反应性离子蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可在被处理基板的面内整体上得到大致均匀的蚀刻率的低成本且结构简单的反应性离子蚀刻装置。本发明专利技术的反应性离子蚀刻装置EM，在台架(4)上设置具有一对电极(42b，42c)的静电卡盘(42)，通过在被处理基板(W)的蚀刻时向该一对电极施加直流电压，使被处理基板静电吸附在静电卡盘上，通过第一输出线(L1)与台架连接并对被处理基板施加偏置电位的高频电源(E2)，其通过第二输出线(L2)与一对电极连接并与直流电压重叠地施加高频电位，在第一输出线和第二输出线上分别夹设第一电容器(C1)和第二电容器(C2)，第一电容器与第二电容器的静电容量比设置在0.25～25的范围内。

Reactive ion etching device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】反应性离子蚀刻装置
本专利技术涉及一种反应性离子蚀刻装置。
技术介绍
例如在半导体器件的制造工序中，为了有选择地去除在硅晶片等基板表面形成的金属膜和绝缘材料膜，以往一直使用一种利用真空气氛的反应性离子蚀刻装置。该装置通常具有：台架，其在真空室内设置被处理基板；气体导入单元，其将蚀刻气体导入真空状态中的真空室内；等离子体产生单元，其使真空室内产生电离被导入的该蚀刻气体的等离子体；高频电源，其通过输出线与台架连接，对被处理基板施加偏置电位。此处，近年来，被处理基板呈大面积化，对这样的被处理基板也要求在其面内整体上得到大致均匀的蚀刻率。例如在专利文件1中已知，以往使用两台高频电源，给以彼此绝缘的状态设置在台架上的第一电极(内侧电极)和第二电极(外侧电极)分别施加不同频率的高频电力。在该装置中，设置为通过改变第一电极和第二电极上施加的电力比，并调整施加给被处理基板的偏置电位的分布，在被处理基板整体上得到大致均匀的蚀刻率。然而，上述以往例子中，由于使用两台高频电源(和分配器)，存在装置成本增加且装置结构也变复杂的问题。并且，使用上述反应性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应性离子蚀刻装置，其具有：台架，其在真空室内设置被处理基板；气体导入单元，其将蚀刻气体导入真空状态中的真空室内；等离子体产生单元，其在真空室内产生电离被导入的该蚀刻气体的等离子体；高频电源，其通过第一输出线与台架连接，对被处理基板施加偏置电位；/n在台架上设置具有一对电极的静电卡盘，通过在被处理基板的蚀刻时向该一对电极施加直流电压，使被处理基板静电吸附在静电卡盘上，/n所述装置的特征在于：/n高频电源通过第二输出线与一对电极连接并与直流电压重叠地施加高频电位，在第一输出线和第二输出线上分别夹设第一电容器和第二电容器，第一电容器与第二电容器的静电容量比设置在0.25～25的范围内。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180129 JP 2018-0126011.一种反应性离子蚀刻装置，其具有：台架，其在真空室内设置被处理基板；气体导入单元，其将蚀刻气体导入真空状态中的真空室内；等离子体产生单元，其在真空室内产生电离被导入的该蚀刻气体的等离子体；高频电源，其通过第一输出线与台架连接，对被处理基板施加偏置电位；
在台架上设置具有一对电极的静电卡盘，通过在被处理基板的蚀刻时向该一对电极施加...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村隆一郎，长田大和，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP