一种电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种电子设备，涉及通信技术领域。该电子设备包括：壳体，包括边框；电磁器件；设置于壳体内部的接地板；设置于壳体内部的第一辐射体，第一辐射体设有馈电点；与第一辐射体间隔设置的第二辐射体，第二辐射体与边框的第一边框的距离小于第一辐射体与第一边框的距离；第一辐射体与电磁器件之间的最短距离，大于第二辐射体与电磁器件之间的最短距离，和/或第一辐射体在接地板上的投影区域的面积超过预设面积。本发明专利技术的方案，可以降低电磁器件对天线能量的衰减和射频干扰问题并增强天线辐射性能，且可以降低因电磁器件接地阻抗不稳定所造成的天性性能差异，提高自由空间条件下天线性能，并提高人体模式下的天线性能。

An electronic device

【技术实现步骤摘要】
一种电子设备
本专利技术涉及通信
，特别涉及一种电子设备。
技术介绍
目前，为了提高屏占比，全面屏电子设备均在不断的压缩天线空间，使得天线距离电磁器件越来越近。这些电磁器件对电磁波的吸收很大，导致天线辐射性能严重下降；同时，电磁器件工作时还会产生射频杂散信号，干扰到天线的接收频段。尤其是电子设备屏幕的影响较大。此外，近年来很流行的曲面屏手机，其屏幕下方因为静电防护需要常增加了一层大面积铜箔，而此铜箔因为某些原因又不能实现接地，此时屏幕和铜箔对天线辐射性能的衰减和射频干扰将进一步增加。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电子设备，以解决电子设备的屏幕等电磁器件对电磁波的吸收很大，导致天线辐射性能严重下降的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：第一方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括：壳体，包括边框；电磁器件；设置于所述壳体内部的接地板；设置于所述壳体内部的第一辐射体，所述第一辐射体设有馈电点；与所述第一辐射体间隔设置的第二辐射体，所述第二辐射体与所述边框的第一边框的距离小于所述第一辐射体与所述第一边框的距离；所述第一辐射体与所述电磁器件之间的最短距离，大于所述第二辐射体与所述电磁器件之间的最短距离，和/或所述第一辐射体在所述接地板上的投影区域的面积超过预设面积。这样，本专利技术实施例中，通过第一辐射体与第二辐射体间隔设置，所述第二辐射体与所述边框的第一边框的距离小于所述第一辐射体与所述第一边框的距离，且所述第一辐射体与所述电磁器件之间的最短距离，大于所述第二辐射体与所述电磁器件之间的最短距离，和/或所述第一辐射体在所述接地板上的投影区域的面积超过预设面积，可以降低屏幕等电磁器件对天线能量的衰减和射频干扰问题并增强天线辐射性能，且可以降低因电磁器件接地阻抗不稳定所造成的天性性能差异，提高自由空间条件下天线性能，并提高人体模式下的天线性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本专利技术实施例的电子设备的结构示意图；图2表示本专利技术实施例的馈源处的天线阻抗示意图之一；图3表示本专利技术实施例的馈源处的天线驻波比示意图之一；图4表示本专利技术实施例的馈源处的天线阻抗示意图之二；图5表示本专利技术实施例的馈源处的天线驻波比示意图之二；图6表示本专利技术实施例的不同天线形式下的天线效率对比示意图。附图标记说明：1-壳体，11-第一边框，2-显示屏，3-接地板，4-馈源，5-第一辐射体，6-第二辐射体，61-第一连接点，62-第二连接点。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。常用的手机天线形式如单极天线、倒F型天线、平面倒F型天线、环型天线等均无法有效降低屏幕对天线辐射性能的衰减和射频干扰问题，或者可以通过增加地墙(天线和电磁器件之间增加地平面)来降低电磁器件对天线的衰减，但天线又因为地墙而导致天线自身辐射能力下降。现有技术中，常用的馈电方式有直馈和耦合馈电两种。直馈指的是射频能量通过直接连接至天线辐射体的馈电方式，而耦合馈电指的是射频能量先连接至耦合分支，耦合分支再与主辐射分支之间形成一定绝缘间隙，此间隙形成了电容耦合，完成射频能量的传输。耦合部的作用是实现耦合馈电功能，耦合电容不能太小，因此耦合部之间的间隙必然较小，现有技术中有耦合分支上再增加延伸分支的方案，此延伸分支可产生另一个高频共振模态，但主要目的是拓展天线带宽，且延伸分支与主辐射分支之间一般不存在耦合关系，即延伸分支是独立工作的，此时延伸分支的辐射性能相对较差，同时也未揭示如何才能降低损耗器件的影响的同时提高最终辐射性能。因此，本专利技术实施例提供了一种电子设备，可以降低屏幕等电磁器件对天线能量的衰减和射频干扰问题并增强天线辐射性能，且可以降低因电磁器件接地阻抗不稳定所造成的天性性能差异，提高自由空间条件下天线性能，并提高人体模式下的天线性能。具体的，如图1所示，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括：壳体1，包括边框；电磁器件；设置于所述壳体1内部的接地板3；设置于所述壳体1内部的第一辐射体5，所述第一辐射体设有馈电点；与所述第一辐射体5间隔设置的第二辐射体6，所述第二辐射体6与所述边框的第一边框11的距离小于所述第一辐射体5与所述第一边框11的距离；所述第一辐射体5与所述电磁器件之间的最短距离，大于所述第二辐射体6与所述电磁器件之间的最短距离，和/或所述第一辐射体5在所述接地板3上的投影区域的面积超过预设面积。具体的，所述第一边框11为所述第一辐射体5与第二辐射体6在长度方向上的边框，或者在宽度方向上的边框，所述第二辐射体6与所述第一边框11的距离小于所述第一辐射体5与所述第一边框11的距离，即所述第二辐射体6相对于第一辐射体5在所述壳体1的外轮廓长度方向或宽度方向上更靠近所述壳体1的外轮廓。具体的，所述第一辐射体5为主辐射体，所述第二辐射体6为辅助辐射体。所述电磁器件为对天线性能有衰减和射频干扰的器件。所述第一辐射体5与所述第二辐射体6间隔设置，即所述第一辐射体5与所述第二辐射体6之间形成间隙，此间隙形成容性耦合，可以将第一辐射体5的天线能量的一部分耦合至所述第二辐射体6，间隙的具体大小可以根据具体情况进行调整。进一步的，所述第一辐射体5与所述第二辐射体6之间的容性耦合小于第一阈值，在所述目标频段内，所述第二辐射体6的史密斯圆图中无椭圆、圆形圈或折线段，或者包围所述第二辐射体6在史密斯圆图中的阻抗曲线的最小圆的直径小于包围所述第一辐射体5在史密斯圆图中阻抗曲线的最小圆的直径的五分之一。具体的，如果第一辐射体5与第二辐射体6之间的容性耦合小于第一阈值(所述第一阈值具体可以根据不同的天线结构由实验确定)，要求在目标频段内第二辐射体6不产生阻抗椭圆、圆形圈或折线段，或者产生的阻抗椭圆、圆形圈直径小于第一辐射体5阻抗椭圆、圆形、半椭圆、半圆圈直径的五分之一，最佳情况时的天线驻波比图中表现为很窄带或者微小凸起，或者仅仅是曲线不平滑(如折线段)的特定驻波，且此特定驻波的位置可以在目标频带内或非目标频段内的任意位置，不做具体限制。具体的，例如：如图2所示，虚线圆圈S2包围的实线部分为第二辐射体6的阻抗曲线，将虚线圆圈S2缩小至能够包围第二辐射体6的阻抗曲线的尺寸，即缩小后的虚线圆圈S2与阻抗曲线有一个相切点(即缩小后的虚线圆圈S2与阻抗曲线至少有三个交点，且阻抗曲线不会超出该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：/n壳体(1)，包括边框；/n电磁器件；/n设置于所述壳体(1)内部的接地板(3)；/n设置于所述壳体(1)内部的第一辐射体(5)，所述第一辐射体(5)设有馈电点；/n与所述第一辐射体(5)间隔设置的第二辐射体(6)，所述第二辐射体(6)与所述边框的第一边框(11)的距离小于所述第一辐射体(5)与所述第一边框(11)的距离；/n所述第一辐射体(5)与所述电磁器件之间的最短距离，大于所述第二辐射体(6)与所述电磁器件之间的最短距离，和/或所述第一辐射体(5)在所述接地板(3)上的投影区域的面积超过预设面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：
壳体(1)，包括边框；
电磁器件；
设置于所述壳体(1)内部的接地板(3)；
设置于所述壳体(1)内部的第一辐射体(5)，所述第一辐射体(5)设有馈电点；
与所述第一辐射体(5)间隔设置的第二辐射体(6)，所述第二辐射体(6)与所述边框的第一边框(11)的距离小于所述第一辐射体(5)与所述第一边框(11)的距离；
所述第一辐射体(5)与所述电磁器件之间的最短距离，大于所述第二辐射体(6)与所述电磁器件之间的最短距离，和/或所述第一辐射体(5)在所述接地板(3)上的投影区域的面积超过预设面积。


2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第二辐射体(6)的共振模态为1/4波长的基模或者2/4波长的基模，且所述第二辐射体(6)的基模的共振频率高于所述第一辐射体(5)的基模的共振频率。


3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体(5)在目标频段内产生第一电流，所述第二辐射体(6)在目标频段内产生第二电流，所述第一电流的最大值大于所述第二电流的最大值。


4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体(5)与所述第二辐射体(6)之间的容性耦合小于第一阈值，在所述目标频段内，所述第二辐射体(6)的史密斯圆图中无椭圆、圆形圈或折线段，或者包围所述第二辐射体(6)在史密斯圆图中的阻抗曲线的最小圆的直径小于包围所述第一辐射体(5)在史密斯圆图中阻抗曲线的最小圆的直径的五分之一。

【专利技术属性】
技术研发人员：李日辉，张声陆，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44