一种待激光切割晶圆的筛选系统以及激光切割装置制造方法及图纸

一种待激光切割晶圆的筛选系统，包括：承载台，用于承载晶圆，所述晶圆一表面侧具有反射层；反射率检测器，包括：第一光源和/或第二光源；检测模块和对比模块，能执行如下步骤：检测晶圆的反射层表面对第一光源的第一反射率T1，然后比对第一反射率T1与一指定的第一反射率阈值T1'，如果比对结果为T1＞T1'，则输出结果以指示该晶圆不能够正常取像，反之则输出结果以指示该晶圆能执行取像；和/或，能执行如下步骤：检测晶圆的反射层表面对第二光源的第二反射率T2，然后比对第二反射率T2与一指定的第二反射率阈值T2'，如果比对结果为T2＞T2'，则输出结果以指示该晶圆不能执行激光切割，反之则输出结果以指示该晶圆能执行切割。

A screening system for wafer to be laser cut and laser cutting device

【技术实现步骤摘要】
一种待激光切割晶圆的筛选系统以及激光切割装置
涉及一种待激光切割晶圆的筛选系统、激光切割装置、筛选工艺以及激光切割工艺。
技术介绍
正装LED芯片为一种正面出光以及水平设置打线电极的发光二极管结构，为了提高正装LED芯片的正面出光光效，通常会在正装LED芯片的蓝宝石衬底的背面侧设置DBR或银反射层。其中背面设置有DBR的正装LED芯片的制作流程包括，对一大片的晶圆进行切割加劈裂以获得单元化的正装LED芯片，切割加劈裂的工艺具体为：首先对大片的晶圆进行取晶圆轮廓，然后取像以获得显示包括多个金属电极和多个台阶的图像，根据图像上的金属电极位置和或台阶位置确定切割位置，然后将激光的激光束聚焦到切割位置，并透过DBR照射到晶圆的蓝宝石衬底内部，蓝宝石衬底内部被烧蚀变形，形成一个分割用的连续激光爆点，再对晶圆施以外力劈裂将其分割成单元化的芯片。然而目前的生产线上容易出现以下技术问题，由于前道制程或其他因素的差异，导致晶圆在经过激光隐作业时，受DBR反射层对取像的光过度反射的影响，激光切割机台获取的影像模糊，无法确认切割位置，导致频繁报警，无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种待激光切割晶圆的筛选系统，包括：承载台，用于承载待激光切割晶圆，所述待激光切割晶圆一表面侧具有反射层；/n反射率检测器，包括：/n第一光源和/或第二光源；/n检测模块和对比模块，能执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第一光源的第一反射率T1，然后比对第一反射率T1与一指定的第一反射率阈值T1'，如果比对结果为T1＞T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能够正常取像，如果比对结果为T1≤T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行取像；/n和/或，能执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第二光源的第二反射率T2，然后比对第二反射率T2与一指定的第二反射率阈值T2'...

【技术特征摘要】
1.一种待激光切割晶圆的筛选系统，包括：承载台，用于承载待激光切割晶圆，所述待激光切割晶圆一表面侧具有反射层；
反射率检测器，包括：
第一光源和/或第二光源；
检测模块和对比模块，能执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第一光源的第一反射率T1，然后比对第一反射率T1与一指定的第一反射率阈值T1'，如果比对结果为T1＞T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能够正常取像，如果比对结果为T1≤T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行取像；
和/或，能执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第二光源的第二反射率T2，然后比对第二反射率T2与一指定的第二反射率阈值T2'，如果比对结果为T2＞T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能执行激光切割，如果比对结果为T2≤T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行切割。


2.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的反射层包括单层介质层、布拉格反射层中至少一种。


3.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述的衬底为蓝宝石衬底。


4.根据权利要求3所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述衬底的另外一面侧包括半导体发光序列以及多个金属电极。


5.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述的第一光源的波段与激光切割机台中取像作业用的光源的波段相同，所述取像作业为获取所述被切割晶圆上每一单元结构的平面图像，所述单元结构为晶圆经过切割并被裂开形成的单元结构。


6.根据权利要求4所述的一种待待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述取像通过CCD取像。


7.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：第二光源的波段与激光切割用的光源的波段相同。


8.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：第一光源和第二光源为面光源。


9.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：反射率检测器执行如下步骤：根据比对结果为T1≤T1'，输出结果以指示该待激光切割晶圆能够正常取像，并继续执行如下步骤：检测待激光切割晶圆的反射层表面对第二光源的第二反射率T2，并比对第二反射率T2与一指定的第二反射率阈值T2'，如果比对结果为T2＞T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆不能执行切割，如果比对结果为T2≤T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能执行切割。


10.根据权利要求1或9所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：所述的反射率检测器的检测模块可执行如下步骤：根据比对结果如果为T1≤T1'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆能够正常取像，并继续执行如下步骤：比对第二反射率T2与指定的第二反射阈值T2'，如果比对结果为T2≤T2'，则输出结果以指示该待激光切割晶圆可进行切割，并继续比对第二反射率T2与指定的第三反射阈值T3'，若比对结果T2＞T3'，则所述的筛选系统输出结果以指示该待激光切割晶圆需要调整激光功率以进行切割，如果比对结果为T2≤T3'，则所述的筛选系统输出结果以指示该待激光切割晶圆不可进行正常切割。


11.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的第一光源的中心波长或波段为介于800~900nm之间，其中所述的第二光源的中心波长或波段介于1000nm~1100nm之间。


12.根据权利要求11所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的第一反射率阈值T1'为≤90%的任意值。


13.根据权利要求11所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的第二反射率阈值T2'为≤35%的任意值。


14.根据权利要求11所述的一种待激光切割晶圆的筛选系统，其特征在于：其中所述的第三反射率阈值T3'为20~30%之间的任意值，并且T2'大于T3'。


15.根据权利要求1所述的一种待激光切割晶圆的筛...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨秋爱，林旭明，蔡秋月，蔡吉明，郭明兴，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35