【技术实现步骤摘要】
一种LED-MOCVD制程含氨尾气热裂解制氢的催化剂及其应用
本专利技术属于半导体发光二极管(LED)制造过程中的含氨气(NH3)废气综合利用的氢气制备
,特别是涉及一种LED-MOCVD(金属氧化物化学气相沉积)含氨尾气热裂解制氢的催化剂及其应用。
技术介绍
MOCVD(金属氧化物化学气相沉积)制程(设备)作为化合物半导体材料研究与生产的现代化方法与手段,尤其是作为制造新型发光材料-发光二极管(LED)工业化生产的方法与设备,是当今世界生产光电器件和微波器件材料的主要方法及手段,除了LED外,还包括激光器、探测器、高效太阳能电池、光电阴极等,是光电子产业不可或缺的一种方法及设备,其中包括典型的LEDGaN外延片生产,其MOCVD外延尾气组成为,N2:60%(v/v,以下类同),H2:25%,NH3:14%,其余包括金属离子、颗粒物、甲烷(CH4)、氧气(O2)及含氧化物,比如一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水(H2O)等。目前对MOCVD外延尾气中所含NH3的综合利用方法是,通过先采用水洗获得氨水或通过 ...
【技术保护点】
1.一种LED-MOCVD制程含氨尾气热裂解制氢的催化剂及其应用,其特征在于:钴钼双金属催化剂制备前驱体为硝酸钴(Co(NO3)2)和硝酸钼(Mo(NO3)3)混合溶液,助催化剂前驱物为硝酸镧(La(NO3)3)与硝酸钾(KNO3)混合溶液,载体为经预处理的多层碳纳米管(CNTs)与氧化镁(MgO)混合物,通过醇热法,获得含活性组分钴10~30%(w/w,以下类同)、钼5~20%,含助催化组分镧1~10%,含促进剂钾1~5%,以及含其余的混合载体碳纳米管与氧化镁,/n(1).上述催化剂适用的原料气为来自LED-GaN外延片生产,其MOCVD外延尾气典型组成为,N2:60%( ...
【技术特征摘要】
1.一种LED-MOCVD制程含氨尾气热裂解制氢的催化剂及其应用,其特征在于:钴钼双金属催化剂制备前驱体为硝酸钴(Co(NO3)2)和硝酸钼(Mo(NO3)3)混合溶液,助催化剂前驱物为硝酸镧(La(NO3)3)与硝酸钾(KNO3)混合溶液,载体为经预处理的多层碳纳米管(CNTs)与氧化镁(MgO)混合物,通过醇热法,获得含活性组分钴10~30%(w/w,以下类同)、钼5~20%,含助催化组分镧1~10%,含促进剂钾1~5%,以及含其余的混合载体碳纳米管与氧化镁,
(1).上述催化剂适用的原料气为来自LED-GaN外延片生产,其MOCVD外延尾气典型组成为,N2:60%(v/v,以下类同),H2:25%,NH3:14%,其余包括微量金属离子、颗粒物、甲烷(CH4)、氧气(O2)及含氧化物,比如一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水(H2O);
(2).上述催化剂适用的催化反应温度为400~600℃,反应压力为0.2~3.0MPa,处理尾气工业化规模为50~50,000Nm3/h;
(3).上述催化剂在进行MOCVD尾气氨催化热裂解反应所得到的反应混合气体,氨含量不超过3~5%,经过冷却或热交换以及压缩后,依次进入由水洗塔与变温吸附塔组成的精脱氨、催化脱氧、变压吸附提氢、分子筛干燥与由金属吸气剂组成的氢气纯化,最终得到纯度99.9999~99.99999%以上的氢气产品,返回MOCVD工段循环使用。
2.如权利要求1所述的一种LED-MOCVD制程含氨尾气热裂解制氢的催化剂及其应用,其特征在于,所述的CNTs的预处理,是将适量商业出售的10~20nmCNTs载体加入适量的10~30%质量浓度的硝酸和50~70%质量浓度的硝酸混合溶液中,进行加热搅拌,并共沸回流4~8小时,经冷却至环境温度,真空过滤,去离子水洗涤至中性,将所得滤饼经120℃干燥1~2小时,研磨成10~20nm粉末,与适量的MgO粉末进行混合,进行焙烧冷却后形成CNTs与MgO混合载体,其中,预处理也可用包括硫酸、稀硫酸与浓硫酸混合溶液、氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液替代硝酸混合溶液进行共沸回流,或采用双氧水、磷酸进行浸泡替代硝酸混合溶液共沸回流,或采用上述共沸回流与浸泡组合替代硝酸混合溶液共沸回流,优选的预处理为硝酸混合溶液共沸回流。
3.如权利要求1与2所述的一种LED-MOCVD制程含氨尾气热裂解制氢的催化剂及其应用,其特征在于,所述的混合载体MgO,由草酸镁(MgC2O4·2H2O)经热分解制得,或,将适量草酸(H2C2O4)与醋酸镁(Mg(CH3COO)3)分别溶解于去离子水中,并将醋酸镁溶液倒入草酸溶液中进行搅拌产...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪兰海,钟娅玲,陈运,唐金财,钟雨明,蔡跃明,
申请(专利权)人:浙江天采云集科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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