一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法及ZnMgGaO四元合金薄膜技术

本发明专利技术提供的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgGaO四元合金薄膜，通过生长温度、锌源、镁源、镓源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnMgGaO四元合金薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。

A preparation method of znmggao quaternary alloy film and znmggao quaternary alloy film

【技术实现步骤摘要】
一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法及ZnMgGaO四元合金薄膜
本专利技术涉及半导体材料生产
，特别涉及一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法及ZnMgGaO四元合金薄膜。
技术介绍
作为一种重要的深紫外光电材料，MgZnO三元合金材料具有带隙可调范围宽，抗辐射能力强，原材料丰富以及外延生长温度低等一系列优点。但是，由于MgZnO材料存在严重的分相问题以及吸收边对应日盲紫外波段的材料具有超高的电阻率，导致难以实现电学性质的调控，这两大问题严重制约着MgZnO材料及相应器件的进一步发展和应用。而ZnMgGaO四元合金薄膜材料理论上同样具有较宽的带隙可调范围(3.37eV-7.8eV)，在原理上可以应用于368-160nm范围内的紫外光电器件等领域。且由于Zn2+离子、Mg2+离子以及Ga2+三者离子半径相近，MgZnO材料中Ga原子的引入不会引起很大的晶格畸变，因此原理上ZnMgGaO四元合金薄膜可以获得较高的结晶质量。另外，在MgZnO中引入Ga元素，可能会实现材料电学性质的可控性。综上，ZnMgGaO四元合金薄膜相较Mg本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：/n将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgGaO四元合金薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgGaO四元合金薄膜。


2.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。


3.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机锌化合物为二乙基锌和/或二甲基锌，有机镁化合物为对甲基二茂镁，所述有机镓化合物为三甲基镓和/或三乙基镓。


4.如权利要求3所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机锌化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为5-20sccm；所述有机镁化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为10-40sccm；所述有机镓化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为10-40sccm；所述氧气流速为80-120sccm。


5.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘可为，侯其超，陈星，申德振，张振中，李炳辉，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22