【技术实现步骤摘要】
一种通讯波段透明的硫系相变材料及其制备方法
本专利技术涉及属于微电子
,更具体地,涉及一种通讯波段透明的硫系相变材料及其制备方法。
技术介绍
随着光子集成电路、光子计算机等概念的提出,非易失相变材料(PCM)在光开关、光逻辑器件和光存储器件中的应用研究逐渐开始走入人们的视野。然而,在将现有的PCM应用于光路和光器件中时,却涉及到了PCM透光波段的问题。因此,对于集成光器件使用的光学相变材料,除了要具有其作为PCM的基本性能,还需要关注其适用的光学工作波段。希望其在使用的波长损耗低,且与晶态的折射率差异足够大。以1550nm为中心的通讯C波段是最重要的光通信波段。但是,现有的相变材料即使在非晶态时在该波段却都有极为明显的损耗。GeSbTe225,作为一种性能卓越的经典非易失相变材料,其非晶态的透明波段在中、远红外,虽然其适用操作波段宽至几十微米,但在通信波段附近,非晶态的Ge2Sb2Te5依然有很强的吸收,集成在光路中将造成明显的光损耗,即便不局限于非易失相变材料,过渡金属氧化物相变材料氧化钒VO2在应用于通信波 ...
【技术保护点】
1.一种通讯波段透明的硫系相变材料,其特征在于:其组分化学通式为Ge
【技术特征摘要】
20190829 CN 20191080991831.一种通讯波段透明的硫系相变材料,其特征在于:其组分化学通式为GezSb2Tey-S(Se)x,0<x≤4,0≤y≤4,0≤z≤2。
2.根据权利要求1所述通讯波段透明的硫系相变材料,其特征在于:在所述GezSb2Tey-S(Se)x中,z=2,0<x≤1,y=4。
3.根据权利要求1所述通讯波段透明的硫系相变材料,其特征在于:在所述GezSb2Tey-S(Se)x中,z=2,1<x≤2,y=3。
4.根据权利要求1所述通讯波段透明的硫系相变材料,其特征在于:在所述GezSb2Tey-S(Se)x中,z=2,2<x≤3,y=2。
5.根据权利要求1所述通讯波段透明的硫系相变材料,其特征在于:在所述GezSb2Tey-S(Se)x中,z=2,3<x≤4,y=1。
6.根据权利要求1所述通...
【专利技术属性】
技术研发人员:张斌,杨泽林,李朝晖,曾平羊,夏迪,宋景翠,朱莺,
申请(专利权)人:中山大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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