一种电感限流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电感限流电路，其包括：高压电容、限流电感、IGBT‑H桥电路、控制电路和检测电路，其中所述高压电容的正极与所述限流电感连接，所述限流电感与所述IGBT‑H桥电路连接；所述控制电路分别与所述IGBT‑H桥电路和所述检测电路连接，所述检测电路与所述IGBT‑H桥电路连接。本实用新型专利技术所述的电感限流电路，可以选择耐流值更低的IGBT，体积与成本都可以降低很多，并且减少设计冗余。

An inductive current limiting circuit

【技术实现步骤摘要】
一种电感限流电路
本技术涉及医疗设备
，具体地是涉及一种电感限流电路，其可以适用于除颤设备上。
技术介绍
目前的除颤仪产品的除颤放电波形基本上以双相截断指数波为主，产生该波形的原理是通过给高压电容充电使之达到一定的电压(1000V～2200V)以存储相应的能量，然后将充好电的电容与患者指定部位连接，向患者放电，使电流流经心脏，达到除颤的效果。而在放电过程中电流的转向，是通过IGBT(绝缘栅双极性晶体管)组成的H桥实现的，通过开启H桥中相应的IGBT，可以实现不同的电流方向。IGBT具有驱动功率小，载流密度大，饱和压降低的优点。但目前的技术限制，使得耐压值越大、耐流值越大的IGBT体积也越大，同时价格也越昂贵。在除颤仪的使用情形中，需要的耐压值对目前的IGBT属于较高要求，而在极端意外情况下(病人身体出汗、潮湿，电极片安装错误短路等)，会有较大的电流产生(100A以上)，虽然这些情形较少发生，但在设计过程中必须纳入使用范围。因此对IGBT的耐流要求也很高。超出IGBT限制的电流会将IGBT烧毁，从而造成危险或影响救援。因此目前的除颤仪生产商一般会选择最大承载电流很大的IGBT以应对，体积较大，成本较高。因此，本技术的专利技术人亟需构思一种新技术以改善其问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种电感限流电路。本技术的技术方案是：一种电感限流电路，包括：高压电容、限流电感、IGBT-H桥电路、控制电路和检测电路，其中所述高压电容的正极与所述限流电感连接，所述限流电感与所述IGBT-H桥电路连接；所述控制电路分别与所述IGBT-H桥电路和所述检测电路连接，所述检测电路与所述IGBT-H桥电路连接。优选地，所述IGBT-H桥电路包括绝缘栅双极型晶体管Q800、绝缘栅双极型晶体管Q801、绝缘栅双极型晶体管Q802、绝缘栅双极型晶体管Q803，其中所述绝缘栅双极型晶体管Q800的第三脚、所述绝缘栅双极型晶体管Q801的第三脚均与所述限流电感连接；所述绝缘栅双极型晶体管Q802的第三脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q800的第二脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管Q802的第二脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q803的第二脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管Q803的第三脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q801的第二脚连接。优选地，所述控制电路包括与门U1A、与门U1B、与门U1C、与门U1D，所述与门U1A的第三脚通过电阻R1后与绝缘栅双极型晶体管Q800的第一脚连接；所述与门U1B的第三脚通过电阻R2后与绝缘栅双极型晶体管Q801的第一脚连接；所述与门U1C的第三脚通过电阻R3后与绝缘栅双极型晶体管Q802的第一脚连接；所述与门U1D的第三脚通过电阻R4后与绝缘栅双极型晶体管Q803的第一脚连接。优选地，所述检测电路包括运算放大器U807和电阻R811、R800、R801、R816、R814，其中所述运算放大器U807的第四脚与所述控制电路连接，所述运算放大器U807的第三脚通过电阻R811后与所述IGBT-H桥电路连接。所述运算放大器U807的第一脚与电阻R800、R801、R816、R814连接。优选地，还包括一电流采样电阻R813，其设置在所述高压电容的负极和所述IGBT-H桥电路之间。优选地，还包括依次串联的二极管D800、二极管D801、二极管D802，二极管D800、二极管D801、二极管D802与所述限流电感并联，其中二极管D802的正极与所述IGBT-H桥电路连接，二极管D800的负极与电容正极连接。优选地，所述与门U1A、与门U1B、与门U1C、与门U1D为74LVC08与门。优选地，所述运算放大器U807为LMV331运算放大器。采用上述技术方案，本技术至少包括如下有益效果：本技术所述的电感限流电路，在保证不耽误除颤仪救援的前提下，可以选择耐流值更低的IGBT，体积与成本都可以降低很多，并且减少设计冗余。附图说明图1为本技术所述的电感限流电路的原理图；图2为本技术所述的电感限流电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1至图2所示，为符合本技术的一种电感限流电路，包括：高压电容、限流电感、IGBT-H桥电路、控制电路、检测电路，其中所述高压电容的正极与所述限流电感连接，所述限流电感与所述IGBT-H桥电路连接，所述IGBT-H桥电路与患者连接；所述控制电路分别与所述IGBT-H桥电路和所述检测电路连接，所述控制电路输出电桥开关信号控制所述IGBT-H桥电路的开断；所述检测电路与所述IGBT-H桥电路连接。优选地，所述IGBT-H桥电路包括绝缘栅双极型晶体管Q800、绝缘栅双极型晶体管Q801、绝缘栅双极型晶体管Q802、绝缘栅双极型晶体管Q803，其中所述绝缘栅双极型晶体管Q800的第三脚、所述绝缘栅双极型晶体管Q801的第三脚均与所述限流电感连接；所述绝缘栅双极型晶体管Q802的第三脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q800的第二脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管Q802的第二脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q803的第二脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管Q803的第三脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q801的第二脚连接。优选地，所述控制电路包括与门U1A、与门U1B、与门U1C、与门U1D，所述与门U1A的第三脚通过电阻R1后与绝缘栅双极型晶体管Q800的第一脚连接；所述与门U1B的第三脚通过电阻R2后与绝缘栅双极型晶体管Q801的第一脚连接；所述与门U1C的第三脚通过电阻R3后与绝缘栅双极型晶体管Q802的第一脚连接；所述与门U1D的第三脚通过电阻R4后与绝缘栅双极型晶体管Q803的第一脚连接。优选地，所述检测电路包括运算放大器U807和电阻R811、R800、R801、R816、R814，其中所述运算放大器U807的第四脚与所述控制电路连接，所述运算放大器U807的第三脚通过电阻R811后与所述IGBT-H桥电路连接。所述运算放大器U807的第一脚与电阻R800、R801、R816、R814连接。优选地，还包括一电流采样电阻R813，其设置在所述高压电容的负极和所述IGBT-H桥电路之间。优选地，还包括依次串联的二极管D800、二极管D801、二极管D802，二极管D800、二极管D801、二极管D802与所述限流电感并联，其中二极管D802的正极与所述IGBT-H桥电路连接。优选地，所述与门U1A、与门U1B、与门U1C、与门U1D为74LVC08与门。优选地，所述运算放大器U807的型号为LMV331运算放大器。...

【技术保护点】
1.一种电感限流电路，其特征在于，包括：高压电容、限流电感、IGBT-H桥电路、控制电路和检测电路，其中所述高压电容的正极与所述限流电感连接，所述限流电感与所述IGBT-H桥电路连接；所述控制电路分别与所述IGBT-H桥电路和所述检测电路连接，所述检测电路与所述IGBT-H桥电路连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电感限流电路，其特征在于，包括：高压电容、限流电感、IGBT-H桥电路、控制电路和检测电路，其中所述高压电容的正极与所述限流电感连接，所述限流电感与所述IGBT-H桥电路连接；所述控制电路分别与所述IGBT-H桥电路和所述检测电路连接，所述检测电路与所述IGBT-H桥电路连接。


2.如权利要求1所述的电感限流电路，其特征在于：所述IGBT-H桥电路包括绝缘栅双极型晶体管Q800、绝缘栅双极型晶体管Q801、绝缘栅双极型晶体管Q802、绝缘栅双极型晶体管Q803，其中所述绝缘栅双极型晶体管Q800的第三脚、所述绝缘栅双极型晶体管Q801的第三脚均与所述限流电感连接；所述绝缘栅双极型晶体管Q802的第三脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q800的第二脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管Q802的第二脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q803的第二脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管Q803的第三脚与所述绝缘栅双极型晶体管Q801的第二脚连接。


3.如权利要求2所述的电感限流电路，其特征在于：所述控制电路包括与门U1A、与门U1B、与门U1C、与门U1D，所述与门U1A的第三脚通过电阻R1后与绝缘栅双极型晶体管Q800的第一脚连接；所述与门U1B的第三脚通过电阻R2后与绝缘栅双极型晶体管Q801的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪培林，
申请(专利权)人：苏州维伟思医疗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32