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本发明公开了一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，包括以下步骤：步骤S1、利用单一成分氢同位素高纯标准气体测得其在质谱离子源中的解离系数；步骤S2、测得氢同位素混合气体在各质量数处由分子离子及与分子离子质量接近的碎片离子综合贡献的质谱...该专利属于中国工程物理研究院材料研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院材料研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，包括以下步骤：步骤S1、利用单一成分氢同位素高纯标准气体测得其在质谱离子源中的解离系数；步骤S2、测得氢同位素混合气体在各质量数处由分子离子及与分子离子质量接近的碎片离子综合贡献的质谱...