微通道结构、传感器、微流体装置、芯片实验室装置、以及制造微通道结构的方法制造方法及图纸

本申请提供了一种微通道结构。微通道结构包括：基底基板(10)；轨道层(20)，其位于基底基板(10)上并且包括彼此间隔开的第一轨道(21)和第二轨道(22)；和壁层(30)，其位于轨道层(20)的远离基底基板(10)的一侧并且包括第一壁(31)和第二壁(32)，所述第一壁(31)和第二壁(32)彼此至少部分地间隔开，从而形成第一壁(31)和第二壁(32)之间的微通道(40)。微通道(40)具有沿着实质上平行于基底基板(10)的主表面的平面的延伸方向，所述延伸方向实质上平行于第一轨道(21)和第二轨道(22)的沿着实质上平行于基底基板(10)的主表面的平面的延伸方向。

Microchannel structure, sensor, microfluidic device, chip laboratory device, and method of manufacturing microchannel structure

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微通道结构、传感器、微流体装置、芯片实验室装置、以及制造微通道结构的方法
本专利技术涉及微流体技术，更具体地，涉及微通道结构、传感器、微流体装置、芯片实验室装置、以及制造微通道结构的方法。
技术介绍
微流体涉及几何上被约束为小量级(通常亚微米量级)的流体的行为、精确控制和操纵。其是工程学、物理学、化学、生物化学、纳米技术和生物技术多学科交叉领域，实际应用于设计其中对小体积流体进行处理以实现复用、自动化和高吞吐率筛选的系统。微流体在1980年代的开端出现并且被用于开发喷墨打印头、DNA芯片、芯片实验室技术、微推进技术和微热技术。
技术实现思路
在一方面，本专利技术提供了一种微通道结构，包括：基底基板；轨道层，其位于基底基板上并且包括彼此间隔开的第一轨道和第二轨道；和壁层，其位于轨道层的远离基底基板的一侧并且包括第一壁和第二壁，所述第一壁和第二壁彼此至少部分地间隔开，从而形成第一壁和第二壁之间的微通道；其中，微通道具有沿着实质上平行于基底基板的主表面的平面的延伸方向，所述延伸方向实质上平行于第一轨道和第二轨道的沿着实质上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微通道结构，包括：/n基底基板；/n轨道层，其位于所述基底基板上并且包括彼此间隔开的第一轨道和第二轨道；和/n壁层，其位于所述轨道层的远离所述基底基板的一侧并且包括第一壁和第二壁，所述第一壁和第二壁彼此至少部分地间隔开，从而形成所述第一壁和所述第二壁之间的微通道；/n其中，所述微通道具有沿着实质上平行于所述基底基板的主表面的平面的延伸方向，所述延伸方向实质上平行于所述第一轨道和所述第二轨道的沿着实质上平行于所述基底基板的主表面的平面的延伸方向。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微通道结构，包括：
基底基板；
轨道层，其位于所述基底基板上并且包括彼此间隔开的第一轨道和第二轨道；和
壁层，其位于所述轨道层的远离所述基底基板的一侧并且包括第一壁和第二壁，所述第一壁和第二壁彼此至少部分地间隔开，从而形成所述第一壁和所述第二壁之间的微通道；
其中，所述微通道具有沿着实质上平行于所述基底基板的主表面的平面的延伸方向，所述延伸方向实质上平行于所述第一轨道和所述第二轨道的沿着实质上平行于所述基底基板的主表面的平面的延伸方向。


2.根据权利要求1所述的微通道结构，其中，所述第一壁在所述基底基板上的正投影实质上覆盖所述第一轨道在所述基底基板上的正投影；并且
所述第二壁在所述基底基板上的正投影实质上覆盖所述第二轨道在所述基底基板上的正投影。


3.根据权利要求1所述的微通道结构，其中，所述第一壁沿着突出方向远离所述第一轨道的远离所述基底基板的一侧地突出，并且所述第二壁沿着所述突出方向远离所述第二轨道的远离所述基底基板的一侧地突出；并且
所述第一壁和所述第二壁在所述壁层的至少一部分中沿着所述突出方向彼此完全间隔开，从而形成在与所述基底基板相对的一侧至少部分地敞开的微通道。


4.根据权利要求1所述的微通道结构，其中，所述第一壁沿着突出方向远离所述第一轨道的远离所述基底基板的一侧地突出，并且所述第二壁沿着所述突出方向远离所述第二轨道的远离所述基底基板的一侧地突出；并且
所述第一壁和所述第二壁在所述壁层的第一区彼此连接并且在所述壁层的第二区彼此间隔开，从而形成在与所述基底基板相对的一侧实质上闭合的微通道，所述第一区沿着所述突出方向位于所述第二区的远离所述基底基板的一侧。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的微通道结构，其中，所述壁层还包括连接第一轨道和第二轨道的第三壁；并且
所述第三壁与所述基底基板直接接触。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的微通道结构，其中，所述轨道层还包括连接所述第一轨道和所述第二轨道的基部；
所述第一轨道和所述第二轨道的沿着实质上垂直于所述第一轨道和所述第二轨道的延伸方向的平面的截面为U形。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的微通道结构，其中，所述第一轨道和所述第二轨道包括导电材料。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的微通道结构，其中，所述轨道层包括与所述壁层的材料不同的材料。


9.一种多层微通道结构，包括：所述多层微通道结构的第一层和所述多层微通道结构的第二层；
其中，所述多层微通道结构的第一层包括：
基底基板；
轨道层，其位于所述基底基板上并且包括彼此间隔开的第一轨道和第二轨道；和
壁层，其位于所述轨道层的远离所述基底基板的一侧并且包括第一壁和第二壁，所述第一壁和第二壁彼此至少部分地间隔开，从而形成所述第一壁和所述第二壁之间的微通道；
其中，所述微通道具有沿着实质上平行于所述基底基板的主表面的平面的延伸方向，所述延伸方向实质上平行于所述第一轨道和所述第二轨道的沿着实质上平行于所述基底基板的主表面的平面的延伸方向；
其中，所述多层微通道结构的第二层包括：
第二基底基板；
第二轨道层，其位于所述第二基底基板上并且包括彼此间隔开的第三轨道和第四轨道；和
第二壁层，其位于所述第二轨道层的远离第二基底基板的一侧并且包括第四壁和第五壁，所述第四壁和第五壁彼此至少部分地间隔开，从而形成所述第四壁和所述第五壁之间的第二微通道；
其中，所述第二微通道具有沿着实质...

【专利技术属性】
技术研发人员：马啸尘，袁广才，宁策，刘松，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11