移动NAND奇偶校验信息技术制造技术

本发明专利技术涉及移动NAND奇偶校验信息技术。在一些实例中揭示用于处理具有有限高速缓冲存储器的非易失性存储器装置的奇偶校验数据的技术。在某些实例中，用户数据可以数据条带被编程到所述非易失性存储器装置的所述非易失性存储器中，且可计算所述非易失性存储器装置的有限容量高速缓冲存储器内的每一个别数据条带的奇偶校验信息。当编程额外数据条带时，所述个别奇偶校验信息可在所述非易失性存储器的交换块与所述有限容量高速缓冲存储器之间交换。

【技术实现步骤摘要】
移动NAND奇偶校验信息技术
本专利技术涉及移动NAND奇偶校验信息技术。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及其它存储器。非易失性存储器可在未通电时保持经存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)或3DXpointTM存储器以及其它存储器。对于广泛范围的电子应用，快闪存储器用作非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含一晶体管、浮动栅极或电荷俘获存储器单元的一或多个群组，其允许高存储器密度、高可靠性及低功耗。两种常见类型的快闪存储器阵列架构包含NAND及NOR架构，以每一者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND存储器装置，其包括：/n随机存取存储器RAM缓冲器；/nNAND存储器单元阵列，其经组织成页、用户数据的数据条带及奇偶校验信息区中，其中所述奇偶校验信息区包含与用户信息的所述数据条带相关联的奇偶校验信息；及/n控制器，其经配置以：/n将第一用户数据编程到所述NAND存储器单元阵列的第一多个数据条带的第一部分；/n将与第二多个数据条带相关联的当前奇偶校验信息从所述RAM缓冲器复制到所述奇偶校验信息区；/n将所述第一多个数据条带的经存储奇偶校验信息从所述奇偶校验信息区复制到所述RAM缓冲器以替换与所述第二多个数据条带相关联的所述当前奇偶校验信息；及/n使用所述经存储奇偶校验信息及所...

【技术特征摘要】
20181012 US 16/159,0271.一种NAND存储器装置，其包括：
随机存取存储器RAM缓冲器；
NAND存储器单元阵列，其经组织成页、用户数据的数据条带及奇偶校验信息区中，其中所述奇偶校验信息区包含与用户信息的所述数据条带相关联的奇偶校验信息；及
控制器，其经配置以：
将第一用户数据编程到所述NAND存储器单元阵列的第一多个数据条带的第一部分；
将与第二多个数据条带相关联的当前奇偶校验信息从所述RAM缓冲器复制到所述奇偶校验信息区；
将所述第一多个数据条带的经存储奇偶校验信息从所述奇偶校验信息区复制到所述RAM缓冲器以替换与所述第二多个数据条带相关联的所述当前奇偶校验信息；及
使用所述经存储奇偶校验信息及所述第一用户数据确定所述第一多个数据条带的新奇偶校验信息。


2.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中所述多个第一数据条带中的每一数据条带横跨所述NAND存储器单元阵列的多个页。


3.根据权利要求2所述的NAND存储器装置，其中每一数据条带的所述NAND存储器的所述多个页中的每一页与所述NAND存储器装置的字线相关联；且
其中在所述NAND存储器阵列的平面内，第一数据条带的页由所述第一数据条带中的每一其它页通过至少多个字线分离。


4.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中所述奇偶校验信息区的大小大于所述RAM缓冲器。


5.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中所述RAM缓冲器包含静态RAMSRAM。


6.一种方法，其包括：
用第一数据编程NAND存储器装置的第一数目个数据条带；
将与所述第一数目个数据条带相关联的第一数目个奇偶校验信息从所述NAND存储器装置的NAND存储器加载到所述NAND存储器装置的随机存取存储器RAM缓冲器；
使用所述第一数据刷新所述第一数目个奇偶校验信息；
用第二数据编程所述NAND存储器的第二数目个数据条带；
将所述第一数目个奇偶校验信息复制到所述NAND存储器的奇偶校验信息区；
将与所述第二数目个数据条带相关联的第二数目个奇偶校验信息从所述奇偶校验信息区加载到所述RAM缓冲器以替换所述第一数目个奇偶校验信息；及
使用所述第二数据刷新所述第二数目个奇偶校验信息。


7.根据权利要求6所述的方法，所述第一数目个数据条带中的每一数据条带横跨所述NAND存储器装置的NAND存储器单元阵列的多个页。


8.根据权利要求7所述的方法，其中每一数据条带的所述多个页中的每一页与所述NAND存储器装置的字线相关联；且
其中在所述NAND存储器阵列的平面内，第一数据条带的页由所述第一数据条带中的每一其它页通过多个字线分离。


9.根据权利要求7所述的方法，所述第二数目个数据条带中的每一数据条带横跨所述NAND存储器单元阵列的所述多个页。


10.根据权利要求6所述的方法，其中所述RAM缓冲器的大小小于所述第一数目个奇偶校验信息与所述第二数目个奇偶校验信息的经组合大小。

【专利技术属性】
技术研发人员：H·R·桑吉迪，罗贤钢，J·黄，K·K·姆奇尔拉，A·马尔谢，V·P·拉亚普鲁，S·瑞特南，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US