶体管一Q1的源极、电容十C10的另一端、场效应晶体管二Q2的源极、电阻八十五R85的另一端连接后接地。本技术中，可控精密稳压源IC的型号为TL431。电容二C2的另一端与微控制单元供电控制端口连接。电容一C1的另一端与充电器正极C+连接。二极管一D1的阳极与外部触发信号端口连接。本技术电路由两部分组成：上部的微控制单元MCU供电控制回路和下部的触发控制回路。上部的微控制单元MCU供电回路包括电池组供电端口和LDO模块，LDO模块由场效应晶体管十二Q12、电阻二十八R28、电阻四十九R49、电阻五十一R51、电容三C3、电容十一C11、电容十八C18、电容十九C19、可控精密稳压源IC组成。上部的微控制单元MCU供电回路由场效应晶体管四Q4连接在一起，场效应晶体管四Q4的通断由下部的触发控制回路决定。下部的触发控制回路由两个部分组成：左边的触发信号端口和右边的微控制单元供电控制端口组成。当保护板处于休眠状态时，场效应晶体管四Q4断开，微控制单元MCU处于断电状态，保护板LDO模块功耗降至最低。当发生按键动作、充电器插入等有触发信号输入的情况，这瞬间场效应晶体管一Q1导通，使得场效应晶体管四Q4也导通，微控制单元MCU上电开始工作，检测外部触发信号的类型，同时微控制单元供电控制端口开始工作。微控制单元MCU与电容二C2配合，输出相应的PWM信号，使得场效应晶体管二Q2时刻保持导通，此时场效应晶体管四Q4也可以保持导通，保护板开始工作。在外部干扰或者内部器件发生问题等异常情况发生，微控制单元MCU死机时，微控制单元供电控制端口无法正常的输出特定频率的PWM信号，场效应晶体管二Q2断开，进而导致场效应晶体管四Q4断开，微控制单元MCU供电回路断开，保护板停止工作，达到保护电芯的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低休眠功耗并保护电芯的电路，包括电阻、场效应晶体管、二极管、电容、可控精密稳压源、稳压二极管，其特征在于：电池组供电端口（B+）串联电阻二十六（R26）后，分两路分别与电阻二十七（R27）的一端以及场效应晶体管四（Q4）的源极连接，场效应晶体管四（Q4）的漏极与二极管二（D2）的阳极连接，二极管二（D2）的阴极分两路分别与电阻二十八（R28）的一端以及场效应晶体管十二（Q12）的漏极连接，电阻二十八（R28）的另一端分三路分别与场效应晶体管十二（Q12）的栅极、可控精密稳压源（IC）的阴极以及电容十一（C11）的一端连接，电容十一（C11）的另一端分三路分别与可控精密稳压源（IC）的参考极、电阻四十九（R49）的一端以及电阻五十一（R51）的一端连接，电阻五十一（R51）的另一端分四路分别与场效应晶体管十二（Q12）的源极、电容三（C3）的一端、电容十八（C18）的一端以及电容十九（C19）的一端连接，可控精密稳压源（IC）的阳极、电阻四十九（R49）的另一端、电容三（C3）的另一端、电容十八（C18）的另一端以及电容十九（C19）的另一端接地；电阻二十七（R27）的另一端分两路分别与电阻四十八（R48）的一端以及场效应晶体管四（Q4）的栅极连接，电阻四十八（R48）的另一端分三路分别与电阻十三（R13）的一端、电阻十四（R14）的一端以及电容十（C10）的一端连接，电阻十四（R14）的另一端与场效应晶体管二（Q2）的漏极连接，场效应晶体管二（Q2）的栅极串联电阻二（R2）后，分两路分别与电阻八十五（R85）的一端以及电容二（C2）的一端连接，电阻十三（R13）的另一端与场效应晶体管一（Q1）的漏极连接，场效应晶体管一（Q1）的栅极分三路分别与电阻八十三（R83）的一端、电阻一（R1）的一端以及稳压二极管（ZD6）的阴极连接，电阻一（R1）的另一端分两路分别与电容一（C1）的一端以及二极管一（D1）的阴极连接，稳压二极管（ZD6）的阳极、电阻八十三（R83）的另一端、场效应晶体管一（Q1）的源极、电容十（C10）的另一端、场效应晶体管二（Q2）的源极、电阻八十五（R85）的另一端连接后接地。/n...

【技术特征摘要】
1.一种降低休眠功耗并保护电芯的电路，包括电阻、场效应晶体管、二极管、电容、可控精密稳压源、稳压二极管，其特征在于：电池组供电端口（B+）串联电阻二十六（R26）后，分两路分别与电阻二十七（R27）的一端以及场效应晶体管四（Q4）的源极连接，场效应晶体管四（Q4）的漏极与二极管二（D2）的阳极连接，二极管二（D2）的阴极分两路分别与电阻二十八（R28）的一端以及场效应晶体管十二（Q12）的漏极连接，电阻二十八（R28）的另一端分三路分别与场效应晶体管十二（Q12）的栅极、可控精密稳压源（IC）的阴极以及电容十一（C11）的一端连接，电容十一（C11）的另一端分三路分别与可控精密稳压源（IC）的参考极、电阻四十九（R49）的一端以及电阻五十一（R51）的一端连接，电阻五十一（R51）的另一端分四路分别与场效应晶体管十二（Q12）的源极、电容三（C3）的一端、电容十八（C18）的一端以及电容十九（C19）的一端连接，可控精密稳压源（IC）的阳极、电阻四十九（R49）的另一端、电容三（C3）的另一端、电容十八（C18）的另一端以及电容十九（C19）的另一端接地；电阻二十七（R27）的另一端分两路分别与电阻四十八（R48）的一端以及场效应晶体管四（Q4）的栅极连接，电阻四十八（R48）的另一端分三路分别与电阻十三（R13）的一端、电阻十四（R14）的一端以及电容十（C10）的一端连接，电阻十四（R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤奎，
申请(专利权)人：上海德朗能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31