铜蚀刻液制造技术

本发明专利技术提供一种能够切实地抑制电化学腐蚀、浴管理容易且蚀刻速度优异的铜蚀刻液。本发明专利技术的铜蚀刻液是由碱性的水溶液构成的铜蚀刻液，其特征在于，含有1～70g/L的铜、换算成25％氨水时为10～500g/L的氨水及5～500g/L的铵盐，所述铵盐为选自由无机酸的铵盐、磺酸的铵盐、饱和脂肪酸的铵盐、芳香族羧酸的铵盐、羟基酸的铵盐及二羧酸的铵盐组成的群组中的1种或2种以上的铵盐。

Copper etching solution

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铜蚀刻液
本专利技术涉及一种铜蚀刻液。
技术介绍
以往，作为电路图案的形成方法，已知有在整个面设置了约20μm左右的铜箔的基板上形成抗蚀剂后，蚀刻去除露出的铜箔的减除工艺。并且，作为更为精细的电路图案的形成方法，已知有在树脂基板的表面利用化学镀铜形成种晶层，在该种晶层上设置抗镀剂并利用电解镀铜形成电路后，蚀刻去除在电路间的基板上残留的种晶层的半加成工艺(SemiAdditiveProcess，SAP)等。半加成工艺中，作为用于蚀刻去除种晶层、即化学镀铜的铜蚀刻液，例如，已知有硫酸/过氧化氢类(专利文献1～3)、盐酸/二价铜类(专利文献4)、盐酸/亚铁类(专利文献5)的铜蚀刻液。另一方面，为了降低电性接触电阻或提高焊料浸润性，已知有在构成电路的铜的表面实施金、银、钯等比铜更昂贵的金属(离子化倾向小的金属)电镀的技术。然而，用上述专利文献1～5记载的铜蚀刻液来蚀刻与比铜昂贵的金属导通的铜时，与该昂贵的金属没有导通的铜相比，与比铜昂贵的金属导通的铜的蚀刻会加速(电化学腐蚀)。其结果，导致诸如随着电路的细化，电路的电阻变大或电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜蚀刻液，该铜蚀刻液为碱性的铜蚀刻液，其特征在于，/n含有1～70g/L的铜、换算成25％氨水时为10～500g/L的氨水及5～500g/L的铵盐，/n所述铵盐为选自由无机酸的铵盐即硫酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵，磺酸的铵盐即甲磺酸铵，饱和脂肪酸的铵盐即醋酸铵，芳香族羧酸的铵盐即苯甲酸铵，羟基酸的铵盐即乳酸铵，及二羧酸的铵盐即草酸铵组成的群组中的1种或2种以上的铵盐。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170714 JP 2017-1379951.一种铜蚀刻液，该铜蚀刻液为碱性的铜蚀刻液，其特征在于，
含有1～70g/L的铜、换算成25％氨水时为10～500g/L的氨水及5～500g/L的铵盐，
所述铵盐为选自由无机酸的铵盐即硫酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵，磺酸的铵盐即甲磺酸铵，饱和脂肪酸的铵盐即醋酸铵，芳香族羧酸的铵盐即苯甲酸铵，羟基酸的铵盐即乳酸铵，及二羧酸的铵盐即草酸铵组成的群组中的1种或2种以上的铵盐。


2.如权利要求1所述的铜蚀刻液，其中，所述铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：希代诚，渡口繁，熊谷博之，松原敏明，中村惟之，
申请(专利权)人：美录德有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP