【技术实现步骤摘要】
基于超表面实现单色随机防伪图案与双色防伪图案复用的设计方法
本专利技术涉及微纳光学
,具体是指一种基于超表面实现单色随机防伪图案与双色防伪图案复用的设计方法。
技术介绍
现代科学技术的迅速发展和各种假冒伪劣活动的日益猖獗,促进了各种防伪技术的发展,其中,光学防伪是防伪技术中的一个重要分支,广泛应用在社会生活的方方面面,尤其是在货币、有价证券、证照、印章、医药、食品、化妆品、服装、农资产品、汽车农机配件、音像制品、软件电脑芯片等出现造假、侵权较多的领域,广泛采用光学防伪技术防止被假冒侵权。但是目前光学防伪标签面积较大,容易发现和获取,进而可以被复制和仿制,使得防伪安全性大大降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于超表面实现单色随机防伪图案与双色防伪图案复用的设计方法,通过该方法设计得到的超表面可以实现单色随机防伪图案与双色防伪图案复用,防伪图案的随机性选择和双波长实现双色防伪图案提高了伪造难度,使之难以复制和仿制,大大提高了防伪安全性。为实现上述目的,本专利技术提供的基于 ...
【技术保护点】
1.一种基于超表面实现单色随机防伪图案与双色防伪图案复用的设计方法,其特征在于:包括以下步骤:/n1)优化设计可以在两个不同的工作波长下都可以实现起偏器的功能的纳米砖单元结构的尺寸参数包括:纳米砖的高度H、长度L、宽度W和单元结构中心间隔C,使得电场方向沿纳米砖长轴的线偏振光正入射至所述纳米砖单元结构时在波长λ
【技术特征摘要】
1.一种基于超表面实现单色随机防伪图案与双色防伪图案复用的设计方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)优化设计可以在两个不同的工作波长下都可以实现起偏器的功能的纳米砖单元结构的尺寸参数包括:纳米砖的高度H、长度L、宽度W和单元结构中心间隔C,使得电场方向沿纳米砖长轴的线偏振光正入射至所述纳米砖单元结构时在波长λ1处透过率最低,同时在λ2处透过率较高;而电场方向沿纳米砖短轴的线偏振光正入射至所述纳米砖单元结构时在波长λ2处的透过率最低,同时在λ1处透过率较高,即优化后的纳米砖单元结构的尺寸参数;所述纳米砖单元结构由基底和刻蚀在所述基底上的纳米砖构成;
2)选取一幅由M×N个像素组成具有256级灰度等级的灰度图像image1,图像中所有像素的灰度值构成一个灰度矩阵;设Iin=255,灰度矩阵中的每一个灰度值作为Iout0,由公式Iout0=(sin2Φ0)2Iin可求出四个不同的纳米砖方向角和均可得到第m行第n列的像素的灰度值;
3)再选取一幅由M×N个像素组成的灰度值只有0和255的黑白二值图像image2,image2和image1像素位置一一对应;灰度值为0的像素对应比较小的灰度值Ilow,该像素对应的纳米砖方向角选择和中的任意一个;灰度值为255的像素对应比较大的灰度值Ihigh,其中Ihigh>Ilow,该像素对应的纳米砖方向角选择和中...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑国兴,付娆,李子乐,单欣,李仲阳,
申请(专利权)人:武汉大学,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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