一种电子装置、球形量子点及其合成方法制造方法及图纸

一种电子装置、球形量子点及其合成方法，属于量子点领域。合成方法包括：S1，将镉源、锌源和配体加入溶剂中混合并加热，形成第一混合液；S2，提供CdSe量子点核，将所述CdSe量子点核和有机膦加入所述第一混合液中，加热至第一温度，形成第二混合液；S3，以受控速度、向所述第二混合液中加入硫前体以进行反应，得到具有球形的核壳结构的CdSe/CdS/ZnS量子点。球形量子点具有荧光效率高、半峰宽窄、空气稳定性好等特性，且能够满足打印技术制作量子点器件的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种电子装置、球形量子点及其合成方法
本专利技术涉及量子点领域，具体而言，涉及一种电子装置、球形量子点及其合成方法。
技术介绍
量子点(QuantumDot，QD)是尺寸通常在1～100nm之间，且具有量子限域效应的半导体纳米晶体。由于其特殊的光电性质—诸如极宽的吸收光谱、非常窄的发射光谱、很高的发光效率—通过调节量子点的大小来调节量子点的相应带隙，就能显著地调节其电学、光学特性等。量子点在发光元件或光电转换元件等多种元件中都有着广泛的应用前景。目前，量子点已经被应用于显示、照明、太阳能、防伪、生物荧光标记等诸多领域。理论上而言，球形形状的量子点不存在各向异性，是最有利于激子或者电子-空穴对在量子点的核内复合的。然而，在实际的合成过程中，量子点自身的结构特性或者在合成过程中的条件控制不当，很容易产生结构缺陷，从而很难得到比较完美的球形核壳量子点。在现有的文献工作中，Peng课题组所报道了基于CdZnS合金壳层的CdSe/CdZnS量子点。当CdZnS合金壳层中的Cd含量较高时，其粒子形貌也能接近球形结构。然而这类结构的量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种球形量子点的合成方法，其特征在于，所述合成方法包括：/nS1，将镉源、锌源和配体加入溶剂中混合并加热，形成第一混合液；/nS2，提供CdSe量子点核，将所述CdSe量子点核和有机膦加入所述第一混合液中，加热至第一温度，形成第二混合液；/nS3，以受控速度向所述第二混合液中加入硫前体以进行反应，得到球形CdSe/CdS/ZnS量子点。/n

【技术特征摘要】
1.一种球形量子点的合成方法，其特征在于，所述合成方法包括：
S1，将镉源、锌源和配体加入溶剂中混合并加热，形成第一混合液；
S2，提供CdSe量子点核，将所述CdSe量子点核和有机膦加入所述第一混合液中，加热至第一温度，形成第二混合液；
S3，以受控速度向所述第二混合液中加入硫前体以进行反应，得到球形CdSe/CdS/ZnS量子点。


2.根据权利要求1所述的球形量子点的合成方法，其特征在于，所述硫前体包括选自S-ODE、硫醇-ODE中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的球形量子点的合成方法，其特征在于，所述硫醇-ODE的硫醇的碳链长度为6-16。


4.根据权利要求1所述的球形量子点的合成方法，其特征在于，步骤S1和步骤S3中，所述镉源、所述锌源和所述硫前体的加入量由以下元素的摩尔比限定：Cd:Zn:S＝1:5～20:5～20。


5.根据权利要求1所述的球形量子点的合成方法，其特征在于，步骤S2和步骤S3中，所述有机膦和所述硫前体的加入量由以下元素的摩尔比限定：P:S＝0.02～1:1。


6.根据权利要求1所述的球形量子点的合成方法，其特征在于，所述第一温度为250-310℃。


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【专利技术属性】
技术研发人员：陈小朋，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33