一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法制造技术

本发明专利技术公开了一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，包括以下步骤：步骤S1、利用单一成分氢同位素高纯标准气体测得其在质谱离子源中的解离系数；步骤S2、测得氢同位素混合气体在各质量数处由分子离子及与分子离子质量接近的碎片离子综合贡献的质谱峰信号强度；步骤S3、根据测得的解离系数，计算出待测氢同位素气体成分分子离子单独贡献的质谱峰信号强度；步骤S4、降低氢同位素混合气体样品与对应标准气体的基体干扰；步骤S5、计算定量分析不确定度。本发明专利技术通过谱峰重叠校正方程算得氢同位素混合气体中各分子离子峰信号强度，解决了峰重叠导致定量分析不准确的问题；通过基体校正，绘制标准曲线，最大限度消除基体不匹配的误差。

A method of hydrogen isotope gas quadrupole mass spectrometry based on double correction

【技术实现步骤摘要】
一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法
本专利技术涉及一种测量方法，具体地讲，是涉及一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法。
技术介绍
氢同位素气体精确定量分析是氢同位素工程技术的重要组成部分，四极质谱由于检出限低，灵敏度高，分析迅速，成为氢同位素气体分析的重要手段。在四极质谱电子轰击(EI)离子源模式下，氢同位素混合气体产生碎片离子，由于四极质谱分辨率较低，这些碎片离子质谱峰信号将与分子离子质谱峰信号重叠(例如，分析H2含量时，D2碎片离子D+对于H2分子离子H2+的干扰)，对定量产生严重干扰；且在采用标准气体定量时，由于待测气体中待测成分与标准气体中对应成分基体的差异(例如，采用纯H2标准气体分析H2含量约为5％的H2-D2混合气体)，将导致待测气体中待测成分与标准气体中对应成分在等量进样、相同离子源条件下具有不同的电离截面，也会对定量分析产生严重干扰。因此，在采用四极质谱分析氢同位素气体时，必须综合考虑谱峰重叠及基体干扰对定量造成的影响。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的问题，本专利技术提出一种分辨率高、谱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1、利用单一成分氢同位素高纯标准气体测得其在质谱离子源中的解离系数；/n步骤S2、测得氢同位素混合气体在各质量数处由分子离子及与分子离子质量接近的碎片离子综合贡献的质谱峰信号强度；/n步骤S3、根据测得的解离系数，利用谱峰重叠校正方程计算出氢同位素混合气体中待测氢同位素气体成分分子离子单独贡献的质谱峰信号强度；/n步骤S4、降低氢同位素混合气体样品与对应标准气体的基体干扰；/n步骤S5、计算定量分析氢同位素混合气体中待测氢同位素气体成分分子的不确定度。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、利用单一成分氢同位素高纯标准气体测得其在质谱离子源中的解离系数；
步骤S2、测得氢同位素混合气体在各质量数处由分子离子及与分子离子质量接近的碎片离子综合贡献的质谱峰信号强度；
步骤S3、根据测得的解离系数，利用谱峰重叠校正方程计算出氢同位素混合气体中待测氢同位素气体成分分子离子单独贡献的质谱峰信号强度；
步骤S4、降低氢同位素混合气体样品与对应标准气体的基体干扰；
步骤S5、计算定量分析氢同位素混合气体中待测氢同位素气体成分分子的不确定度。


2.根据权利要求1所述的一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，其特征在于，所述步骤S1～S5均须使用质谱进样系统。


3.根据权利要求1所述的一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，其特征在于，所述步骤S1中的各氢同位素单一成分标准高纯气体为H2、D2、T2、HD、DT、HT六种气体中与步骤S2中的氢同位素混合气体种类对应的氢同位素单一成分标准高纯气体。


4.根据权利要求3所述的一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，其特征在于，所述步骤S2中的氢同位素混合气体为H2、D2、T2、HD、DT、HT六种气体中的至少两种气体的混合气体。


5.根据权利要求4所述的一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，其特征在于，所述步骤S3中氢同位素混合气体各成分分子离...

【专利技术属性】
技术研发人员：何康昊，王泽骥，冯兴文，安永涛，姜飞，曾甯，陈克琳，蔡金光，罗军洪，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院材料研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51