一种基于散热设计的集成封装射频前端组件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于散热设计的集成封装射频前端组件，其结构包括：金属框架，低噪声放大器，幅度相位控制芯片，功率放大器，限幅器，键合金线以及封盖，其中主体为金属框架，幅度相位控制芯片安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；功率放大器安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；限幅器安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；低噪声放大器安装在幅度相位控制芯片正面，通过键合金线与金属框架连接。采用此封装结构在降低射频前端组件体积的同时大大提高了封装散热能力，有助于减小整体系统体积并提高系统性能。

An integrated RF front-end package based on heat dissipation design

【技术实现步骤摘要】
一种基于散热设计的集成封装射频前端组件
本技术涉及一种集成封装射频前端组件，特别涉及一种基于散热设计的集成封装射频前端组件。
技术介绍
随着雷达和通信系统中信号传输距离的不断增加，大功率器件广泛应用到相关领域电路模块和系统中。同时，随着系统小型化、轻质化需求，需要将原来越多的芯片和元器件集成在一个有限尺寸封装中，大幅增加了单位面积芯片功率和热耗，严重制约了整体系统的电热性能。采用基于散热设计的集成封装射频前端组件，提高了整体系统的散热能力，有助于改善射频前端组件的电性能，进而实现整体系统的小型化。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术提供一种基于散热设计的集成封装射频前端组件，包括：金属框架，低噪声放大器、幅度相位控制芯片，功率放大器，限幅器，键合金丝，封盖，其中，金属框架为四周带有一圈焊端的长方体金属结构；金属框架四周焊端可以是正方体，长方体，或者椭圆体；低噪声放大器安装在幅度相位控制芯片正面；幅度相位控制芯片安装在金属框架正面；功率放大器安装在金属框架正面；限幅器安装在金属框架正面；金属框架正面上有键合金丝；金属框架顶端有封盖，使用绝缘的塑料或者陶瓷材料封装连接；进一步地，低噪声放大器采用涂胶黏合方式安装到幅度相位控制芯片正面。进一步地，低噪声放大器与金属框架需要有电路连接。进一步地，低噪声放大器与金属框架可以通过金丝键合方式连接。进一步地，幅度相位控制芯片采用涂胶黏合方式安装到金属框架正面。进一步地，幅度相位控制芯片与金属框架需要有电路连接。进一步地，幅度相位控制芯片与金属框架可以通过金丝键合或者热压金属接触方式连接。进一步地，功率放大器采用涂胶黏合方式安装到金属框架正面进一步地，功率放大器与金属框架需要有电路连接。进一步地，功率放大器与金属框架可以通过金丝键合或者热压金属接触方式连接。进一步地，限幅器采用涂胶黏合方式安装到金属框架正面。进一步地，限幅器与金属框架需要有电路连接。进一步地，限幅器与金属框架可以通过金丝键合或者热压金属接触方式连接。进一步地，低噪声放大器与幅度相位控制芯片通过金丝键合方式连接。进一步地，幅度相位控制芯片与功率放大器通过金丝键合方式连接。进一步地，功率放大器与限幅器通过金丝键合方式连接。进一步地，限幅器与低噪声放大器通过金丝键合方式连接。本技术的有益效果在于：1、采用金属框架作为组件底板，底部中央有大面积裸露焊盘，散热性能好；2、各芯片之间采用金丝键合方式连接，射频性能好；3、采用集成封装方式，整体体积小，单位体积功能比例高；4、射频前端组件的电热性能可通过针对整体进行建模和防真进行前期性能评估，有利于提高设计效率；5、采用金丝键合方式，加工难度不大，有利于生产；6、模块化设计有利于降低生产成本和质量控制。附图说明下面结合附图对本技术作进一步说明：图1是本技术实施例的整体结构示意图；具体实施方式下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。一种基于散热设计的集成封装射频前端组件包括：金属框架1，低噪声放大器2、幅度相位控制芯片3，功率放大器4，限幅器5，键合金丝6，封盖7，其中金属框架1为金属材料四周带有一圈焊端的长方体结构，正面设有相应的芯片安装区域；低噪声放大器2，为射频前端组件功能电路组成之一安装在幅度相位控制芯片3的正面，位置可调整；幅度相位控制芯片3，为射频前端组件功能电路组成之一安装在金属框架1的正面；功率放大器4，为射频前端组件功能电路组成之一安装在金属框架1的正面；限幅器5，为射频前端组件功能电路组成之一安装在金属框架1的正面；多个键合金丝6在金属框架1的正面，与金属框架连接。优选的，金属框架1四周焊端的形状可以是正方体，长方体，或者椭圆体。优选的，低噪声放大器2通过键合金丝6与金属框架1连接。优选的，幅度相位控制芯片3可以选择通过底部背金热压接触或者键合金丝6与金属框架1连接。优选的，功率放大器4可以选择通过底部背金热压接触或者键合金丝6与金属框架1连接。优选的，限幅器5可以选择通过底部背金热压接触或者键合金丝6与金属框架1连接。优选的，整个射频前端组件增加封盖7，用于密封整个正面器件。实施例：如图1所示集成封装射频前端组件包括：金属框架1，低噪声放大器2，幅度相位控制芯片3，功率放大器4，限幅器5，键合金丝6以及封盖7。金属框架1为四周带有一圈焊端的长方体金属结构，在本实施例中焊端的形状为长方体，金属框架1上面布有多个用于电信号连接的键合金丝6。低噪声放大器2，幅度相位控制芯片3，功率放大器4，限幅器5安装在金属框架1的正面安装区域，通过涂胶粘接的方式连接到金属框架1上。低噪声放大器2，幅度相位控制芯片3，功率放大器4，限幅器5与金属框架1的四周焊端之间采用金丝键合方式连通。封盖7安装在硅基板1的前端，本实施例中采用塑封加工，可以直接热塑压合到金属框架1上。上述实施方式旨在举例说明本技术可为本领域专业技术人员实现或使用，对上述实施方式进行修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，故本技术包括但不限于上述实施方式，任何符合本权利要求书或说明书描述，符合与本文所公开的原理和新颖性、创造性特点的方法、工艺、产品，均落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于散热设计的集成封装射频前端组件，其特征在于，所述射频前端组件集成封装包括：金属框架(1)，低噪声放大器(2)、幅度相位控制芯片(3)，功率放大器(4)，限幅器(5)，键合金丝(6)，封盖(7)，其中：/n金属框架(1)为四周带有一圈焊端的长方体框架，正面设有芯片安装区域，底部的背面中央有大面积裸露焊盘用于导热；/n低噪声放大器(2)，安装在幅度相位控制芯片(3)正面；/n幅度相位控制芯片(3)，安装在金属框架(1)正面，幅度相位控制芯片(3)底面与金属框架(1)连接；/n功率放大器(4)，安装在金属框架(1)正面，功率放大器(4)底面与金属框架(1)连接；/n限幅器(5)，安装在金属框架(1)正面，限幅器(5)底面与金属框架(1)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于散热设计的集成封装射频前端组件，其特征在于，所述射频前端组件集成封装包括：金属框架(1)，低噪声放大器(2)、幅度相位控制芯片(3)，功率放大器(4)，限幅器(5)，键合金丝(6)，封盖(7)，其中：
金属框架(1)为四周带有一圈焊端的长方体框架，正面设有芯片安装区域，底部的背面中央有大面积裸露焊盘用于导热；
低噪声放大器(2)，安装在幅度相位控制芯片(3)正面；
幅度相位控制芯片(3)，安装在金属框架(1)正面，幅度相位控制芯片(3)底面与金属框架(1)连接；
功率放大器(4)，安装在金属框架(1)正面，功率放大器(4)底面与金属框架(1)连接；
限幅器(5)，安装在金属框架(1)正面，限幅器(5)底面与金属框架(1)连接。


2.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：班郁，刘杰，汪志强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司信息科学研究院，
类型：新型
国别省市：北京;11