工业过程变送器和压力变送器制造技术

本发明专利技术公开工业过程变送器和压力变送器。所述工业过程变送器包括壳体、传感器电路、变送器电路和辐射屏蔽件。传感器电路容纳在壳体中，并且被配置为感测过程参数并生成指示所感测的过程参数的传感器输出。变送器电路容纳在壳体中，并配置成将感测的过程参数传送到外部单元。辐射屏蔽件基本围绕壳体的容纳传感器电路的一部分，并且屏蔽传感器电路以免受伽马辐射的影响。

【技术实现步骤摘要】
工业过程变送器和压力变送器
本公开的实施例涉及用于工业过程变送器的辐射屏蔽件。
技术介绍
在工业环境中，控制系统用于监视和控制工业和化学过程的库存等。通常，控制系统使用分布在工业过程中的关键位置处的工业过程变送器来执行这些功能。这些变送器包括过程测量变送器，其被配置为使用一个或多个传感器感测过程的参数，例如压力、温度、液位、流量和其它的过程参数。工业过程变送器可能需要承受恶劣的环境条件。核设施可在具有低水平背景辐射的区域中使用工业过程变送器。如果没有适当的保护，传感器及其电路暴露于这种辐射会导致过程参数测量误差和变送器过早失效。
技术实现思路
本公开的实施例涉及一种用于工业过程变送器的辐射屏蔽件，更具体地，涉及包括该辐射屏蔽件的工业过程变送器。工业过程变送器的一个实施例包括壳体、传感器电路、变送器电路和辐射屏蔽件。传感器电路容纳在壳体中，并且被配置为感测过程参数并生成指示所感测的过程参数的传感器输出。变送器电路容纳在壳体中，并配置成将感测到的过程参数传送到外部单元。辐射屏蔽件基本围绕壳体的容纳传感器电路的一部分，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工业过程变送器，其特征在于，所述工业过程变送器包括：/n壳体；/n传感器电路，所述传感器电路被容纳在所述壳体中，并且被配置为感测过程参数并产生指示所感测的过程参数的传感器输出；/n变送器电路，所述变送器电路被容纳在所述壳体中，并且被配置为将所感测的过程参数传送到外部单元；和/n辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件基本围绕所述壳体的容纳所述传感器电路的一部分，所述辐射屏蔽件被配置为屏蔽所述传感器电路以免受伽马辐射的影响。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 16/145,3001.一种工业过程变送器，其特征在于，所述工业过程变送器包括：
壳体；
传感器电路，所述传感器电路被容纳在所述壳体中，并且被配置为感测过程参数并产生指示所感测的过程参数的传感器输出；
变送器电路，所述变送器电路被容纳在所述壳体中，并且被配置为将所感测的过程参数传送到外部单元；和
辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件基本围绕所述壳体的容纳所述传感器电路的一部分，所述辐射屏蔽件被配置为屏蔽所述传感器电路以免受伽马辐射的影响。


2.根据权利要求1所述的工业过程变送器，其特征在于，所述辐射屏蔽件包括铋或钨。


3.根据权利要求1所述的工业过程变送器，其特征在于，所述辐射屏蔽件具有与所述壳体的所述一部分的外表面顺应的内壁表面。


4.根据权利要求1所述的工业过程变送器，其特征在于，所述壳体包括容纳所述传感器电路的传感器壳体和容纳所述变送器电路的变送器壳体，所述变送器壳体从所述传感器壳体沿着中心轴线移置。


5.根据权利要求4所述的工业过程变送器，其特征在于，所述辐射屏蔽件包括沿着所述中心轴线延伸并围绕所述传感器壳体的至少一个侧壁，所述辐射屏蔽件被配置为屏蔽所述传感器电路以免受在与所述中心轴线倾斜的方向上行进的伽马辐射的影响。


6.根据权利要求5所述的工业过程变送器，其特征在于，所述辐射屏蔽件包括沿着所述中心轴线延伸的槽和在所述槽的相对侧上的端面。


7.根据权利要求4所述的工业过程变送器，其特征在于，
所述传感器壳体的第一端包括沿着所述中心轴线延伸的颈部；并且
所述辐射屏蔽件包括第一开口，所述颈部延伸穿过所述第一开口。


8.根据权利要求7所述的工业过程变送器，其特征在于，
所述传感器壳体的所述颈部包括带螺纹的外表面；并且
所述变送器壳体包括带螺纹的承接部，所述承接部接收所述颈部的所述带螺纹的外表面。


9.根据权利要求7所述的工业过程变送器，其特征在于，
所述传感器壳体包括第二端，所述第二端从所述第一端沿着所述中心轴线移置；并且
所述辐射屏蔽件包括第二开口，所述第二端延伸穿过所述第二开口。


10.根据权利要求7所述的工业过程变送器，其特征在于，
所述传感器壳体包括第二端，所述第二端从所述第一端沿着所述中心轴线移置；并且
所述辐射屏蔽件沿着所述中心轴线延伸到所述第二端。


11.根据权利要求7所述的工业过程变送器，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维·罗伯茨，马修·埃瑟里奇，特雷弗·施特罗特，布赖恩·科克，杰弗里·D·奇弗斯，
申请(专利权)人：罗斯蒙特公司，
类型：发明
国别省市：美国;US