基于区域的CMP目标控制制造技术

本公开涉及基于区域的CMP目标控制。本公开涉及晶圆的化学机械抛光中的基于区域的CMP目标控制的技术。在晶圆的表面上标识多个区域。在CMP工艺序列中，在每个区域上实现CMP目标。该序列中的每个CMP工艺使用对其他区域为选择性的CMP工艺来仅为一个区域实现CMP目标。

CMP target control based on Region

【技术实现步骤摘要】
基于区域的CMP目标控制
本公开总体涉及基于区域的CMP目标控制。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)工艺广泛用于集成电路(IC)的制造中。当在半导体晶圆的表面上逐层构建IC时，CMP工艺用于对最上面的一层或多层进行抛光或平坦化，以便为后续制造步骤提供平整的表面。通过将晶圆置于载体(也被称为抛光头)中来执行CMP工艺，载体将待抛光的晶圆表面压靠在附接至台板(platen)的抛光垫上。在将含有磨料颗粒和反应性化学物质的CMP浆料应用到抛光垫的同时，旋转台板和晶圆载体两者。多孔抛光垫的旋转使浆料被输送到晶圆表面。抛光垫和与浆料中的反应性化学物质耦接的晶圆表面的相对运动允许CMP工艺通过物理和化学作用力使晶圆表面平整。为了提高CMP工艺的良率，需要精确控制晶圆内(WiW)均匀性。此外，随着器件尺寸不断缩小，CMP工艺的最终目标控制(即，平整的晶圆表面的厚度)成为器件性能的关键因素。因此，还需要精确控制晶圆间(WtW)均匀性。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种对晶圆进行化学机械抛光(CMP)的方法，包括：在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对晶圆进行化学机械抛光(CMP)的方法，包括：/n在所述晶圆的表面上标识第一区域和第二区域，所述第一区域具有与所述第二区域的结构特征不同的结构特征；/n通过使用第一CMP工艺来抛光所述晶圆，在所述第一区域上实现第一CMP目标厚度，所述第一CMP工艺对于所述第二区域的结构特征是选择性的；以及/n通过使用第二CMP工艺来抛光所述晶圆，在所述第二区域上实现所述第一CMP目标厚度。/n

【技术特征摘要】
20180926 US 62/736,958;20190812 US 16/538,4641.一种对晶圆进行化学机械抛光(CMP)的方法，包括：
在所述晶圆的表面上标识第一区域和第二区域，所述第一区域具有与所述第二区域的结构特征不同的结构特征；
通过使用第一CMP工艺来抛光所述晶圆，在所述第一区域上实现第一CMP目标厚度，所述第一CMP工艺对于所述第二区域的结构特征是选择性的；以及
通过使用第二CMP工艺来抛光所述晶圆，在所述第二区域上实现所述第一CMP目标厚度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一CMP工艺对于所述第二区域中的结构特征是选择性的。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二CMP工艺对所述第一区域中的结构特征是选择性的。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过使用第三CMP工艺抛光所述晶圆，在所述第一区域和所述第二区域上一起实现第二CMP目标厚度。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，使用所述第三CMP工艺抛光所述晶圆是以下一项或多项：具有比所述第一CMP工艺和所述第二CMP工艺低的抛光速率，或磨光抛光。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述第一CMP工艺抛光所述晶圆包括：向所述第一区域的晶圆背面施加比向所述第二区域的晶圆背面更高的推压力。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域和所述第二区域基本上...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟泽良，涂哲豪，陈科维，刘志文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71