高强度的天线陶瓷滤波器制造技术

一种高强度的天线陶瓷滤波器，具有矩形的陶瓷介质块，陶瓷介质块靠近四个边角处分别设置有谐振槽；陶瓷介质块的外表面、谐振槽的底壁及内侧壁上均镀有导电层；陶瓷介质块的顶面靠近四个侧边的位置设置有三个电感等同件及一个第一电容等同件，陶瓷介质块的顶面的中部设置有第二电容等同件。如此提高了陶瓷介质块的结构强度，同时便于加工及清理。

High strength antenna ceramic filter

【技术实现步骤摘要】
高强度的天线陶瓷滤波器
本技术涉及5G通信天线
，特别是一种高强度的天线陶瓷滤波器。
技术介绍
随着通讯技术不断发展，第5代通讯系统即将商用。5G通信系统的低时延、高带宽的特性为人们生活与物联网应用提供了更好的平台。5G通讯系统由于引入了有源天线阵列(基站侧的协作天线数量最高可支持128根)，来改善信号覆盖，每根天线后面连接一台滤波器，需要128台，这对滤波器小型化提出了要求。介质陶瓷滤波器的高介电、低损耗特性非常适合应用在5G通讯系统中。介质陶瓷滤波器比较传统金属滤波器，体积可以缩小到1/5左右。现有的通信天线陶瓷滤波器的结构强度有待进一步提升，且加工难度较大。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种提高结构强度、便于加工及清理的高强度的天线陶瓷滤波器，以解决上述问题。一种高强度的天线陶瓷滤波器，具有矩形的陶瓷介质块，陶瓷介质块靠近四个边角处分别设置有谐振槽；陶瓷介质块的外表面、谐振槽的底壁及内侧壁上均镀有导电层；陶瓷介质块的顶面靠近四个侧边的位置设置有三个电感等同件及一个第一电容等同件，陶瓷介质块的顶面的中部设置有第二电容等同件。进一步地，所述电感等同件通过开设于陶瓷介质块的周向外侧壁上的凹槽实现，第一电容等同件通过开设于陶瓷介质块的顶面靠近一个侧边处的第一盲孔实现，第二电容等同件通过开设于陶瓷介质块的中部的第二盲孔实现。进一步地，所述陶瓷介质块靠近四个边角处按照顺时针方向依次设置有凹陷的第一谐振槽、第二谐振槽、第三谐振槽、第四谐振槽，其中第一谐振槽连接有输入端子，第四谐振槽连接有输出端子；输入端子及输出端子与导电层之间具有间隙；第一谐振槽与第二谐振槽之间设置有第一电感等同件，第二谐振槽与第三谐振槽之间具有第二电感等同件，第三谐振槽与第四谐振槽之间具有第一电容等同件，第四谐振槽与第一谐振槽之间具有第三电感等同件。进一步地，所述输入端子及输出端子设置于陶瓷介质块远离第一谐振槽、第二谐振槽、第三谐振槽、第四谐振槽的一侧。进一步地，所述陶瓷介质块靠近四个边角处按照顺时针方向依次设置有凹陷的第一谐振槽、第二谐振槽、第三谐振槽、第四谐振槽，其中第一谐振槽连接有输入端子，第四谐振槽连接有输出端子；输入端子及输出端子与导电层之间具有间隙；第一谐振槽与第二谐振槽之间设置有第一电容等同件，第二谐振槽与第三谐振槽之间具有第一电感等同件，第三谐振槽与第四谐振槽之间具有第二电感等同件，第四谐振槽与第一谐振槽之间具有第三电感等同件。与现有技术相比，本技术的高强度的天线陶瓷滤波器具有矩形的陶瓷介质块，陶瓷介质块靠近四个边角处分别设置有谐振槽；陶瓷介质块的外表面、谐振槽的底壁及内侧壁上均镀有导电层；陶瓷介质块的顶面靠近四个侧边的位置设置有三个电感等同件及一个第一电容等同件，陶瓷介质块的顶面的中部设置有第二电容等同件。如此提高了陶瓷介质块的结构强度，同时便于加工及清理。附图说明以下结合附图描述本技术的实施例，其中：图1为本技术提供的高强度的天线陶瓷滤波器的第一实施例的立体示意图。图2为本技术提供的高强度的天线陶瓷滤波器的第一实施例的俯视示意图。图3为本技术提供的高强度的天线陶瓷滤波器的第二实施例的立体示意图。图4为本技术提供的高强度的天线陶瓷滤波器的第二实施例的俯视示意图。具体实施方式以下基于附图对本技术的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本技术实施例的说明并不用于限定本技术的保护范围。请参考图1，本技术提供的高强度的天线陶瓷滤波器具有矩形的陶瓷介质块10，陶瓷介质块10靠近四个边角处按照顺时针方向依次设置有凹陷的第一谐振槽A、第二谐振槽B、第三谐振槽C、第四谐振槽D，其中第一谐振槽A连接有输入端子in、第四谐振槽D连接有输出端子out。陶瓷介质块10的外表面、第一谐振槽A、第二谐振槽B、第三谐振槽C、第四谐振槽D中的底壁及内侧壁上均镀有导电层，输入端子in及输出端子out与导电层之间具有间隙，实现输入端子in及输出端子out与导电层之间的隔离。间隙通过留白实现。本实施方式中，输入端子in及输出端子out设置于陶瓷介质块10远离第一谐振槽A、第二谐振槽B、第三谐振槽C、第四谐振槽D的一侧。第一谐振槽A与第二谐振槽B之间设置有第一电感等同件L1，实现第一谐振槽A与第二谐振槽B之间的感性耦合；第二谐振槽B与第三谐振槽C之间具有第二电感等同件L2，实现第二谐振槽B与第三谐振槽C之间的感性耦合；第三谐振槽C与第四谐振槽D之间具有第一电容等同件C1，实现第三谐振槽C与第四谐振槽D之间的容性耦合；第四谐振槽D与第一谐振槽A之间具有第三电感等同件L3，实现第四谐振槽D与第一谐振槽A之间的感性耦合；呈对角线相对设置的第一谐振槽A与第三谐振槽C之间，或者第二谐振槽B与第四谐振槽D之间设置有第二电容等同件C2，实现第一谐振槽A与第三谐振槽C之间，或者第二谐振槽B与第四谐振槽D之间的容性耦合。请参考图2，本实施方式中，第一电感等同件L1通过开设于陶瓷介质块10上位于第一谐振槽A与第二谐振槽B之间的外侧壁上的第一凹槽21实现；第二电感等同件L2通过开设于陶瓷介质块10上位于第二谐振槽B与第三谐振槽C之间的外侧壁上的第二凹槽22实现；第三电感等同件L3通过一开设于陶瓷介质块10上位于第四谐振槽D与第一谐振槽A之间的第三凹槽23实现。通过设置第一凹槽21、第二凹槽22或第三凹槽23的深度可调节第一电感等同件L1、第二电感等同件L2或第三电感等同件L3的电感值大小。第一电容等同件C1通过开设于陶瓷介质块10上第三谐振槽C与第四谐振槽D之间的第一盲孔31实现，第二电容等同件C2通过开设于陶瓷介质块10的中部的第二盲孔32实现，第一盲孔31或第二盲孔32的直径及深度影响第一电容等同件C1或第二电容等同件C2的电容值大小。如此第一凹槽21、第二凹槽22及第三凹槽23均设置于陶瓷介质块10的周向侧面上，而不设置于陶瓷介质块10的内部，提高了陶瓷介质块10的结构强度，同时便于对第一凹槽21、第二凹槽22及第三凹槽23进行加工及清理。请参考图3及图4，本技术提供的高强度的天线陶瓷滤波器的另一实施方式中，第一电容等同件C1设置于第一谐振槽A与第二谐振槽B之间，第一电感等同件L1设置于第二谐振槽B与第三谐振槽C之间，第二电感等同件L2设置于第三谐振槽C与第四谐振槽D之间。与现有技术相比，本技术的高强度的天线陶瓷滤波器具有矩形的陶瓷介质块10，陶瓷介质块10靠近四个边角处分别设置有谐振槽；陶瓷介质块10的外表面、谐振槽的底壁及内侧壁上均镀有导电层；陶瓷介质块10的顶面靠近四个侧边的位置设置有三个电感等同件及一个第一电容等同件C1，陶瓷介质块10的顶面的中部设置有第二电容等同件C2。如此提高了陶瓷介质块10的结构强度，同时便于对第一凹槽21、第二凹槽22及第三凹槽23进行加工及清理。以上仅为本技术的较佳实施例，并不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高强度的天线陶瓷滤波器，其特征在于：具有矩形的陶瓷介质块，陶瓷介质块靠近四个边角处分别设置有谐振槽；陶瓷介质块的外表面、谐振槽的底壁及内侧壁上均镀有导电层；陶瓷介质块的顶面靠近四个侧边的位置设置有三个电感等同件及一个第一电容等同件，陶瓷介质块的顶面的中部设置有第二电容等同件。/n

【技术特征摘要】
1.一种高强度的天线陶瓷滤波器，其特征在于：具有矩形的陶瓷介质块，陶瓷介质块靠近四个边角处分别设置有谐振槽；陶瓷介质块的外表面、谐振槽的底壁及内侧壁上均镀有导电层；陶瓷介质块的顶面靠近四个侧边的位置设置有三个电感等同件及一个第一电容等同件，陶瓷介质块的顶面的中部设置有第二电容等同件。


2.如权利要求1所述的高强度的天线陶瓷滤波器，其特征在于：所述电感等同件通过开设于陶瓷介质块的周向外侧壁上的凹槽实现，第一电容等同件通过开设于陶瓷介质块的顶面靠近一个侧边处的第一盲孔实现，第二电容等同件通过开设于陶瓷介质块的中部的第二盲孔实现。


3.如权利要求1或2所述的高强度的天线陶瓷滤波器，其特征在于：所述陶瓷介质块靠近四个边角处按照顺时针方向依次设置有凹陷的第一谐振槽、第二谐振槽、第三谐振槽、第四谐振槽，其中第一谐振槽连接有输入端子，第四谐振槽连接有输出端子；输入端子及输出端子与导电层之间具有间隙...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫平，王常春，丁超超，
申请(专利权)人：浙江嘉康电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33