【技术实现步骤摘要】
一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器
本技术涉及光电探测领域,具体涉及一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器。
技术介绍
外尔半金属是新型半导体材料。基于外尔半金属的光电探测器能够实现300K温度以下的响应,而不需要运行在低温的环境,这一特性使得外尔半金属在光电探测领域具有很好的应用前景。专利技术专利CN107068785B公布了一种基于外尔半金属的光电探测结构,但是,该器件中,外尔半金属材料对光的吸收少、对光的利用率低。
技术实现思路
为增加光电探测器件对光的吸收,提高对光的利用效率,本技术提供了一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,该探测器包括从下往上依次设置有衬底、金属薄膜电极、外尔半金属材料、顶电极,金属薄膜电极和顶电极连接电压源和电流表,并形成回路,金属薄膜电极上设有孔洞。更进一步地,外尔半金属材料为TaAs或NbAs。更进一步地,顶电极为ITO或石墨烯材料。更进一步地,孔洞为圆形,并且周期性排列。更进一步地,孔洞为尺寸不同的圆形,并且随机排列。更进一步地,在金属薄膜电极上还设有金属颗粒。更进一步地,金属颗粒在竖直方向的尺寸大于水平方向的尺寸。更进一步地,在相邻孔洞间,金属颗粒的数目多于1个。更进一步地,金属薄膜电极的材料为金。更进一步地,金属颗粒的材料为金或银。本技术的有益效果:本技术提供了一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,在金属薄膜电极上设置孔洞,提高外尔 ...
【技术保护点】
1.一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,从下往上依次设置有衬底、金属薄膜电极、外尔半金属材料、顶电极,金属薄膜电极和顶电极连接电压源和电流表,并形成回路,其特征在于:金属薄膜电极上设有孔洞。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,从下往上依次设置有衬底、金属薄膜电极、外尔半金属材料、顶电极,金属薄膜电极和顶电极连接电压源和电流表,并形成回路,其特征在于:金属薄膜电极上设有孔洞。
2.如权利要求1所述的基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,其特征在于:所述外尔半金属材料为TaAs或NbAs。
3.如权利要求2所述的基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,其特征在于:所述顶电极为ITO或石墨烯材料。
4.如权利要求3所述的基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,其特征在于:所述孔洞为圆形,并且周期性排列。
5.如权利要求3所述的基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器,其特征在于:所述孔洞为尺寸不同的...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:南安翰臣枫商贸有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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