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本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区...
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