【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷继电器壳体
本专利技术属于继电器设备领域，尤其涉及一种继电器壳体。
技术介绍
目前陶瓷继电器壳体因其结构复杂，产品外围轮廓棱角处极易产生碰缺，产生缺损不良。故需要对产品进行倒角设计。现有产品的倒角设计过小，产品装盘过程、装钵过程、搬运过程与倒料过程中，倒角设计过小产生的抑制作用不够明显。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服以上
技术介绍
中提到的不足和缺陷，提供一种陶瓷继电器壳体，该壳体能有效控制碰撞时缺损面积的扩大化，降低缺损比例。为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：一种陶瓷继电器壳体，所述陶瓷继电器壳体为一内部中空、底面开口的长方体，所述长方体的顶面设有两个通孔；所述长方体的顶面边缘由内至外依次设有斜角平台和倒角平台。上述陶瓷继电器壳体中，优选的，所述斜角平台的倾斜角度为30-45°，所述斜角平台的宽度k1和倒角平台的宽度k2相等(宽度是指投影到底面的宽度)。上述陶瓷继电器壳体中，优选的，所述斜角平台的面积S斜角平台和所述倒角平台的面积S倒角平台满...
【技术保护点】
1.一种陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述陶瓷继电器壳体为一内部中空、底面开口的长方体，所述长方体的顶面设有两个通孔；所述长方体的顶面边缘由内至外依次设有斜角平台和倒角平台。/n
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述陶瓷继电器壳体为一内部中空、底面开口的长方体，所述长方体的顶面设有两个通孔；所述长方体的顶面边缘由内至外依次设有斜角平台和倒角平台。
2.根据权利要求1所述的陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述斜角平台的倾斜角度为30-45°，所述斜角平台的宽度k1和倒角平台的宽度k2相等。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述斜角平台的面积S斜角平台和所述倒角平台的面积S倒角平台满足...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏，康文涛，彭悦，
申请(专利权)人：娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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