【技术实现步骤摘要】
一种基于SEPIC结构的充电电路
本专利技术涉及电源供电
，特别是涉及一种基于SEPIC结构的充电电路。
技术介绍
现有的DCDC转换的充电电路基本是buck电路或者boost电路，这些转换电路对输入有一定的要求，一般来讲buck电路输入要比输出高，而boost电路输入要比输出低，这些电路很少能做到3段式充电(恒流充电、涓流充电、恒压充电)，更有一些低端的充电电路采用线性稳压电路供电，这种电路不仅效率低发热量大还带来安全隐患，有些输入范围较宽的电路采用了buck-boost结构，虽然输入范围宽了但是效率降低了，发热量也大了。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种基于SEPIC结构的充电电路，允许输入电压低于输出电压或者输入电压高于输出电压的充电电路，该电路使用了SEPIC结构，具有恒流、恒压、调电流、调电压等功能。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种基于SEPIC结构的充电电路，该种基于SEPIC结构的充电电路包括包括SEPIC结构，所述SEPIC结构...
【技术保护点】
1.一种基于SEPIC结构的充电电路，包括SEPIC结构，所述SEPIC结构包括共轭电感LF1、电容C1、开关管Q3、二极管D5和滤波电容C2，共轭电感LF1输入端2脚接电路正极，共轭电感LF1输出端3脚依次连接有电容C1、二极管D5和滤波电容C2，二极管D5连接到共轭电感LF1输出端4脚，滤波电容C2接地，共轭电感LF1输出端3脚还连接到开关管Q3的D极，开关管Q3的S极连接到共轭电感LF1输入端1脚，即电路负极，其特征在于：所述SEPIC结构的开关管Q3的集电极D外接推挽控制电路，推挽控制电路的OUT端与主控芯片5脚OUT连接，所述SEPIC结构的共轭电感LF1输入端从...
【技术特征摘要】
1.一种基于SEPIC结构的充电电路，包括SEPIC结构，所述SEPIC结构包括共轭电感LF1、电容C1、开关管Q3、二极管D5和滤波电容C2，共轭电感LF1输入端2脚接电路正极，共轭电感LF1输出端3脚依次连接有电容C1、二极管D5和滤波电容C2，二极管D5连接到共轭电感LF1输出端4脚，滤波电容C2接地，共轭电感LF1输出端3脚还连接到开关管Q3的D极，开关管Q3的S极连接到共轭电感LF1输入端1脚，即电路负极，其特征在于：所述SEPIC结构的开关管Q3的集电极D外接推挽控制电路，推挽控制电路的OUT端与主控芯片5脚OUT连接，所述SEPIC结构的共轭电感LF1输入端从左到右依次连接有输入反接保护电路、输入滤波电路和线性稳压供电电路，SEPIC结构的输出端二极管D5后连接有恒压控制采集电路、输出滤波电路和恒流控制电路，恒流控制电路的分别连接到充电状态显示电路和主控芯片的1脚FB端,主控芯片的控制脚4脚连接到输入电压过低检测电路，主控芯片采用FP5139芯片，输入反接保护电路前连接信号输入端口J1，输出滤波电路后连接到信号输出端口J2。
2.根据权利要求1所述的一种基于SEPIC结构的充电电路，其特征在于：所述推挽控制电路包括NPN三极管Q4和PNP三极管Q6，主控芯片的OUT端连接到三极管Q4和三极管Q6的基极，三极管Q4的集电极接入电路电压，三极管Q4的发射极连接三极管Q6的发射极，三极管Q6的集电极接地。
3.根据权利要求1所述的一种基于SEPIC结构的充电电路，其特征在于：所述输入反接保护电路包括电阻R1、电阻R2、二极管D2和MOS管Q5，电阻R1前连接有保险丝FU1，保险丝FU1前外接信号输入端口J1的正极IN+，电阻R1、电阻R2和二极管D2依次连接，二极管D2的输出端连接到电阻R1和MOS管Q5的G极，MOS管Q5的D极连接到信号输入端口J1的负极IN-，MOS管Q5的S极连接到电阻R2和接地，所述二极管D2为15V的稳压管。
4.根据权利要求1所述的一种基于SEPIC结构的充电电路，其特征在于：所述线性稳压供电电路包括电阻R4、二极管D3、滤波电容C8和三极管Q2，R4和D3串联后并联到电路上，组成一般的稳压电路，所述D3为15V稳压管，电阻R4连接到三极管Q2基...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈丽，黄海鹏，夏兴隆，
申请(专利权)人：苏州易泰勒电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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