【技术实现步骤摘要】
一种干式空心电抗器磁场分析方法、装置及存储介质
本专利技术涉及干式空心电抗器
，尤其涉及一种干式空心电抗器磁场分析方法、装置及存储介质。
技术介绍
干式空心电抗器作为直流输电工程重要的直流主设备之一，承担着滤除谐波电流或电压，限制短路电流、防止工频电压升高、阻挡载波信号和消除由于电弧多次重燃引起的过电压等作用。干式空心电抗器的安全稳定运行对电网具有重要的经济社会意义。由于干式空心电抗器无铁芯，线圈的磁场关于中心轴对称分布在外部空气中，其本体周围的漏磁场大，漏磁场对电抗器周围的金属结构件发热影响严重，设计不当容易引起金属结构件过热，威胁电抗器的运行寿命与电网安全。因此，准确地计算干式空心电抗器本体及周围磁场分布显得尤为重要。现有的用于直流工程上的干式空心电抗器磁场计算方法主要采用带有工程经验系数的解析法，根据电抗器的线圈高度、包封半径、匝数等结构尺寸参数，利用感应系数法、矢量磁位法和Bartky变换法等解析法来开展电抗器的电感与磁密计算。但解析法计算电感与磁密，具有计算量大，运算复杂，有些算法往往需要借助数值计算...
【技术保护点】
1.一种干式空心电抗器磁场分析方法，其特征在于，包括：/n构建包含上下端部绝缘的二维干式空心电抗器仿真模型；/n根据预先获取的绕组集肤效应数据，采用预设的网格划分模型对所述二维干式空心电抗器仿真模型进行网格划分，得到二维干式空心电抗器网格模型；/n采用预先构建的外电路模型对所述二维干式空心电抗器网格模型进行仿真，得到干式空心电抗器本体及周围磁场分布数据。/n
【技术特征摘要】
1.一种干式空心电抗器磁场分析方法，其特征在于，包括：
构建包含上下端部绝缘的二维干式空心电抗器仿真模型；
根据预先获取的绕组集肤效应数据，采用预设的网格划分模型对所述二维干式空心电抗器仿真模型进行网格划分，得到二维干式空心电抗器网格模型；
采用预先构建的外电路模型对所述二维干式空心电抗器网格模型进行仿真，得到干式空心电抗器本体及周围磁场分布数据。
2.如权利要求1所述的干式空心电抗器磁场分析方法，其特征在于，所述构建包含上下端部绝缘的二维干式空心电抗器仿真模型，包括：
预先设置所述二维干式空心电抗器仿真模型的几何单元模式和求解器类型；
根据所述几何单元模式和所述求解器类型，构建包含上下端部绝缘的所述二维干式空心电抗器仿真模型；
根据预先采集的电抗器发热工况，赋予所述二维干式空心电抗器仿真模型各部件的材料属性。
3.如权利要求1所述的干式空心电抗器磁场分析方法，其特征在于，所述根据预先获取的绕组集肤效应数据，采用预设的网格划分模型对所述二维干式空心电抗器仿真模型进行网格划分，得到二维干式空心电抗器网格模型，具体包括：
设置所述二维干式空心电抗器仿真模型的边界条件；
采用所述网格划分模型，根据所述绕组集肤效应数据，对所述二维干式空心电抗器仿真模型各部分划分不同尺寸的网格单元，得到二维干式空心电抗器网格模型。
4.如权利要求1所述的干式空心电抗器磁场分析方法，其特征在于，所述绕组集肤效应数据包括集肤效应透入深度，通过如下步骤获取所述集肤效应透入深度：
根据公式(1)计算所述集肤效应透入深度：
其中，δ为所述集肤效应透入深度，ω为所述干式空心电抗器的绕组工作频率，σ为所述干式空心电抗器的绕组电导率，μ为所述干式空心电抗器的绕组相对磁导率。
5.如权利要求1所述的干式空心电抗器磁场分析方法，其特征在于，所述采用预先构建的外电路模型对所述二维干式空心电抗器网格模型进行仿真，得到干式空心电抗器本体及周围磁场分布数据，具体包括：
采用所述外电路模型，向所述二维干式空心电抗器网格模型各绕组施加预设的实际运行工况下的总电流，使得各绕组根据所述实际运行工况下的总电流施加激励；其中，所述总电流为干式空心电抗器根据实际运行工况进行损耗等效计算的等效直流电流或根据实际运行的各谐波电流进行损耗等效的等效工频电流；
设置所述二维干式空心电抗器网格模型的求解参数，并检查设置的所述求...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱俊霖，王帅兵，黄克捷，张巍，孙夏青，鲍连伟，程建伟，
申请(专利权)人：南方电网科学研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。