【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术涉及半导体领域，更具体而言，涉及半导体装置。
技术介绍
半导体器件，例如碳化硅(SiC)二极管和金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具有广泛的应用，例如可用于电动汽车的功率装置中。然而，现有器件结构存在诸多不足，例如现有的SiCMOSFET具有较高的开启电压,因而在许多应用常需要与反向并联的续流二极管一起使用。续流二极管不但会增加系统的体积和成本，而且还会导致输出电容和开关损耗增大。此外，MOSFET的栅介质层在高电场下容易击穿或失效，稳定性差，这对于器件性能是不利的。
技术实现思路
本技术提出半导体装置，以解决现有技术中上述一个或多个技术问题。根据本技术的半导体装置包括MOSFET和二极管。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一导电类型，半导体层具有第一面和与第一面相对的第二面。半导体层包括碳化硅层，并且包括基底和设置在基底上的漂移区。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括MOSFET和二极管，所述MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，所述半导体层具有第一导电类型，所述半导体层具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述半导体层包括碳化硅层，并且包括基底和设置在所述基底上的漂移区；/n所述MOSFET包括第一区和第二区，所述第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，所述第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区，所述第一阱区和第二阱区具有第二导电类型，所述第一源区设置在所述第一阱区中并且具有第一导电类型，所述第二源区设置在所述第二阱区中并且具有第一导电类型，所述第一栅区与所述第一源区和第一阱区...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括MOSFET和二极管，所述MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，所述半导体层具有第一导电类型，所述半导体层具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述半导体层包括碳化硅层，并且包括基底和设置在所述基底上的漂移区；
所述MOSFET包括第一区和第二区，所述第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，所述第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区，所述第一阱区和第二阱区具有第二导电类型，所述第一源区设置在所述第一阱区中并且具有第一导电类型，所述第二源区设置在所述第二阱区中并且具有第一导电类型，所述第一栅区与所述第一源区和第一阱区接触，所述第二栅区与所述第二源区和第二阱区接触；
所述二极管设置在所述第一区和所述第二区之间，所述二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区，所述第一肖特基区靠近所述第一区设置，所述第二肖特基区靠近所述第二区设置，所述第一肖特基区包括第一金属区，所述第一金属区设置在所述第一面上并且与所述半导体层形成肖特基接触，所述第二肖特基区包括第二金属区，所述第二金属区设置在所述第一面上并且与所述半导体层形成肖特基接触；
所述半导体装置还包括电场调制区，所述电场调制区设置在所述第一肖特基区与所述第二肖特基区之间，所述电场调制区包括第三金属区和调制掺杂区，所述第三金属区设置在所述第一面上并且夹置在所述第一金属区与所述第二金属区之间，所述调制掺杂区设置在所述半导体层中并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，所述调制掺杂区具有第二导电类型，所述调制掺杂区设置在所述第三金属区下方并且与所述第三金属区形成低阻接触，所述调制掺杂区包括第一调制掺杂区和第二调制掺杂区，所述第一调制掺杂区接触所述第二调制掺杂区并且设置在所述第二调制掺杂区和所述第三金属区之间，所述第一调制掺杂区的杂质浓度高于所述第二调制掺杂区的杂质浓度；
所述第一源区、第二源区、第一金属区...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑亚良，李浩南，陈伟钿，周永昌，黎沛涛，
申请(专利权)人：创能动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：中国香港;81
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