雷击浪涌防护电路、方法、系统、存储介质及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种雷击浪涌防护电路、方法、系统、存储介质及电子装置，其中，该电路包括：第一电路，该第一电路的输入端与雷击浪涌防护电路的输入端连接，用于执行功率因数校正主功率拓扑电路的第一级雷击浪涌防护；第二电路，该所述第二电路的输入端与第一电路的输出端连接，该第二电路的输出端用于与主功率拓扑电路的输入端连接，该第二电路用于执行主功率拓扑电路的第二级雷击浪涌防护；其中，第一电路和第二电路均包括压敏电阻和气体放电管。通过本发明专利技术，解决相关技术中雷击浪涌防护电路动作残压过高，引起母线电容与主功率电路MOS管应力过大，导致电路损坏，并且在交、直流输入条件下，存在雷击、浪涌的防护盲区，影响防护性能的问题。

Lightning surge protection circuit, method, system, storage medium and electronic device

【技术实现步骤摘要】
雷击浪涌防护电路、方法、系统、存储介质及电子装置
本专利技术涉及通信领域，具体而言，涉及一种雷击浪涌防护电路、方法、系统、存储介质及电子装置。
技术介绍
开关电源是通信电源系统的核心组成部分，为通信基站或通信机房的通信设备供电。随着技术发展，目前对通信用开关电源的要求是要兼容交流与高压直流输入，其中，高压直流输入的电压最高可在400V以上，这使得传统的交流防雷电路难以兼容高压直流的输入环境。图1是相关技术中的交、直流输入条件下的开关电源的雷击浪涌防护电路示意图，在图1中是以开关电源功率校正因数(PowerFactorCorrection，简称为PFC)主功率拓扑电路为例进行说明的，在实际应用中，主功率拓扑电路除了PFC主功率拓扑电路之外，还可以是其他类型的拓扑电路。其中，该电路所使用的压敏电阻的工作电压比传统交流输入条件下的压敏电阻要高，这导致残压也要高得多。很高的残压，将对主功率拓扑电路的母线电容和金属-氧化物-半导体(MetalOxideSemiconductor，简称为MOS)管造成很大的电压应力，这将会减少母线电容的寿命或损坏母本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种雷击浪涌防护电路，其特征在于，包括：/n第一电路，所述第一电路的输入端与所述雷击浪涌防护电路的输入端连接，用于执行主功率拓扑电路的第一级雷击浪涌防护；/n第二电路，所述第二电路的输入端与所述第一电路的输出端连接，所述第二电路的输出端用于与所述主功率拓扑电路的输入端连接，所述第二电路用于执行所述主功率拓扑电路的第二级雷击浪涌防护；/n其中，所述第一电路和所述第二电路均包括压敏电阻和气体放电管。/n

【技术特征摘要】
1.一种雷击浪涌防护电路，其特征在于，包括：
第一电路，所述第一电路的输入端与所述雷击浪涌防护电路的输入端连接，用于执行主功率拓扑电路的第一级雷击浪涌防护；
第二电路，所述第二电路的输入端与所述第一电路的输出端连接，所述第二电路的输出端用于与所述主功率拓扑电路的输入端连接，所述第二电路用于执行所述主功率拓扑电路的第二级雷击浪涌防护；
其中，所述第一电路和所述第二电路均包括压敏电阻和气体放电管。


2.根据权利要求1所述的雷击浪涌防护电路，其特征在于，所述雷击浪涌防护电路还包括：
第三电路，所述第三电路的输入端与所述第二电路的输出端连接，用于检测所述第二电路的输出端的冲击电信号；
主功率控制电路，所述主功率控制电路的输入端与所述第三电路的输出端连接，所述主功率控制电路的输出端用于与所述主功率拓扑电路连接，所述主功率控制电路用于根据所述冲击电信号控制所述主功率拓扑电路中包括的金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOS管的驱动。


3.根据权利要求1所述的雷击浪涌防护电路，其特征在于，所述雷击浪涌防护电路还包括第一电感和第二电感，且所述第一电感位于所述第一电路和所述第二电路之间，所述第二电感位于所述第二电路和所述主功率拓扑电路之间，其中，
所述第二电路包括第一压敏电阻和第一气体放电管；
其中，所述第一压敏电阻的第一端与所述第一电感和所述第二电感连接，所述第一气体放电管的第一端与所述第一压敏电阻的第二端连接，所述第一气体放电管的第二端与所述主功率拓扑电路的输入端连接。


4.根据权利要求3所述的雷击浪涌防护电路，其特征在于，所述第一气体放电管的数量为一个或多个，其中，
当所述第一气体放电管的数量为多个时，多个所述第一气体放电管之间串联连接构成气体放电管组，且所述气体放电管组中除与所述第一压敏电阻连接的第一气体放电管之外，余下的第一气体放电管分别并联一个第一电容，且第一电容的一端与所述第一气体放电管连接，另一端与所述主功率拓扑电路的输入端连接。


5.根据权利要求2所述的雷击浪涌防护电路，其特征在于，所述雷击浪涌防护电路还包括第二电感，且所述第二电感位于所述第二电路和所述主功率拓扑电路之间，所述第三电路的结构包括以下之一：
所述第三电路包括第一绕组，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻以及第一比较器，其中，所述第一绕组和所述第二电感耦合，所述第一绕组的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一绕组的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端均连接至所述第一比较器的输入端中的第一端，所述第三电阻的第一端和所述第四电阻的第一端均连接至所述第一比较器的输入端中的第二端，所述第三电阻的第二端输出电压，所述第四电阻的第二端接地，所述第一比较器的输出端连接至所述主功率控制电路；
所述第三电路包括传感器，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻和第二比较器，其中，所述传感器的第一端与所述第三电路的输入连接，所述传感器的第二端与所述第二电感连接，所述传感器的第三端与所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第二端均连接至所述第二比较器的输入端中的第一端，所述第六电阻的第一端接地，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志荣，王鸿，杨运东，刘明明，王方淳，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44