【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法
本公开涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，广泛地应用在日常生活中的显示、装饰、通讯和照明等领域。通过采用不同的半导体材料和结构，发光二极管能够覆盖从紫外到红外的全色范围，基本占据了室内和室外的大间距显示器市场。其中，间距是指显示器中相邻两个显示单元之间的距离，与显示器的分辨率有关。当前小间距显示器市场仍以液晶显示器(英文：LiquidCrystalDisplay，简称：LCD)为主流。虽然有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode，简称：OLED)正在某些领域替代LCD成为主流，但是OLED存在烧屏等问题。微型发光二极管(英文：MicroLED)是指边长在10微米～100微米的超小型发光二极管，体积小，可以更密集地排列在一起而大幅提高分辨率，并且具有自发光特性，在高...
【技术保护点】
1.一种发光二极管模块的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，所述红光芯片和所述蓝光芯片分别与所述绿光芯片相对设置，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片均包括依次层叠在所述电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；/n采用激光剥离的方式去除所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的透明基板；/n在所述红光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层远离所述绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；/n在所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管模块的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，所述红光芯片和所述蓝光芯片分别与所述绿光芯片相对设置，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片均包括依次层叠在所述电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；
采用激光剥离的方式去除所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的透明基板；
在所述红光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层远离所述绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；
在所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成一条直线，或者，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形时，所述制作方法还包括：
在所述绿光芯片中的电子产生层远离所述红光芯片和所述蓝光芯片的区域上形成半透明薄膜。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述半透明薄膜和所述电子产生层未形成所述半透明薄膜的区域上形成透明导电薄膜。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
形成散射层，所述散射层与所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片相对设置，且所述散射层和所述电路板分别位于所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片的两侧。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在GaAs衬底上低温生长GaAs缓冲层；
在所述GaAs缓冲层上生长晶格引导层，所述晶格引导层由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构和GaAs层/AlInP层超晶格结构组成，所述GaInP层中Ga组分的含量、所述AlGaInP层中Al组分和Ga组分的含量之和、所述AlInP层中Al组分的含量相等；
在所述晶格引导层上依...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，吴志浩，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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