【技术实现步骤摘要】
一种扩散前处理方法
本专利技术涉及一种晶圆片清洗
,特别涉及一种晶圆片扩散前处理的方法。
技术介绍
在半导体微电子器件的制造过程中,晶圆片的清洁的重要性已被充分认知,器件的性能、良率和微粒的沾污有很大关系。传统的晶圆片扩散前的处理方法,在晶圆片经过氢氟酸溶液后,表面氧化层被漂净,表面呈疏水性,如果暴露在空气中,很快将从周围环境中重新吸附颗粒和有机沾污。
技术实现思路
如何避免清洗后晶圆片重新从环境中吸附颗粒和有机沾污,是本专利技术着重解决的技术问题。本专利技术通过硝酸的氧化性,在漂净氧化层的晶圆片表面重新形成一层氧化层,避免裸硅接触空气环境带来的颗粒和有机物的吸附沾污。同时,经过硝酸处理后晶圆表面呈亲水性,表面不会产生疏水性的水滴,对后续干燥过程中避免水迹产生也有利。1.本专利技术提供了一种扩散前处理方法,其步骤包括(1)将晶圆片放入SC-1药液中清洗;(2)将晶圆片放入氢氟酸溶液中清洗;(3)将晶圆片放入硝酸溶液中清洗;(4)将晶圆片放置在80-100℃温度下烘干8-12分钟;(5)将晶圆片放置在180-200℃温度下烘干8-12分钟;(6)将晶圆片取出冷却。作为本专利技术的一种扩散前处理方法的一种优选的方案,所述SC-1药液为浓度为27%的氨水、浓度为30%的双氧水和纯水按照体积比1:1.5:5的比例配置的混合溶液;作为本专利技术的一种扩散前处理方法的一种优选的方案,所述晶圆片在SC-1药液中的清洗时间为8- ...
【技术保护点】
1.一种扩散前处理方法,其特征在于,其步骤包括/n(1)将晶圆片放入SC-1药液中清洗;/n(2)将晶圆片放入氢氟酸溶液中清洗;/n(3)将晶圆片放入硝酸溶液中清洗;/n(4)将晶圆片放置在80-100℃温度下烘干8-12分钟;/n(5)将晶圆片放置在180-200℃温度下烘干8-12分钟;/n(6)将晶圆片取出冷却。/n
【技术特征摘要】
1.一种扩散前处理方法,其特征在于,其步骤包括
(1)将晶圆片放入SC-1药液中清洗;
(2)将晶圆片放入氢氟酸溶液中清洗;
(3)将晶圆片放入硝酸溶液中清洗;
(4)将晶圆片放置在80-100℃温度下烘干8-12分钟;
(5)将晶圆片放置在180-200℃温度下烘干8-12分钟;
(6)将晶圆片取出冷却。
2.根据权利要求1所述的一种扩散前处理方法,其特征在于,所述SC-1药液为浓度为27%的氨水、浓度为30%的双氧水和纯水按照体积比1:1.5:5的比例配置的混合溶液;
3.根据权利要求2所述的一种扩散前处理方法,其特征在于,晶圆片在SC-1药液中的清洗时间为8-12分钟。
4.根据权利要求3所述的一种扩散前处理方法,其特征在于,氢氟酸溶液的浓度为15%的。
5.根据权利要求4所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘国刚,陈晓静,
申请(专利权)人:江苏英锐半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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