一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法，包括：1)利用氯化盐粉末作为生长基底；2)用单质硫和过渡金属的氧化物(或氯化物)作为前驱体放置在气流上游；3)通入载气去除残留空气，气流稳定后，将单质硫和过渡金属的氧化物(或氯化物)和氯化盐粉末分别加热至不同温度，保温一定时间，在基底上生长得到过渡金属硫化物纳米片。利用氯化盐粉末作为三维基底，可以实现半导体性和金属性过渡金属硫化物纳米片的批量制备。

A preparation method of transition metal sulfide Nanoflake powder

【技术实现步骤摘要】
一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法
本专利技术属于材料领域，具体地，本专利技术涉及一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法，利用两步化学气相沉积的方法，在氯化钠粉末上可控批量制备过渡金属硫化物纳米片，并将其用于电催化析氢。
技术介绍
近期，二维过渡金属硫化物由于其独特的物理化学性质而引起了人们的广泛关注。其中，半导体性二维金属硫化物纳米片(如二硫化钼)，因具有特殊的带隙、丰富的活性位点、独特的层状结构而被广泛应用于光电和能源领域。例如，二硫化钼纳米片是大面积柔性薄膜电子器件的良好构筑体；纳米片边缘原子较低的氢吸附能使其成为一个良好的析氢催化剂；与CdS或TiO2等半导体结合可以成为一种良好的光电催化剂；此外，还可以作为钠离子电池电极应用于能源储存领域。另外，近几年金属性过渡金属硫化物(如TaS2、NbS2)纳米片也因具有丰富的物理性质如磁性、电荷密度波、超导等而引起了人们的广泛关注。特别是，在机械剥离的几层1T-TaS2上观察到了电荷密度波(CDW)、相变和相关的电子状态，并通过电偏置和光学激光脉冲对其进行了精确调制，从而创建了独特的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法，包括以下步骤：/n1)制备精细的氯化盐粉末，得到生长基底；/n2)将步骤1)得到的生长基底放在气流的下游，在上游的位置放入单质硫和过渡金属硫化物前驱体；所述过渡金属硫化物前驱体为过渡金属氧化物或过渡金属氯化物；/n3)通入载气，待气流稳定后，将生长基底和前驱体分别加热到恒温，进行过渡金属硫化物的生长；/n4)生长结束后，待温度降至室温后关闭载气，即可在氯化盐粉末上得到过渡金属硫化物纳米片。/n

【技术特征摘要】
1.一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法，包括以下步骤：
1)制备精细的氯化盐粉末，得到生长基底；
2)将步骤1)得到的生长基底放在气流的下游，在上游的位置放入单质硫和过渡金属硫化物前驱体；所述过渡金属硫化物前驱体为过渡金属氧化物或过渡金属氯化物；
3)通入载气，待气流稳定后，将生长基底和前驱体分别加热到恒温，进行过渡金属硫化物的生长；
4)生长结束后，待温度降至室温后关闭载气，即可在氯化盐粉末上得到过渡金属硫化物纳米片。


2.根据权利要求1所述的过渡金属硫化物纳米片的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述氯化盐包括氯化钠或氯化钾；
其中，利用重结晶的方法制备氯化盐粉末，包括以下步骤：将无水乙醇倒入氯化盐饱和溶液中进行重结晶，随后干燥、研磨，完成精细氯化盐粉末的制备，氯化盐晶粒的尺寸为1微米-20微米。


3.根据权利要求1所述的制备过渡金属硫化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硫化物前驱体为过渡金属钼的氧化物，步骤2)中，单质硫和过渡金属钼的氧化物的质量比为200:1-5。


4.根据权利要求1所述的制备过渡金属硫化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硫化物前驱体为钽的氯化物、铌的氯化物或钒的氯化物，步骤2)中，单质硫和过渡金属硫化物前驱体的质量比为100:1-5。


5.根据权利要求1所述的制备过渡金属硫化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述过渡金属氧化物或氯化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳锋，朱莉杰，郇亚欢，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11