聚合物发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了聚合物发光二极管及其制备方法。该衬底、金属氧化物透明阳极、金属酞菁修饰层、聚合物发光层和阴极。其中，金属氧化物透明阳极形成在衬底的至少部分表面；金属酞菁修饰层形成在金属氧化物透明阳极远离衬底的至少部分表面，所述金属酞菁修饰层包含式(I)所示化合物的纳米晶；聚合物发光层形成在金属酞菁修饰层远离金属氧化物透明阳极的至少部分表面；阴极形成在聚合物发光层远离金属酞菁修饰层的至少部分表面；该聚合物发光二极管采用非溶性金属酞菁作为阳极修饰材料，可在避免有毒有害有机溶剂使用的同时，显著提高器件的发光效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】
聚合物发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及光电器件领域，具体而言，本专利技术涉及聚合物发光二极管及其制备方法。
技术介绍
随着电子科技的日益发展和人们消费需求的普遍提高，市场对显示器不断提出新要求：高色彩饱和度、快速响应、低能耗、轻质、柔性等。有机发光二极管(Organiclight-emittingdiode，OLED)因符合上述特点而引起越来越多的研究兴趣，目前该领域发展迅猛，部分产品已开始进入市场。然而，问题依然存在，如难以实现大面积湿法制备，器件寿命及稳定性相对较差等，大大限制了其推广应用。从工业化角度分析，溶液处理方法是大面积加工、降低生产成本的更好选择，因而应用前景广阔。其中采用全溶液方法制备聚合物发光二极管(Polymerlight-emittingdiode，PLED)是OLED产业发展未来的大趋势。功率效率，器件寿命以及工艺条件，器件成本等还是限制着OLED的进一步工业化发展。优化载流子注入/传输性能使器件中的正负载流子维持相互平衡是获得高效率OLED的有效途径。由于电极与有机层之间的接触电阻和肖特基势垒的存在，界面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚合物发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底；/n金属氧化物透明阳极，所述金属氧化物透明阳极形成在所述衬底的至少部分表面；/n金属酞菁修饰层，所述金属酞菁修饰层形成在所述金属氧化物透明阳极远离所述衬底的至少部分表面，所述金属酞菁修饰层包含式(I)所示化合物的纳米晶；/n聚合物发光层，所述聚合物发光层形成在所述金属酞菁修饰层远离所述金属氧化物透明阳极的至少部分表面；/n阴极，所述阴极形成在所述聚合物发光层远离所述金属酞菁修饰层的至少部分表面；/n

【技术特征摘要】
1.一种聚合物发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
金属氧化物透明阳极，所述金属氧化物透明阳极形成在所述衬底的至少部分表面；
金属酞菁修饰层，所述金属酞菁修饰层形成在所述金属氧化物透明阳极远离所述衬底的至少部分表面，所述金属酞菁修饰层包含式(I)所示化合物的纳米晶；
聚合物发光层，所述聚合物发光层形成在所述金属酞菁修饰层远离所述金属氧化物透明阳极的至少部分表面；
阴极，所述阴极形成在所述聚合物发光层远离所述金属酞菁修饰层的至少部分表面；



式(I)中，各R分别独立地为H或甲基，且各R不均为H；M为Al、In或Ga。


2.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，式(I)中，R为甲基。


3.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，所述金属氧化物透明阳极包括氧化铟锡和/或氟掺杂氧化铟锡。


4.根据权利要求1所述的聚合物发光二极管，其特征在于，所述聚合物发光层包括PDY-132、MEH-PPV、Ir(ppy)3中的至少之一。


5.根据权利要求1所述的聚合物发光二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：许宗祥，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东;44